
- •Удельная ёмкость отношением ёмкости к объёму (или массе) диэлектрика
- •Диоды, стабилитроны. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Биполярные транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Транзисторы - Условное графическое обозначение транзисторов на схемах
- •Полевые транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.
- •Характеристики тиристоров
- •Принципы построения тиристорных регуляторов напряжения и мощности
- •Оптоэлектронные приборы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Аналоговые микросхемы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Влияние обратных связей на качественные характеристики усилителей.
- •Схемотехнические особенности усилителей постоянного тока
- •Требования к усилителям мощности
- •Двухтактные усилители мощности на биполярных транзисторах
- •Особенности работы транзистора в ключевом режиме
- •Операционные усилители. Схемные решения на операционных усилителях
- •Формирователи импульсов. Назначение, схемотехнические реализации.
- •Генераторы импульсов прямоугольной формы.
- •21. Логические элементы. Классификация, основные параметры, маркировка, условные обозначения.
- •Элемент и
- •Элемент или
- •Элемент не (инвертор)
- •Элемент и-не
- •Элемент или-не
- •Микросхемы с открытым коллектором
- •23.Схемы с трехстабильным выходом.
- •24. Триггерные устройства. Параметры, условные обозначения.
- •27. Шифраторы. Параметры, условные обозначения. Дешифраторы. Назначение, классификация, основные параметры, условные обозначения.
- •28. Мультиплексоры. Параметры, условные обозначения. Демультиплексоры. Назначение, классификация, основные параметры, условные обозначения
- •29. Цифровые компараторы. Параметры, условные обозначения
- •30. Методы преобразования аналоговых сигналов в цифровую форму.
- •31. Аналого-цифровые преобразователи. Назначение. Схемотехнические реализации, основные параметры, условные обозначения.
- •32. Цифроаналоговые преобразователи. Назначение. Схемотехнические реализации, основные параметры, условные обозначения.
- •Основные параметры и погрешности цап
- •33. Диодные выпрямители. Назначение. Принцип действия. Схемотехнические реализации
- •34. Сглаживающие фильтры. Назначение. Параметры. Схемотехнические реализации
- •35. Параметрические стабилизаторы напряжения. Основные параметры, принцип действия
- •36. Компенсационные стабилизаторы. Принцип действия, основные параметры.
- •37. Принцип построения импульсных стабилизаторов напряжения.
Принципы построения тиристорных регуляторов напряжения и мощности
Тиристорный регулятор мощности — это готовое устройство, электронная схема которого позволяет изменить подводимую к нагрузке мощность с помощью управляемой задержки включения тиристора на полупериоде переменного тока.
Тиристорный регулятор мощности по сути изготовлен из двух встречно-параллельно включённых тиристоров, радиатора, изолированного от силовой части, и гальванически отделённой схемы управления. Тиристорные регуляторы могут быть собраны по аналоговой схеме и по более сложной, с использованием микропроцессоров, цифровой схеме.
Тиристорный регулятор напряжения-предназначен для плавного изменения в сторону снижения действующего значения напряжения на нагрузке вручную или дистанционно в стандартной сети 220¸380 В, 50 Гц во всех фазах одновременно или на каждой фазе независимо. ТРН рассчитан на работу с активной (ТЭН) нагрузкой по схеме соединения «звезда с изолированной нейтралью», «звезда с глухозаземленной нейтралью» и «треугольник». Питающая сеть – с глухозаземленной нейтралью.
7
Оптоэлектронные приборы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
Оптоэлектронными приборами называют устройства, излучающие и преобразующие излучение в инфракрасной, видимой или ультрофиолетовой областях спектра или использующие для своей работы электомагнитные излучения, частоты которых находятся в этих областях.
Основными оптоэлектронными элементами являются:
· источники когерентного оптического излучения (полупроводниковый лазер);
· источники некогерентного оптического излучения (светоизлучающий диод);
· активные и пассивные оптические среды;
· приемники оптического излучения (фотодиод);
· оптические элементы (линза);
· волоконно-оптические элементы (волоконно-оптический жгут);
· интегрально-оптические элементы (интегрально-оптическое зеркало).
Оптрон
(оптопара)
— электронный прибор, состоящий из
излучателя света (обычно — светодиод)
и фотоприёмника
(
биполярных
и полевых фототранзисторов,
фотодиодов,
фототиристоров,
фоторезисторов),
связанных оптическим каналом и как
правило объединённых в общем корпусе.
Диодные оптопары (а) в большой степени, чем какие-либо: другие приборы, характеризуют уровень оптронной техники.
Транзисторные оптопары (c) рядом своих свойств выгодно отличаются от других видов оптронов. Это прежде всего схемотехническая гибкость, проявляющаяся в том, что коллекторным током можно управлять как по цепи светодиода (оптически), так и по базовой цепи (электрически), а также в том, что выходная цепь может работать и в линейном и в ключевом режиме. Механизм внутреннего усиления обеспечивает получение больших значений коэффициента передачи тока Кi, так что последующие усилительные каскады не всегда необходимы. Выходные токи фототранзисторов значительно выше, чем, например, у фотодиодов, что делает их пригодными для коммутации широкого круга электрических цепей.
Тиристорные оптопары (b) наиболее перспективны для коммутации сильноточных высоковольтных цепей: по сочетанию мощности, коммутируемой в нагрузке, и быстродействию они явно предпочтительнее Т2 -оптопар. Оптопары типа АОУ103 предназначены для использования в качестве бесконтактных ключевых элементов в различных радиоэлектронных схемах: в цепях управления, усилителях мощности, формирователях импульсов
Резисторные оптопары (d) принципиально отличаются от всех других видов оптопар физическими и конструктивно-технологическими особенностями, а также составом и значениями параметров.
В основе принципа действия фоторезистора лежит эффект фотопроводимости, т. е. изменения сопротивления полупроводника при освещении.
8