20. Імс та їх класифікація

Інтегра льна мікросхе ма — мініатюрний мікроелектронний виріб, елементи якого нерозривно пов'язані конструктивно, технологічно та електрично. Виконує визначені функції перетворення і має високу щільність упаковки електрично з'єднаних між собою елементів і компонентів, які є одним цілим з точки зору вимог до випробувань та експлуатації.

За способом об'єднання розрізняють:

1. напівпровідникові,

2. монолітні (осн. тип),

3. плівкові, 4. гібридні.

За видом оброблюваної інформації — на

1. Цифрові

2. аналогові.

За складністю і якістю оцінки І.м. поділяються на:

1. малі І.м. (МІС),

2. середні І.м. (СІС),

3. великі І.м. (ВІС),

4. надвеликі І.м. (НВІС).

21. Класифікація та основні параметри цифрових ІМС

Початок переписати з питання 20!!!!!!!!!

Мікросхема - певна сукупність елементів.

Складність мікросхеми характеризується такими параметрами:

1. рівень інтеграції N

2. ступінь інтеграції K  lgSV

3. Ступінь функціональної складності.

F  lgL , де L -число двох входових логічних елементів(вентилів).

22. Схемна реалізація логічного інвертора

23. Діодна реалізація логічного елемента АБО

24. Діодна реалізація логічного елемента І.

25. Динамічні параметри логічних елементів

Основними динамічними параметрами логічних елементів є:

1. затримка поширення сигналів під час перемикання;

2. тривалість позитивного (наростаючого) і негативного (спадаючого) фронтів.

Затримка поширення визначається як інтервал часу між вхідним і вихідним сигналами логічного елемента і вимірюється на рівні 0,5 логічного переходу вхідного і вихідного сигналу. Оскільки час затримки передачі під час переходу з одиниці в нуль може відрізнятись від часу затримки передачі під час переходу з нуля в одиницю, то здебільшого користуються формулою

26. Основні параметри цімс

Від функціональної складності мікросхеми залежить і система її електричних параметрів, які найчастіше розділяють на статичні та динамічні.

С татичні параметри ІМС: напруга джерела живлення ; вхідна та вихідна напруги відповідно низького (лог.0) та високого (лог.1) рівнів (рис.2); вхідний та вихідний струми при напругах відповідно низького та високого рівнів; коефіцієнт розгалуження по виходу K_р (або інакше навантажувальна спроміжність), який визначає кількість мікросхем-навантажень даної серії, що можна під'єднати до виходу даної мікросхеми; допустима напруга статичної завади , яка характеризує статичну завадостійкість мікросхеми та середня потужність

споживання: .

Динамічні параметри ІМС характеризують властивості ІМС в режимі перемикання. До них відносяться (див. рис.2): час затримки

розповсюдження сигналу при вмиканні та

в имиканні ; середній час розповсюдження сигналу через ІМС від її входів до

виходів (визначається як півсума затримок при вмиканні та вимиканні); динамічна завадостійкість; динамічна потужність споживання.

Потужність, яка споживається мікросхемою в режимі перемикання, значно вища, аніж в статичному режимі. Для деяких типів ІМС таке первищення може досягати двох - трьох порядків. Це пояснюється наявністю в мікросхемах ємнісних елементів, роботою біполярних транзисторів в режимі насичення, іншими причинами. Вказану обставину необхідно враховувати при розрахунках

е нергоємності джерел живлення мікроелектронних пристроїв.