
- •Оглавление
- •Глава 1. Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках 5
- •Введение
- •Глава 1. Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках
- •1.1. Методы измерения подвижности носителей зарядов
- •Методы измерения подвижности носителей зарядов
- •1.2. Исследование транспорта носителей заряда в полимерной пленке методом celiv.
- •1.3. Анализ результатов полученных методом celiv.
- •1.4. Транспорт носителей заряда в диэлектриках
- •Литература
Методы измерения подвижности носителей зарядов
Метод |
Структура образца |
Форма сигнала |
Μ |
Ссылки |
1. TOF (времяпролетный) |
|
|
|
[5Error: Reference source not found] |
2. OTFT (органические тонкопленочные транзисторы) |
|
|
|
[10] |
3. JV (вольтамперные характеристики) |
|
|
|
[9] |
4. DISCLC (темновой инжекционный ток, ограниченный пространственным зарядом) |
|
|
|
[11] |
5. AV (спектроскопия полной проводимости) |
|
|
|
[8] |
6. CELIV (вытягивание носителей заряда линейно увеличивающимся напряжением) |
|
|
|
[12] |
Времяпролетный метод является одним из широко распространенных методов исследования транспорта носителей зарядов, который применялся для исследования целого ряда сопряженных полимеров и органических полупроводников. [9,14]. В этом методе, пакет носителей заряда генерируется световым импульсом и дрейфует через исследуемый материал под влиянием внешнего приложенного напряжения. Время прихода пакета носителей заряда измеряется при достижении противоположного электрода и рассчитывается по формуле
(1.1)
где d – толщиной пленки, U – приложенное напряжение и ttr –время пролета. Для метода ВП требуется толстая пленка, что ограничивает этот метод при измерении подвижности в реальных тонких органических пленках используемых в электронных устройствах.
Хорошо известен метод полевого транзистора (FET) для измерения подвижности в полимерных пленках. [1,6]. Подвижность носителей заряда по FET рассчитывается по вольтамперным характеристикам канала проводимости. В этом методе, носители заряда дрейфуют по горизонтали вдоль канала. Этот метод измерения при высокой концентрации заряда в канале, как правило, дает завышенную подвижность носителей значений, которые в большинстве случаев не достигается в диодах и др. устройствах. В последнее время происхождение больших значений подвижности полученные методом FET объясняется концентрационной зависимостью носителей заряда. [2,8].
Другим довольно распространенным методом измерения подвижности в многослойных структурах, является метод SCLM, основанный на изучении тока ограниченного объемным зарядом. Метод достаточно прост, осуществляется инжекция заряда в объем полимерной пленки и по полученной вольтамперной характеристике проводится оценка подвижности носителей заряда. Эта методика не описывает переходные явления, так как она по своей природе является статической. Теория метода и методика оценки по SCLM описывается в работе [15]. Так в работах [7,16] этот метод был использован для изучения подвижности носителей заряда (дырок) в широких интервалах температур в сопряженных полимерах [17]. В последнее время данным методом были исследованы органические материалы, используемые в фотоэлементах и светодиодах.
В последнее время, зарубежными авторами для оценки подвижности носителей заряда активно используется метод CELIV предложенный Г.Юшкой еще в 80-х годах прошлого века [12]. В методе CELIV оценивается подвижность равновесных носителей заряда. Расчет проводится по времени соответствующему максимуму концентрации вытягиваемых носителей заряда (на кривой переходного тока, время оценивается по точке соответствующей максимуму плотности тока). В отличие от времяпролетного метода, этот метод не ограничивается толщиной пленки и позволяет проводить измерения подвижности и в тонких пленках. Одной из проблем, данного метода является низкая концентрация равновесных носителей заряда. В этой связи, был предложен модифицированный метод основанный на фотогенерации носителей заряда с последующей инжекцией в объем органической пленки носителей заряда. Модифицированный метод фото-CELIV более удобен для генерации и последующего вытягивания из объема линейно увеличивающимся полем носителей заряда. [13,18].
Рассмотрим более подробно теорию метода CELIV.