схема
работает так же, как и области средних
частот. В дальней-
шем
по мере заряда C 2
входной
ток не меняется, а ток и напря-
жение
нагрузки уменьшаются. Для количественного
анализа сле-
дует
добавить к R H
операторное
сопротивление 1 (sC
2
)
.
В
обоих случаях из выражения (6.24) нетрудно
получить изоб-Глава 6. Усилители на биполярных транзисторах
ражение:
K u(s) = K u0
sτ
H ,1 + sτ H
(6.50)
в котором K u 0 – коэффициент усиления в области средних
частот, а постоянная времени τ H имеет вид:
τ
H 1 = C1 (R Г + R ВХ )для первой емкости и
(6.51)
(6.52)τ
H 2 = C 2 (R K + R H )для второй емкости.
Оригиналом изображения (6.50) является обычная экспонен-
циально спадающая функция
.(6.53)
Относительный спад вершины при достаточно коротком им-
K u (t ) = K u 0 e
−
t
τH
пульсе (t И 〈〈 τ Н ) выражается известной формулой:
∆U
ВЫХt(6.54)≈ И .
τHU ВЫХ
В случае транзисторных каскадов получить малый спад δ
δ=
часто нелегко, поскольку постоянные времени τ H 1 и τ H 2 можно
увеличивать только за счет емкостей. Последние должны иметь
очень большие величины, так как сопротивления R Г , R BX , R K и
R H обычно не превышают нескольких килоом. Как правило, кон-
– 101 –
Л.В.
Кропочева. «Усилительные устройства»
денсаторы
C1
и
C 2
должны
быть электролитическими с емкос-
тями
в десятки, а иногда и сотни микрофарад.
Частотные
характеристики, обусловленные переходными
кон-
денсаторами,
получаются из выражения (6.50) заменой
операто-
ра
s на jω :
"Ku
=
K
ω
1− j H
ω
(6.55)
Нижние граничные частоты ω H 1 и ω H 2 определяются как ве-
личины, обратные постоянным времени τ H 1 и τ H 2 . Сама частотная
характеристика имеет такой же вид, как и в ламповом каскаде.
Влияние блокирующей емкости в цепи эмиттера
Положим C
1 = ∞ и C 2 = ∞ и выясним роль C Э в переход-ном процессе. В первый момент после поступления входного сиг-
нала наличие C Э несущественно, и начальные значения токов и
напряжений такие же, как на средних частотах. По мере заряда
конденсатора C Э уменьшается эмиттерный ток; вместе с ним
уменьшаются ток базы и выходные величины. В пределе, когда
емкость C Э зарядится полностью и ток через нее сделается рав-
ным нулю, сопротивление в эмиттерной цепи будет равно R Э + rЭ
вместо начального значения rЭ . Очевидно, что ток базы и выход-
ные величины сильно уменьшаются за время переходного про-
цесса, но их конечные значения будут все же отличны от нуля. В
этом заключается принципиальная особенность влияния емкости
C Э по сравнению с влиянием емкостей C1 и C 2 . Постоянная вре-
мени переходного процесса равна произведению величины C Э на
суммарное шунтирующее ее сопротивление. Последнее представ-
– 102 –
