- •Глава 2 основы физики твердого тела
- •§4 Строение твердых тел
- •4.1. Кристаллическая решетка
- •В каждой сингонии имеется несколько решеток Браве. Решетка Браве для кубической сингонии приведены на рис. 4.3.
- •4.2. Понятие о жидких кристаллах
- •Классификация кристаллов по природе частиц и типам сил взаимодействия между ними
- •4.4. Деффекты в кристаллах
- •§5. Основы зонной теории твердых тел
- •5.1. Приближение сильной связи
- •5.2. Приближение слабой связи
- •5.3. Деление твердых тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •5.4 Движение электрона в кристалле под действием электрического поля. Эффективная масса.
- •§ 6. Металлы
- •6.1 Квантовая статистика электронов в металле.
- •6.2. Понятие о квантовой теории электропроводности металлов и сверхпроводимости
- •§7 Полупроводники
- •7.1 Собственные и примесные полупроводники.
- •7.2. Равновесные концентрации свободных носителей и положение уровня ферми в полупроводнике
- •7.3. Электропроводность полупроводников
- •7 .4. Эффект холла. Определение концентрации, подвижности и знака носителей заряда в полупроводнике
- •7.5. Неравновесная электропроводность полупроводников
- •Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношение эйнштейна между подвижностью и коэффициентом диффузии.
- •Уравнение непрерывности для полупроводника
- •§ 8 Контактные явления
- •8.1 Работа выхода электрона из металла и полупроводника
- •Термоэлектронная эмиссия
- •8.3. Контакт двух металлов. Внешняя и внутренняя разности потенциалов.
- •8.4. Термоэлектрические явления
- •Электронно-дырочный переход
- •8.5.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •8.5.2. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •8.5.3 Уравнение вольтамперной характеристики электронно-дырочного перехода.
- •8.5.4. Емкостные свойства электронно-дырочного перехода.
8.5.4. Емкостные свойства электронно-дырочного перехода.
При изменении внешнего напряжения изменяется толщина р-n перехода формулы (8.51), (8.68), вследствие чего меняются величины суммарных зарядов как неподвижных ионов примесей, так и подвижных зарядов. В связи с этим различают две составляющие емкости электронно-дырочного перехода – барьерную и диф-фузионную.
В резком несимметричном р+ - n переходе площадью поперечного сечения S объемный заряд ионов с учетом формул (8.49, 8.51 и 8.67) определяется выражением
.
(8.83)
При изменени напряжения на переходе происходит изменение толщины перехода, а соответственно и величины нескомпенсированного заряда ионов, что и обуславливает емкостный эффект.
Барьерную (или зарядовую) емкость р-n перехода найдем, взяв производную от выражения (8.83) по напряжению
(8.84)
Из выражения (8.84) следует, что барьерная емкость пропорциональна площади перехода, растет пр увеличении концентрации примесей и нелинейно зависит от внешнего напряжения. Возможность влияния на барьерную емкость р-n перехода внешнего напряжения лежит в основе его использования в качестве управляемого переменного конденсатора.
При прямом напряжении на переходе барьерная емкость шунтируется диффузионным током, поэтому р-n переход используется в качестве конденсатора только при обратном напряжении. Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения описывается выражением
,
(8.85)
где
.
На рис. 8.20 эта зависимость представлена кривой 1.
П
ри
подаче на несимметричный р-n
переход прямого напряжения в базе n-
области
за счет преимущественной инжекции в
нее дырок накапливается неравновесный
положительный заряд. Инжекция дырок в
базу вызывает поступление в нее из
внешней цепи такого же количества
электронов, создающих неравновесный
отрицательный заряд. Из-за инерционности
процессов
рекомбинации носителей в базе одновременно
могут существовать два неравновесных
разноименных заряда подвижных носителей.
При изменении прямого напряжения
меняются ток инжекции и ток во внешней
цепи, а следовательно, и величины
разноименных неравновесных зарядов,
созданных подвижными носителями.
При изменении обратного напряжения на переходе ток экстракции вызывает значительно меньшее изменение неравновесных зарядов разных знаков в базе, чем ток инжекции.
Таким образом, изменение неравновесного заряда подвижных носителей в базе за счет изменения внешнего напряжения свидетельствует о существовании еще одной емкости перехода.
Так как создание неравновесных зарядов подвижных носителей в основном обусловлено диффузионным током через переход, то вторую емкость называют диффузионной.
Для удобства сравнения барьерной и диффузной емкостей их условно считают составляющими емкости р-n перехода, включенными параллельно.
Неравновесный заряд в р-n переходе в случае толстой базы (Wn >> LP) равен произведению тока инжекции, созданного в основном дырками, на время жизни дырок; то есть
.
(8.86)
Подставив в формулу выражение (8.80), получим
(8.87)
Продифференцируем выражение (8.87) по U, тогда для диффузионной емкости получим выражение
(8.88)
В
случае
тонкой
базы (Wn
<<Lp)
диффузионная емкость определяется не
τp,
а временем пролета дырок через базу
,
которое меньше τp.
На рис. 8.20 прямая 2 представлена зависимость
диффузионной емкости от прямого
напряжения на переходе. Из сравнения
зависимостей 1 и 2 следует, что диффузионная
емкость значительно больше чем барьерная.
При обратных напряжениях диффузионная
емкость значительно меньше барьерной.
Диффузионная емкость характеризует инерционность р-n структуры при включении прямого напряжения. Для уменьшения инерционности р-n структуры уменьшают толщину базы Wn и время жизни неосновных носителей τp.
