
- •Электроника Теоретический курс
- •140400 «Электроэнергетика и электротехника»
- •Оглавление
- •Глава 1 Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •Глава 2. Полупроводниковые диоды
- •Введение
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •1.1. Энергетические уровни и зоны
- •1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики
- •1.3. Собственная электропроводность полупроводников
- •1.4. Распределение электронов по энергетическим уровням
- •1.5. Примесная электропроводность полупроводников
- •1 .5.1. Донорные примеси
- •1 .5.2. Акцепторные примеси
- •1.6. Процессы переноса зарядов в полупроводниках
- •1.6.1. Дрейф носителей заряда
- •1.6.2. Диффузия носителей заряда
- •1.7. Электрические переходы
- •1.7.1. Электронно-дырочный переход
- •1.7.2. Вентильное свойство p–n-перехода
- •1.7.3. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
- •1.7.4. Виды пробоев p–n-перехода
- •1.7.5. Ёмкость р–n-перехода
- •1.7.6. Контакт «металл – полупроводник»
- •1.7.7. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
- •1.7.8. Гетеропереходы
- •1.7.9. Свойства омических переходов
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Общие сведения о диодах
- •2.2. Выпрямительные диоды
- •2.2.1. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Туннельные диоды
- •2.5. Обращенный диод
- •2.6. Диоды Шоттки
- •2.7. Варикапы
- •2.8. Стабилитроны
- •2.9. Стабисторы
- •2.10. Применение полупроводниковых диодов
- •2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления
- •2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
- •2.10.3. Однофазная мостовая схема
- •2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Структура и основные режимы работы
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3. Схемы включения транзистора
- •3 .3.1. Схема с общей базой
- •3.3.2. Схема с общим эмиттером
- •3.3.3. Схема с общим коллектором
- •3.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
- •3.4.2. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером
- •3.6. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •3.7. Режимы работы транзистора
- •3.8. Предельные режимы работы транзистора
- •3.9. Расчёт рабочего режима транзистора
- •3.10. Динамические характеристики транзистора
- •3.11. Режимы работы усилительных каскадов
- •3.11.1. Режим класса а
- •3.11.2. Режим класса в
- •3.11.3. Режим класса ав
- •3.11.4. Режим класса с
- •3.11.5. Режим класса d
- •3.12. Влияние температуры на работу усилительных каскадов
- •3.12.1. Схема эмиттерной стабилизации
- •3.12.2. Схема коллекторной стабилизации
- •3.13. Составной транзистор
- •3.14. Усилители постоянного тока
- •3.14.1. Дифференциальные усилители
- •3.14.2. Операционный усилитель
- •3.14.3. Схемотехника операционных усилителей
- •3.14.4. Основные схемы на операционных усилителях
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
- •4.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •4.3. Статические характеристики полевых транзисторов
- •4.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.5.1. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом
- •4.5.2. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом
- •4.5.3. Сравнение мдп- и биполярного транзистора
- •4.6. Комбинированные транзисторы
- •5. Тиристоры
- •5.1. Динисторы
- •5.2. Триодные тиристоры
- •5.2.1. Способы запирания тиристоров
- •Запираемые тиристоры
- •5.3. Симметричные тиристоры
- •5.4. Основные параметры тиристоров
- •5.5. Применение тиристоров
- •5.5.1. Управляемые выпрямители
- •5.5.2. Регуляторы переменного напряжения
- •6. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •6.1. Фотоэлектрические приборы на основе внешнего фотоэффекта
- •6.1.1. Фотоэлементы
- •6.1.2. Фотоэлектронные умножители
- •6.2. Фотоэлектрические приборы на основе внутреннего фотоэффекта
- •6.2.1. Фоторезисторы
- •6.2.2. Фотодиоды
- •6.2.3. Фототранзисторы
- •6.2.4. Фототиристоры
- •6.4. Оптоэлектронные устройства
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах
3.14.2. Операционный усилитель
Операционным усилителем называют усилитель постоянного тока, предназначенный для выполнения различного рода операций над аналоговыми сигналами при работе в схемах с отрицательной обратной связью.
Операционные усилители обладают большим и стабильным коэффициентом усиления напряжения, имеют дифференциальный вход с высоким входным сопротивлением и несимметричный выход с низким выходным сопротивлением, малым дрейфом нуля. То есть под операционным усилителем понимают высококачественный универсальный усилитель.
Условные обозначения операционных усилителей приведены на рис. 3.49. Один из входов, обозначенный знаком «+», называют неинвертирующим (прямым), так как сигнал на выходе и сигнал на этом входе имеют одинаковую полярность. Второй вход, обозначенный знаком «–» (его также обозначают знаком инверсии « о »), называют инвертирующим, так как сигнал на выходе по отношению к сигналу на этом входе имеет противоположную полярность. Помимо трех сигнальных контактов (двух входных и одного выходного) операционный усилитель содержит дополнительные контакты (обычно число контактов составляет 14 или 16).
Параметры операционного усилителя характеризуют его эксплуатационные возможности. Основными параметрами являются:
1.
Коэффициент
усиления напряжения без обратной связи
, показывающий, во сколько раз напряжение
на выходе превышает напряжение сигнала,
поданного на дифференциальный вход.
Типовое значение
= 105…106
.
2.
Коэффициент
ослабления синфазного сигнала
,
показывающий, во сколько раз дифференциальный
сигнал сильнее синфазного. Данный
параметр определяется свойствами
входного дифференциального каскада и
составляет 80…100 дБ.
3. Напряжение смещения нуля , представляющее собой постоянное напряжение определенной полярности, которое необходимо подать на вход при отсутствии входного сигнала, для того чтобы напряжение на выходе стало равным нулю. Наличие отклонения выходного напряжения от нуля обусловлено, хотя и малым, но неизбежным дисбалансом плеч дифференциального каскада.
Практически = 5…20 мВ.
4.
Температурный дрейф напряжения смещения
,
характеризует изменение напряжения
при изменении температуры и составляет
1
30
.
5.
Входное
сопротивление
для
дифференциального
сигнала.
Измеряется со стороны любого входа в
то время, когда другой вход соединен с
общим выводом. Величина
лежит в пределах сотен кОм – единиц
МОм.
6.
Входное
сопротивление для синфазного
сигнала.
Измеряется между соединенными вместе
входами операционного усилителя и
корпусом. Данное сопротивление на
несколько порядков больше, чем
сопротивление для дифференциального
сигнала.
7.
Выходное
сопротивление
. Величина выходного сопротивления для
операционного усилителя составляет
десятки – сотни Ом.
3.14.3. Схемотехника операционных усилителей
В
состав операционных усилителей входит
несколько каскадов. Наиболее простое
схемное решение имеет операционный
усилитель К140УД1 (рис. 3.50), изготовленный
на кремниевой пластине размером 1,1
1,1
мм и содержащий 9 транзисторов. Данная
схема обеспечивает сравнительно
невысокий коэффициент усиления
= 2000 , дает ослабление синфазного сигнала
=
60 дБ и имеет невысокое входное сопротивление
= 4 кОм.
Последующие разработки позволили улучшить параметры операционного усилителя за счет усложнения схемы. Так, например, в К140УД7 входное сопротивление составляет 400 кОм при входном токе 200 нА, коэффициент ослабления синфазного сигнала = 70 дБ.
П
ромышленностью
выпускается большое разнообразие
операционных усилителей, которые
разделяют на две группы: общего и частного
применения. Операционные усилители
частного применения разделяют на
быстродействующие (скорость нарастания
выходного напряжения
= 50…70
), прецизионные (обладают высоким
= 2000 , высоким
=120
дБ, малым
=
1 мВ), микромощные (питаются от источников
± 3 В и ± 6 В и потребляют ток менее 1 мА),
мощные (обеспечивают выходной ток до 1
А) и высоковольтные.