1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4. В табл. П.1 приведены обозначения для первого элемента.
Таблица П.1
Исходный материал |
Условные обозначения |
Германий |
Г или 1 |
Кремний |
К или 2 |
Соединения галлия (например арсенид галлия) |
А или 3 |
Соединения индия (например форсид индия) |
И или 4 |
Второй элемент. Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов.Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (табл. П.2)
Таблица П.2
Подкласс приборов |
Условные обозначения |
Диоды выпрямительные, универсальные,импульсные |
Д |
Транзисторы биполярные |
Т |
Транзисторы полевые |
П |
Варикапы |
В |
Тиристоры диодные |
Н |
Тиристоры триодные |
У |
Туннельные диоды |
И |
Стабилитроны |
С |
Сверхвысокочастотные диоды |
А |
Излучающие оптоэлектронные приборы |
Л |
Оптопары |
О |
Третий элемент. Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплуатационные параметры различные. Например, для транзисторов – это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов – максимальное значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение тока в открытом состоянии. В табл. П.3 приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.
Таблица П.3
Назначение прибора |
Условные обозначения |
Диоды выпрямительные, с прямым током, А : |
|
менее 0,3 |
1 |
0,3…10 |
2 |
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др. ) |
3 |
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс : |
|
более 500 |
4 |
150…500 |
5 |
30…150 |
6 |
5…30 |
7 |
1…5 |
8 |
с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс |
9 |
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом состоянии (или импусным), А |
|
незапираемые : |
|
менее 0,3 (менее 15) |
1 |
0,3…10 (15…100) |
2 |
более 10 (более 100) |
7 |
запираемые : |
|
менее 0,3 (менее 15) |
|
0,3…10 (15…100) |
|
более 10 (более 100) |
|
Назначение прибора |
Условные обозначения |
симметричные: |
|
менее 0,3 (менее 15) |
5 |
0,3…10 (15…100) |
6 |
более 10 (более 100) |
9 |
Диоды туннельные и обращенные: |
|
усилительные |
1 |
генераторные |
2 |
переключательные |
3 |
обращенные |
4 |
Варикапы: |
|
подстрочные |
1 |
умножительные (варакторы) |
2 |
Стабилитроны, стабисторы и ограничители,с напряжением стабилизации, В: |
|
мощностью менее 0,3 Вт: |
|
менее 10 |
1 |
10…100 |
2 |
более 100 |
3 |
мощностью менее 0,3…5 Вт: |
|
менее 10 |
4 |
10…100 |
5 |
более 100 |
6 |
мощностью менее 5…10 Вт: |
|
менее 10 |
7 |
10…100 |
8 |
более 100 |
9 |
Транзисторы биполярные: |
|
маломощные с рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт: |
|
низкой
частоты (граничная частота
|
1 |
средней
частоты (граничная частота
|
2 |
высокой
и сверхвысокой частот (более
|
3 |
средней мощности (0,3…1,5) Вт: |
|
МГц)
МГц)
МГц)
Назначение прибора |
Условные обозначения |
низкой частоты (граничная частота МГц) |
4 |
средней частоты (граничная частота МГц) |
5 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц) |
6 |
большой мощности (более 1,5 Вт): |
|
низкой частоты (граничная частота МГц) |
7 |
средней частоты (граничная частота МГц) |
8 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц) |
9 |
Транзисторы полевые: |
|
малой мощности не более 0,3 Вт : |
|
низкой частоты (граничная частота МГц) |
1 |
средней частоты (граничная частота МГц) |
2 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц) |
3 |
средней мощности (0,3…1,5) Вт: |
|
низкой частоты (граничная частота МГц) |
4 |
средней частоты (граничная частота МГц) |
5 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц) |
6 |
большой мощности (более 1,5 Вт): |
|
низкой частоты (граничная частота МГц) |
7 |
средней частоты (граничная частота МГц) |
8 |
высокой и сверхвысокой частот (более МГц) |
9 |
Источники инфракрасного излучения: |
|
излучающие диоды |
1 |
излучающие модули |
2 |
Приборы визуального представления информации : |
|
светоизлучающие диоды |
3 |
знаковые индикаторы |
4 |
знаковое табло |
5 |
шкалы |
6 |
экраны |
7 |
Оптопары: |
|
резисторные |
Р |
Назначение прибора |
Условные обозначения |
диодные |
Д |
тиристорные |
У |
транзисторные |
Т |
Четвертый элемент. Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент. Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.
Примеры обозначения полупроводниковых приборов:
2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.
КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.
КТ937А – кремниевый биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотной (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А.
КП310А – кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А.