
- •6.5. Расчет комплексных функций цепи с помощью матриц ее контурных сопротивлений и узловых проводимостей
- •7.2. Комплексные входные и передаточные функции; частотные характеристики
- •7.3. Полоса пропускания, понятие об избирательности, коэффициент прямоугольности
- •7.4. Особенности применения последовательных колебательных контуров
- •8. Параллельный колебательный контур
- •8.1. Условие резонанса и резонансная частота
- •8.2. Комплексные входные и передаточные функции; частотные характеристики
- •8.3. Полоса пропускания и коэффициент прямоугольности
- •8.4. Сложные параллельные колебательные контуры
- •8.5. Особенности применения параллельных колебательных контуров
- •9.2. Эквивалентные схемы и комплексные функции системы двух связанных контуров
- •9.З. Резонансы в системе связанных контуров. Частные и сложные резонансы
- •9.4. Частотные характеристики системы связанных колебательных контуров
- •9.5. Полоса пропускания и коэффициент прямоугольности
- •Понятие о многосвязанных колебательных контурах
- •Применение связанных
- •Колебательных контуров
- •10. Основы теории четырехполюсников
- •10.1. Основные понятия и определения
- •10.2. Уравнения, параметры и схемы замещения четырехполюсника
- •10.3. Комплексные входные и передаточные функции четырехполюсника
- •10.4. Характеристические параметры четырехполюсника
- •10.5. Параметры рассеяния четырехполюсника
9.2. Эквивалентные схемы и комплексные функции системы двух связанных контуров
Для анализа процессов в системе из двух связанных контуров обратимся к методу вносимых сопротивлений, являющемуся разновидностью метода преобразований цепи. Суть этого метода заключается в эквивалентной замене системы связанных контуров одноконтурной схемой, анализ которой не представляет трудности. Такую замену делают следующим образом:
одним из известных методов определяют токи в обоих контурах;
полученным выражениям приводят в соответствие две эквивалентные схемы (на базе тока в первом и на базе тока во втором контуре).
Название методу дают компоненты комплексных сопротивлений получаемых эквивалентных схем.
Для составления системы уравнений, описывающих систему связанных контуров, обратимся к Т-образной обобщенной схеме
(рис. 9.3, а), для которой справедливы контурные уравнения1:
сумма сопротивлений элементов первого и второго контуров соответственно.
Решение этой системы уравнений дает токи в связанных контурах:
эквивалентные сопротивления первого и второго контуров;
1 Для схемы, например, с индуктивной связью (см. рис. 9.1, а):
вносимые сопротивления;
--
(9.12)
э. д. с., наводимая во втором контуре.
Ток во втором контуре можно выразить через ток в первом контуре с помощью выражений (9.8) и (9.9):
(9.13)
Выражениям (9.8) и (9.9) соответствуют одноконтурные схемы (рис. 9.4). Схема (рис. 9.4,а), в которой ток определяется выражением (9.8) и равен току в первом контуре, называется эквивалентной схемой системы связанных контуров на базе тока в первом контуре. Схема (рис. 9.4,6), в которой ток в соответствии с формулой (9.9) равен току во втором контуре, называется эквивалентной схемой на базе тока во- втором контуре. С помощью этих схем токи в контурах определяются непосредственно по закону Ома.
Рассмотрим параметры эквивалентных схем для наиболее часто встречающегося на практике случая, когда rСВ= 0, т. е.
(9.14)
Из формулы (9.11) с учетом выражений (9.6) и (9.7) получаем:
активные составляющие вносимых сопротивлений;
и
(9.17)
реактивные составляющие вносимых сопротивлений.
Вносимые
сопротивления учитывают взаимное
влияние связанных контуров друг на
друга. Сопротивления
и
учитывают влияние соответственно
второго контура на первый и первого —
на второй. Сопротивление rlBH
в первой эквивалентной схеме (см. рис.
9.4,а) учитывает потери во втором контуре.
Сопротивление r2BH
во второй эквивалентной схеме (рис. 9.4,
б) учитывает потери в первом контуре.
Реактивные
сопротивления xlBH
и
x2BH
представляют реактивность, вносимую
в один из контуров за счет другого, и
таким образом учитывают влияние
расстройки одного из контуров на другой,
Значения этих сопротивлений всегда
обратны по знаку реактивности контура,
влияние которого они учитывают. Например,
сопротивление xlBH
всегда обратно по знаку реактивности
второго контура x2.
Это значит, что при индуктивной расстройке
второго
контура (
и
)
в первый контур вносится емкостная
расстройка, так как при этом
и
,
и наоборот.
Таким образом, для эквивалентных сопротивлений каждого из контуров на основании выражений (9.8) — (9.17) можно записать:
Выражения (9.8), (9.9) для токов в контурах можно представить и иначе, выразив токи через комплексные входные и передаточные функции системы:
Соотношения (9.5) — (9.22) получены для Т-образной обобщенной схемы. Для дуальной ей П-схемы легко получить дуальные выражения и прийти к выводам, аналогичным для случая Т-схем.
В качестве примера найдем передаточное сопротивление для П-образной обобщенной схемы (см. рис. 9.3,6), используя ее матрицу узловых проводи-мостей:
Как следует из выражения (6.24),