- •Глава 2.
- •Назначение основные характеристики пластин монокристаллического кремния
- •Технологический процесс изготовления кремниевых пластин
- •Механическая обработка пластин монокристаллического кремния
- •Абразивные материалы
- •Абразивная обработка материалов
- •Шероховатость поверхности. Нарушенный слой
- •Технологические операции изготовления пластин
- •Калибровка слитков монокристаллического кремния
- •Создание базового среза (лунки) и дополнительных срезов, ориентация слитка кремния для резки пластин
- •Резка слитков на пластины
- •- Система крепления слитка, обеспечивающая подвод – отвод слитка, 6 – нижняя станина станка, 8-12 – шпиндель станка
- •Лазерная маркировка
- •18 Символов
- •Формирование фаски
- •Контроль параметров пластин после резки
- •Шлифовка пластин
- •Полировка пластин
- •2.1Двухсторонняя алмазная полировка
- •2.2Финишная полировка пластин
- •Процессы травления и очистки при изготовлении кремниевых пластин
- •Упаковка
- •Контроль параметров пластин монокристаллического кремния
- •Параметры, характеризующие кремний монокристаллический, и методы их контроля
- •Параметры, характеризующие внешний вид пластин кремния монокристаллического
- •Параметры, характеризующие геометрию пластин кремния монокристаллического
- •Нерабочая поверхность
- •Контроль, параметров, характеризующих геометрию пластин кремния монокристаллического
- •Контроль, параметров, характеризующих внешний вид пластин кремния монокристаллического
- •Литература к главе 2
Лазерная маркировка
Для идентификации пластин диаметром 60, 76, 100 мм применяются дополнительные срезы. На пластинах диаметром 150 мм и более обычно используют лазерную маркировку.
Пластины маркируются после резки или полировки при помощи лазера в соответствии со стандартом SEMI M12-0706 [37] или M13-0706 [38] с использованием цифровых и буквенных знаков в специфицированной области пластины вблизи базового среза или лунки (рис. 2.18, 2.19). Различия в стандартах заключаются в том, что SEMI M13 дает больше информации с использованием 18 знаков (см. таблицу 2.6), которые определяют идентификационный номер (8 позиций), код производителя пластин (2 позиции), идентификацию удельного сопротивления (4 позиции), легирующей примеси (1 позиции), ориентацию кристалла (1 позиция) и контрольные знаки (2 позиции). В стандарте SEMI М12 для маркировки используются 12 позиций, при этом информация по удельному сопротивлению, легирующей примеси и ориентации кристалла исключается. Также может быть выполнена маркировка с дополнительной информацией, специфицированной заказчиком, а количество знаков может превышать 18 позиций.
Имеются два альтернативных варианта маркировки: глубокая маркировка и мелкая маркировка. Глубокая маркировка обычно выполняется после разрезания и очистки пластин, для того, чтобы сохранить максимум информации об идентификации пластин или после создания профиля фаски пластины. Лунки, сделанные лазером, достаточно глубокие, что обеспечивает их видимость после удаления материала на следующих обработках. Мелкая маркировка выполняется после полировки, в этом случае лунки являются маленькими впадинами с небольшим выступом вокруг впадины. Такая маркировка видна только при приемлемом освещении. У каждого из двух методов маркировки имеются свои преимущества и недостатки. При глубокой маркировке на пластине формируются глубокие впадины, которые притягивают частицы. Кроме того, удаление фоторезиста из впадин затруднено, а сами впадины могут инициировать образование линий скольжения при проведении высокотемпературных обработок. Мелкая маркировка может увеличить уровень загрязнения пластины частицами, так как она выполняется после полировки. Оба типа маркировки широко используются, а в случае если состояние рабочей стороны пластины является критичным, маркировка может также выполняться и на нерабочей стороне.
а) глубокая лазерная маркировка после б) мелкая лазерная маркировка,
разрезания пластин выполненная после полировки
Рисунок 2.18 – Лазерная маркировка на пластинах в соответствии со стандартом SEMI M13 38
Таблица 2.6. Коды для маркировки пластин в соответствии со стандартом SEMI M13 38.
Расположение знака |
Тип знака |
Параметр |
Код |
Описание |
1-7 |
Буквы/цифры |
Идентификация |
A-Z и 0-9 |
Определяется производителем |
8 |
Цифры |
Идентификация |
0-9 |
Определяется производителем |
9-10 |
Буквы |
Идентификация поставщика |
A-Z |
Коды, назначенные SEMI для каждого производителя |
11-14 |
Цифры |
Удельное сопротивление |
0-9 и точка |
Идентификация удельного сопротивления (Ом•см) (номинальное значение) |
15 |
Буквы |
Легирующая примесь |
B,F,A,S- |
B, P, As, Sb или нет идентификации |
16 |
Цифры |
Ориентация кристалла |
0,1,2,3,5 |
(100), (111), (110), (011), (511) или нет идентификации |
17 |
Буквы |
Контрольный знак |
A-H |
|
18 |
Цифры |
Контрольный знак |
0-7 |
|
18
символов
а
)
диаметр 150 мм
