32. Динамічні озп. Класифікація динамічних озп

33. Функціональна схема ROM

33. Масочні та програмовані ПЗП

33. Репрограмовані ПЗП

36Елемент пам’яті на мнон транзисторі

Пам’ять на МНОН-транзисторах.(Метал Нітрид Окисил Напівпровідник)

струмопроходження вздовж каналу буде суттєво залежати від наявності чи відсутності локалізованого заряду на границі SiO₂  SiN₄.

Програмуванням МНОН-транзистора називається процес формування заряду в під затворному діелектрику. Для цього до затвору N-канального транзистора прикладають додатній імпульс напруги амплітудою близько 20 Вольт. Під дією електричного утворення(поля) електрони тунелюють з підкладки через тонкий шар SiO₂ на межу SiN₄  SiO₂, де вони захоплюються локальними пастками.

Таким чином формується негативний заряд, який виконує функцію носія інформації. Наявність заряду означає 0 а його відсутність логічну 1. Таким чином стоково-затворна характеристика має вигляд при наявності заряду і при відсутності заряду:

_____ заряд екранує дію позитивної напруги на затворі і відповідно підвищує порогову напругу на стільки, що робочий сигнал відкрити транзистор не може. Кожному новому запису передує стирання інформації(заряду). Число перезаписів 10⁴ 10⁶раз. Програмований стан транзистора зберігається роками. В режимі зчитування на затвор подають напругу, значення якої лежить між двома граничними рівнями: якщо записана логічна 1 то транзистор відкриється, якщо 0 то транзистор закритий. Таким чином залежно від транзистора при подачі на його затвор напруги зчитування(по шині x_i в розрядній шині y _j струм або протікає або ні.

Підсилювач зчитування трансформує стан розрядної шини у вихідну напругу високого або низького рівня(відповідно струм протікає або ні). Якщо транзистор має локалізований заряд(стан 0) то для переходу в 1 накопичений заряд витискують з під затвора негативним імпульсом амплітудою порядку 40 Вольт, який подається на затвор. Це процес стирання інформації

37. Елемент пам’яті на лізмон транзисторі

Елементи пам’яті на ЛІЗМОН-транзисторах(Лавинно-Інжектований Заряд).

Прикладом такого є пряме зміщення на PN-переході.

Структура ЛІЗМОН-транзистора з одним Структура ЛІЗМОН-транзистора з двома

Металевий затвор розміщений в товщині діелектрика і в нього відсутні зовнішні виведення, тому його називають плаваючим. При наявності заряду на плаваючому затворі(ПЗ) утворюється провідний канал і транзистор відкривається, що відповідає запису логічної одиниці. При відсутності заряду транзистор закривається, тобто є логічний 0. У випадку двозатворного транзистора в режимі програмування на витік – стік подається позитивний імпульс амплітудою 25 Вольт. В результаті PNпереходи виявляються зворотньо-міщеними і виникає процес лавинної інжекції. Частина електронів в результаті тунелювання попадає на плаваючий затвор і в результаті накладання на плаваючий затвор негативного заряду порогова напруга зміщується в область більш високого рівня, що відповідає запису логічного нуля. Відсутність зарядів електродів на плаваючому затворі відповідає запису логічної одиниці. Стирання інформації здійснюють шляхом витіснення заряду ПЗ. Цю операцію здійснюють двома методами:

1. Імпульсом напруги, що подається на затвор. Такі елементи мають позначення ЗПЗП-ЕС.

2. За допомогою ультрафіолетового випромінювання крізь вікно у мікросхемі.

У першому випадку накопичені в ПЗ електрони витісняються у підкладку електричним полем, що приводить до відновлення стану 1. У випадку 2 електрони розсмоктуються з ПЗ у підкладку за рахунок теплового руху від УФ джерела. Режим зчитування виконується аналогічно як і у МНОН-транзисторів.