
- •Электроника Теоретический курс
- •140400 «Электроэнергетика и электротехника»
- •Оглавление
- •Глава 1 Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •Глава 2. Полупроводниковые диоды
- •Введение
- •1. Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •1.1. Энергетические уровни и зоны
- •1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики
- •1.3. Собственная электропроводность полупроводников
- •1.4. Распределение электронов по энергетическим уровням
- •1.5. Примесная электропроводность полупроводников
- •1 .5.1. Донорные примеси
- •1 .5.2. Акцепторные примеси
- •1.6. Процессы переноса зарядов в полупроводниках
- •1.6.1. Дрейф носителей заряда
- •1.6.2. Диффузия носителей заряда
- •1.7. Электрические переходы
- •1.7.1. Электронно-дырочный переход
- •1.7.2. Вентильное свойство p–n-перехода
- •1.7.3. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
- •1.7.4. Виды пробоев p–n-перехода
- •1.7.5. Ёмкость р–n-перехода
- •1.7.6. Контакт «металл – полупроводник»
- •1.7.7. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
- •1.7.8. Гетеропереходы
- •1.7.9. Свойства омических переходов
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Общие сведения о диодах
- •2.2. Выпрямительные диоды
- •2.2.1. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Туннельные диоды
- •2.5. Обращенный диод
- •2.6. Диоды Шоттки
- •2.7. Варикапы
- •2.8. Стабилитроны
- •2.9. Стабисторы
- •2.10. Применение полупроводниковых диодов
- •2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления
- •2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
- •2.10.3. Однофазная мостовая схема
- •2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Структура и основные режимы работы
- •3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
- •3.3. Схемы включения транзистора
- •3 .3.1. Схема с общей базой
- •3.3.2. Схема с общим эмиттером
- •3.3.3. Схема с общим коллектором
- •3.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
- •3.4.2. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером
- •3.6. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •3.7. Режимы работы транзистора
- •3.8. Предельные режимы работы транзистора
- •3.9. Расчёт рабочего режима транзистора
- •3.10. Динамические характеристики транзистора
- •3.11. Режимы работы усилительных каскадов
- •3.11.1. Режим класса а
- •3.11.2. Режим класса в
- •3.11.3. Режим класса ав
- •3.11.4. Режим класса с
- •3.11.5. Режим класса d
- •3.12. Влияние температуры на работу усилительных каскадов
- •3.12.1. Схема эмиттерной стабилизации
- •3.12.2. Схема коллекторной стабилизации
- •3.13. Составной транзистор
- •3.14. Усилители постоянного тока
- •3.14.1. Дифференциальные усилители
- •3.14.2. Операционный усилитель
- •3.14.3. Схемотехника операционных усилителей
- •3.14.4. Основные схемы на операционных усилителях
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
- •4.2. Схемы включения полевых транзисторов
- •4.3. Статические характеристики полевых транзисторов
- •4.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.5.1. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом
- •4.5.2. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом
- •4.5.3. Сравнение мдп- и биполярного транзистора
- •4.6. Комбинированные транзисторы
- •5. Тиристоры
- •5.1. Динисторы
- •5.2. Триодные тиристоры
- •5.2.1. Способы запирания тиристоров
- •Запираемые тиристоры
- •5.3. Симметричные тиристоры
- •5.4. Основные параметры тиристоров
- •5.5. Применение тиристоров
- •5.5.1. Управляемые выпрямители
- •5.5.2. Регуляторы переменного напряжения
- •6. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •6.1. Фотоэлектрические приборы на основе внешнего фотоэффекта
- •6.1.1. Фотоэлементы
- •6.1.2. Фотоэлектронные умножители
- •6.2. Фотоэлектрические приборы на основе внутреннего фотоэффекта
- •6.2.1. Фоторезисторы
- •6.2.2. Фотодиоды
- •6.2.3. Фототранзисторы
- •6.2.4. Фототиристоры
- •6.4. Оптоэлектронные устройства
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах
Введение
Электроника представляет собой обширную область техники, базирующуюся на изучении физических явлений в полупроводниках, диэлектриках, вакууме, газе, плазме и т.д., для создания на их основе разнообразных изделий с электронными компонентами. Электроника прочно вошла в самые различные сферы нашей деятельности; область применения различных электронных устройств огромна – от наручных электронных часов до телевизора и радиоприемника; от электронного зажигания в автомобилях до сложнейших автоматических технологических линий; от бытовых нагревательных приборов (микроволновые печи) до сверхмощных компьютеров. С помощью специальных электронных устройств можно придать электродвигателям любые желаемые характеристики, обеспечить наиболее благоприятное протекание переходных процессов, преобразовать электрическую энергию из одного вида в другой и решать целый ряд таких задач, которые другими способами либо вообще не решаются, либо решаются со значительнысми затратами.
История развития электроники восходит к концу XIX – началу XX века. Первоначально она развивалась для удовлетворения потребностей, бурно развивающихся, средств связи для генерирования, усиления и преобразования электрических сигналов. Однако подлинный расцвет электроники начался после изобретения в 1948 году полупроводникового прибора – транзистора, технические характеристики которого значительно превосходили характеристики электронных ламп, применявшихся в электронных устройствах первого поколения. Так, транзисторы имеют значительно более высокие массогабаритные показатели, практически неограниченный срок службы, высокую механическую прочность, экономичность и ряд других достоинств.
Следующий этап повышения технического уровня элементной базы, а также, завершенных изделий электронной аппаратуры обусловлен переходом на интегральные микросхемы, что определило дальнейшее развитие и совершенствование технологических способов и процессов, общих для всех полупроводниковых приборов. Интегральная технология оказала глубокое влияние на все этапы разработки, изготовления и эксплуатации электронной аппаратуры. Электроника стала основой электронно-вычислительных машин, проникла в автоматические системы и устройства.
В электронике больших мощностей революционным моментом стало появление мощных полупроводниковых приборов: тиристоров, силовых диодов и транзисторов. На их основе стали разрабатываться разнообразные преобразовательные устройства для электромеханических систем и электроэнергетики. Развитие электроники бурными темпами продолжается и в настоящее время, что является мощным стимулом для прогресса во многих областях науки и техники.
Поскольку данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлению 140400.62 Электроэнергетика и электротехника. Последнее и предопределило круг рассматриваемых вопросов и объемы времени, отводимого на их рассмотрение. Во-первых, приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов. Во-вторых, особое внимание уделено особенностям и режимам работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, силовой электроники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем.