- •Электроника Теоретический курс
- •140400 «Электроэнергетика и электротехника»
- •Оглавление
- •Глава 1 Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •Глава 2. Полупроводниковые диоды
- •Введение
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •1.1. Энергетические уровни и зоны
- •1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики
- •1.3. Собственная электропроводность полупроводников
- •1.4. Распределение электронов по энергетическим уровням
- •1.5. Примесная электропроводность полупроводников
- •1 .5.1. Донорные примеси
- •1 .5.2. Акцепторные примеси
- •1.6. Процессы переноса зарядов в полупроводниках
- •1.6.1. Дрейф носителей заряда
- •1.6.2. Диффузия носителей заряда
- •1.7. Электрические переходы
- •1.7.1. Электронно-дырочный переход
- •1.7.2. Вентильное свойство p–n-перехода
- •1.7.3. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
- •1.7.4. Виды пробоев p–n-перехода
- •1.7.5. Ёмкость р–n-перехода
- •1.7.6. Контакт «металл – полупроводник»
- •1.7.7. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
- •1.7.8. Гетеропереходы
- •1.7.9. Свойства омических переходов
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Общие сведения о диодах
- •2.2. Выпрямительные диоды
- •2.2.1. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Туннельные диоды
- •2.5. Обращенный диод
- •2.6. Диоды Шоттки
- •2.7. Варикапы
- •2.8. Стабилитроны
- •2.9. Стабисторы
- •2.10. Применение полупроводниковых диодов
- •2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления
- •2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
- •2.10.3. Однофазная мостовая схема
- •2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Структура и основные режимы работы
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3. Схемы включения транзистора
- •3 .3.1. Схема с общей базой
- •3.3.2. Схема с общим эмиттером
- •3.3.3. Схема с общим коллектором
- •3.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
- •3.4.2. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером
- •3.6. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •3.7. Режимы работы транзистора
- •3.8. Предельные режимы работы транзистора
- •3.9. Расчёт рабочего режима транзистора
- •3.10. Динамические характеристики транзистора
- •3.11. Режимы работы усилительных каскадов
- •3.11.1. Режим класса а
- •3.11.2. Режим класса в
- •3.11.3. Режим класса ав
- •3.11.4. Режим класса с
- •3.11.5. Режим класса d
- •3.12. Влияние температуры на работу усилительных каскадов
- •3.12.1. Схема эмиттерной стабилизации
- •3.12.2. Схема коллекторной стабилизации
- •3.13. Составной транзистор
- •3.14. Усилители постоянного тока
- •3.14.1. Дифференциальные усилители
- •3.14.2. Операционный усилитель
- •3.14.3. Схемотехника операционных усилителей
- •3.14.4. Основные схемы на операционных усилителях
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
- •4.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •4.3. Статические характеристики полевых транзисторов
- •4.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.5.1. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом
- •4.5.2. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом
- •4.5.3. Сравнение мдп- и биполярного транзистора
- •4.6. Комбинированные транзисторы
- •5. Тиристоры
- •5.1. Динисторы
- •5.2. Триодные тиристоры
- •5.2.1. Способы запирания тиристоров
- •Запираемые тиристоры
- •5.3. Симметричные тиристоры
- •5.4. Основные параметры тиристоров
- •5.5. Применение тиристоров
- •5.5.1. Управляемые выпрямители
- •5.5.2. Регуляторы переменного напряжения
- •6. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •6.1. Фотоэлектрические приборы на основе внешнего фотоэффекта
- •6.1.1. Фотоэлементы
- •6.1.2. Фотоэлектронные умножители
- •6.2. Фотоэлектрические приборы на основе внутреннего фотоэффекта
- •6.2.1. Фоторезисторы
- •6.2.2. Фотодиоды
- •6.2.3. Фототранзисторы
- •6.2.4. Фототиристоры
- •6.4. Оптоэлектронные устройства
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах
2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления
Простейшей схемой выпрямителя является однофазная однополупериодная схема (рис. 2.23, а). Трансформатор Т играет двойную роль: он служит для подачи на вход выпрямителя ЭДС e2 , соответствующей заданной величине выпрямленного напряжения Ed , и обеспечивает гальваническую развязку цепи нагрузки и питающей сети. Параметры, относящиеся к цепи постоянного тока, то есть к выходной цепи выпрямителя, принято обозначать с индексом d (от английского слова direct – прямой): Rd – сопротивление нагрузки; ud – мгновенное значение выпрямленного напряжения; id – мгновенное значение выпрямленного тока.
Благодаря односторонней проводимости вентиля ток в цепи нагрузки будет протекать только в течение одной половины периода напряжения на вторичной обмотке трансформатора, что определяет и название этой схемы.
Соотношения между основными параметрами найдем при следующих допущениях:
Активным и индуктивным сопротивлением обмоток трансформатора пренебрегаем.
Нагрузка имеет чисто активный характер.
Вентиль VD идеальный.
Током намагничивания трансформатора пренебрегаем.
ЭДС обмотки трансформатора синусоидальна:
,
где
действующее
значение ЭДС ;
,
.
На
интервале 0…
ЭДС e2
будет иметь полярность, прямую по
отношению к вентилю VD
, вентиль открыт и в цепи нагрузки
протекает ток.
На интервале …2 ЭДС e2 имеет противоположную полярность, вентиль VD закрыт и ток нагрузки равен нулю.
Тогда мгновенное значение выпрямленного напряжения (рис. 2.23, в):
,
.
Постоянная составляющая выпрямленного напряжения:
.
(2.6)
Мгновенное
значение выпрямленного тока:
(рис.2.23, г).
Постоянная
составляющая выпрямленного тока:
.
Для данной схемы выпрямления среднее значение анодного тока вентиля :
.
Максимальное
значение анодного тока:
.
(2.7)
Максимальное значение обратного напряжения на вентиле:
|
(2.8) |
Спектр выпрямленного напряжения имеет вид (разложение в ряд Фурье):
|
(2.9) |
Коэффициент пульсаций, равный отношению амплитуды низшей (основной) гармоники пульсаций к среднему значению выпрямленного напряжения равен:
|
(2.10) |
Как видно, однополупериодная схема выпрямления имеет низкую эффективность из-за высокой пульсации выпрямленного напряжения.
Расчетная мощность трансформатора Т:
|
(2.11) |
где
и
– расчетная мощность первичной и
вторичной обмотки.
Действующее значение тока вторичной обмотки
|
(2.12) |
Тогда
=
может быть получена подстановкой
из выражения (2.12), а
из выражения (2.6):
|
(2.13) |
где
=
– мощность нагрузки.
Мощность
первичной обмотки трансформатора
=
, где
и
– действующие значения ЭДС и тока
первичной обмотки трансформатора;
находится как
=
, где
– коэффициент трансформации;
и
– число витков первичной и вторичной
обмоток трансформатора.
|
(2.14) |
где
мгновенное
значение первичного тока.
Из условия равенства намагничивающих сил первичной и вторичной обмоток трансформатора
|
(2.15) |
Находим
:
|
(2.16) |
Поскольку
протекает во вторичной обмотке
трансформатора только на интервале от
0 до
, а на интервале
он равен 0, то
|
(2.17) |
Графическое
изображение этой функции представлено
на рис. 2.23, е. Оно является зеркальным
отображением функции
(рис. 2.23, д), но масштабы их отличаются в
раз.
Подставляя значения (2.17) в выражение (2.14), получаем действующее значение первичного тока:
|
(2.18) |
Мощность первичной обмотки трансформатора
=
|
(2.19) |
Подставляя (2.19) и (2.13) в (2.11), получаем расчетную мощность трансформатора:
=3,06 . |
(2.20) |

.
.
.
,
=
.
=
,
=
.
.
.
.