- •Электроника Теоретический курс
- •140400 «Электроэнергетика и электротехника»
- •Оглавление
- •Глава 1 Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •Глава 2. Полупроводниковые диоды
- •Введение
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •1.1. Энергетические уровни и зоны
- •1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики
- •1.3. Собственная электропроводность полупроводников
- •1.4. Распределение электронов по энергетическим уровням
- •1.5. Примесная электропроводность полупроводников
- •1 .5.1. Донорные примеси
- •1 .5.2. Акцепторные примеси
- •1.6. Процессы переноса зарядов в полупроводниках
- •1.6.1. Дрейф носителей заряда
- •1.6.2. Диффузия носителей заряда
- •1.7. Электрические переходы
- •1.7.1. Электронно-дырочный переход
- •1.7.2. Вентильное свойство p–n-перехода
- •1.7.3. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
- •1.7.4. Виды пробоев p–n-перехода
- •1.7.5. Ёмкость р–n-перехода
- •1.7.6. Контакт «металл – полупроводник»
- •1.7.7. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
- •1.7.8. Гетеропереходы
- •1.7.9. Свойства омических переходов
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Общие сведения о диодах
- •2.2. Выпрямительные диоды
- •2.2.1. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Туннельные диоды
- •2.5. Обращенный диод
- •2.6. Диоды Шоттки
- •2.7. Варикапы
- •2.8. Стабилитроны
- •2.9. Стабисторы
- •2.10. Применение полупроводниковых диодов
- •2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления
- •2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
- •2.10.3. Однофазная мостовая схема
- •2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Структура и основные режимы работы
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3. Схемы включения транзистора
- •3 .3.1. Схема с общей базой
- •3.3.2. Схема с общим эмиттером
- •3.3.3. Схема с общим коллектором
- •3.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
- •3.4.2. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером
- •3.6. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •3.7. Режимы работы транзистора
- •3.8. Предельные режимы работы транзистора
- •3.9. Расчёт рабочего режима транзистора
- •3.10. Динамические характеристики транзистора
- •3.11. Режимы работы усилительных каскадов
- •3.11.1. Режим класса а
- •3.11.2. Режим класса в
- •3.11.3. Режим класса ав
- •3.11.4. Режим класса с
- •3.11.5. Режим класса d
- •3.12. Влияние температуры на работу усилительных каскадов
- •3.12.1. Схема эмиттерной стабилизации
- •3.12.2. Схема коллекторной стабилизации
- •3.13. Составной транзистор
- •3.14. Усилители постоянного тока
- •3.14.1. Дифференциальные усилители
- •3.14.2. Операционный усилитель
- •3.14.3. Схемотехника операционных усилителей
- •3.14.4. Основные схемы на операционных усилителях
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
- •4.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •4.3. Статические характеристики полевых транзисторов
- •4.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.5.1. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом
- •4.5.2. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом
- •4.5.3. Сравнение мдп- и биполярного транзистора
- •4.6. Комбинированные транзисторы
- •5. Тиристоры
- •5.1. Динисторы
- •5.2. Триодные тиристоры
- •5.2.1. Способы запирания тиристоров
- •Запираемые тиристоры
- •5.3. Симметричные тиристоры
- •5.4. Основные параметры тиристоров
- •5.5. Применение тиристоров
- •5.5.1. Управляемые выпрямители
- •5.5.2. Регуляторы переменного напряжения
- •6. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •6.1. Фотоэлектрические приборы на основе внешнего фотоэффекта
- •6.1.1. Фотоэлементы
- •6.1.2. Фотоэлектронные умножители
- •6.2. Фотоэлектрические приборы на основе внутреннего фотоэффекта
- •6.2.1. Фоторезисторы
- •6.2.2. Фотодиоды
- •6.2.3. Фототранзисторы
- •6.2.4. Фототиристоры
- •6.4. Оптоэлектронные устройства
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах
2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
Эта
схема представляет собой два
однополупериодных выпрямителя, работающих
на общую нагрузку
и питающихся от находящихся в противофазе
ЭДС (рис. 2.24, а)
и
.
Для создания этих ЭДС в схеме является обязательным наличие трансформатора T с двумя полуобмотками на вторичной стороне, имеющими среднюю точку.
На рис. 2.24, б, в, г, д представлены временные диаграммы для двухполупериодной схемы выпрямителя со средней точкой.
В случае чисто активной нагрузки и с учетом допущений (п. 2.10.1) для рассматриваемой схемы имеют место следующие основные соотношения:
|
(2.21) |
Поскольку
мгновенное значение первичного тока
,
то очевидно, что он представляет собой
синусоиду, и следовательно,
,
где
=1,11 – коэффициент формы для синусоиды
Мощности трансформатора
=
|
(2.22) |
=
|
(2.23) |
=1,48 . |
(2.24) |
2.10.3. Однофазная мостовая схема
Схема
представляет собой мост из вентилей
VD1-VD4
(рис. 2. 25, а), в одну диагональ которого
включена нагрузка, а в другую – переменное
напряжение
. В положительном полупериоде
открыты
вентили VD1-VD3 ,
в отрицательном – VD2 -VD4 . Ток в нагрузке протекает в одном и том же направлении в течение обоих полупериодов, поэтому эта схема, так же как и предыдущая, относится к двухполупериодным схемам выпрямления.
Силовой
трансформатор здесь не является
принципиально необходимым и нужен
только для создания требуемой величины
напряжения
на входе выпрямителя, соответствующего
заданной величине выпрямленного
напряжения
, а также для обеспечения гальванической
развязки между питающей сетью и нагрузкой
выпрямителя.
На рис. 2.25, б, в, г, д представлены временные диаграммы для однофазной мостовой схемы выпрямителя.
Для этой схемы выпрямителя при условии допущений п. 2.10.1 справедливы следующие соотношения:
|
(2.25) |
,
|
(2.26) |
,
|
(2.27) |
, |
(2.28) |
|
(2.29) |
, |
(2.30) |
|
(2.31) |
|
(2.32) |
=
|
(2.33) |
=
|
(2.34) |
=1,23 . |
(2.35) |
Аналогичным образом строятся более сложные схемы многофазных выпрямителей.
2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения
Как уже отмечалось выше, применение стабилитронов связано с особенностью обратной ветви их вольт-амперной характеристики изменяться в большом диапазоне обратных токов при незначительном изменении напряжения на участке пробоя. Это свойство стабилитронов широко используется в устройствах, называемых стабилизаторами напряжения.
Т
аким
простейшим устройством является
параметрический стабилизатор постоянного
напряжения (рис. 2.26). При увеличении
входного напряжения
от нуля пропорционально возрастает
напряжение на нагрузке
. Когда входное напряжение достигнет
напряжения пробоя стабилитрона, он
открывается и в его цепи появляется ток
. Дальнейшее увеличение входного
напряжения приведёт лишь к увеличению
тока стабилитрона, а напряжение на нём,
а, следовательно, и напряжение на нагрузке
будут теперь оставаться почти неизменными,
а разница между входным напряжением и
выходным будет падать на балластном
сопротивлении
.
На
рис. 2.27 представлены:
вольт-амперная
характеристика стабилитрона (VD),
вольт-амперная характеристика
сопротивления нагрузки (
), их результирующая вольт-амперная
характеристика
),
вольт-амперная характеристика балластного
сопротивления (
и, наконец, суммарная вольт-амперная
характеристика всего устройства.
Поскольку
максимальное значение тока стабилитрона
ограничено его допустимым нагревом на
уровне
, то максимальное значение входного
напряжения ограничено величиной
. Минимальное значение входного
напряжения, очевидно, ограничено
напряжением пробоя стабилитрона
. Тогда за номинальное значение входного
напряжения
следует принять середину участка между
и
.
По
вольт-амперной характеристике находим,
соответственно,
и
, а середина между ними соответствует
. Очевидно, что при отклонении входного
напряжения на
, выходное напряжение изменится на
значительно меньшую величину
, т.е. имеет место стабилизация напряжения.
Качество стабилизатора напряжения
оценивается коэффициентом стабилизации
:
|
(2.36) |
Можно
показать, что
, т.е. коэффициент стабилизации
параметрического стабилизатора в
основном определяется соотношением
сопротивления балластного резистора
и сопротивления нагрузки
.
Контрольные вопросы
Что называется полупроводниковым диодом?
Какая область полупроводникового диода называется эмиттером?
Какая область полупроводникового диода называется базой?
Напишите уравнение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?
Как влияет повышение температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?
Перечислите и объясните отличия в свойствах и параметрах кремниевых и германиевых выпрямительных диодов.
Какие процессы происходят в базе диода в импульсном режиме работы?
Что такое стабилитрон?
Что такое туннельный диод?
Что такое обращенный диод?
Почему в варикапах используется только барьерная ёмкость и не используется диффузионная ёмкость?
Что такое выпрямитель?
Поясните принцип действия однофазного однополупериодного выпрямителя.
Поясните принцип действия однофазного двухполупериодного выпрямителя со средней точкой.
Поясните принцип действия однофазного мостового выпрямителя.
Что такое стабилизатор напряжения?

;
;
;
;
;
.
;
;
,
,
,
,
,
,