- •Исследование характеристик полупроводниковых диодов
- •1. Цель
- •2. Приборы и элементы.
- •3. Порядок выполнения работы рассмотрим на примере.
- •3.3. Измерение статического сопротивления диода.
- •Результаты измерения напряжения и тока при прямом смещении p-n перехода
- •Результаты измерения напряжения и тока при обратном смещении p-n перехода
- •Контрольные вопросы
1. Цель
- исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода;
- исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении p-n перехода;
- построение и исследование ВАХ для полупроводникового диода;
- решение задачи аппроксимации опытной ВАХ аналитической зависимостью y = f(x) c использованием кубической сплайн-интерполяции программы Mathcad
2. Приборы и элементы.
В работе используются следующие приборы и элементы: функциональный генератор, мультиметр, осциллограф, источник постоянного напряжения, диод (по указанию преподавателя), резисторы.
3. Порядок выполнения работы рассмотрим на примере.
3.1 Вычисление тока протекающего через диод.
Собрать схему, показанную на рис.1, и измерить напряжение на диоде при прямом смещении n-p перехода. Данные измерений записать в таблицу 1.
Рис.1. Схема измерения U при прямом смещении n-p перехода
Собрать схему, показанную на рис.2, и измерить напряжение на диоде при обратном смещении n-p перехода. Данные измерений записать в таблицу 1.
Рис. 2. Схема измерения U при обратном смещении n-p перехода
По данным измерения вычислить токи IПР и IОБР.
По закону Кирхгофа для напряжений:
,
3.2. Измерение тока.
Измерение тока при прямом и обратном смещении n-p перехода производится мультиметром в режиме амперметра.
Схема измерения тока при прямом смещении n-p перехода показана на рис.3. Данные измерений записать в таблицу 1.
Удалить диод из схемы и произвести его ротацию. После установки диода в схему рис.4 запустить схему и измерить ток при обратном смещении n-p перехода. Данные измерений записать в таблицу 1.
.
Рис. 3. Схема измерения тока диода при прямом смещении p-n-перехода
Рис. 4. Схема измерения тока диода при обратном смещении p-n-перехода
.
Таблица 1.
№ опыта |
напряжение
|
ток
|
||
прямое
|
обратное
|
прямой
|
обратный
|
|
1. измерение напряжения и вычисление тока |
|
|
|
|
2. измерение тока |
|
|
|
|
.
Сравнить токи, полученные по результатам вычислений и измерений с помощью мультиметра и сделать выводы.
3.3. Измерение статического сопротивления диода.
Измерение статического сопротивления диода производится мультиметром в режиме омметра. Статическое сопротивление нелинейного резистора является величиной переменной и определяется отношением напряжения и тока в соответствующих точках ВАХ диода.
Измерьте сопротивление диода в прямом и обратном подключении в соответствии со схемами, приведенными на рис. 5. Измерение сопротивления производится для различных установок измерительного тока омметра (клавиша SETTINGS на лицевой панели мультиметра).
Рис.5. Схема измерения сопротивления диода при прямом и обратном смещении p-n-перехода
.
Результаты измерений для различных значений измерительных токов записать в таблицу 2.
Показания сопротивления при прямом смещении различны для различных токов. ПОЧЕМУ?
Таблица 1
Ток, А |
Статическое сопротивление, Ом |
|
При прямом смещении |
При обратном смещении |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.4. Снятие вольтамперной характеристики диода.
3.4.1. Прямая ветвь ВАХ. Собрать схему,
приведённую на рис. 6. Последовательно
устанавливая значение э.д.с. источника
от 0 до значения, при котором напряжение
на диоде
,
где
-
контактная разность потенциалов
,
величина которой приведена в окне
«Параметры диода» (Diode
Properties; клавишаEdit)
программы, измерить напряжение и ток
диода. Данные измерений напряжения и
тока записать в таблицу 3.
Рис.6. Схема снятия вольтамперной характеристики
