- •Удельная ёмкость отношением ёмкости к объёму (или массе) диэлектрика
- •Диоды, стабилитроны. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Биполярные транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Транзисторы - Условное графическое обозначение транзисторов на схемах
- •Полевые транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.
- •Характеристики тиристоров
- •Принципы построения тиристорных регуляторов напряжения и мощности
- •Оптоэлектронные приборы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Влияние обратных связей на качественные характеристики усилителей.
- •Схемотехнические особенности усилителей постоянного тока
- •Аналоговые микросхемы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения
- •Требования к усилителям мощности
- •Двухтактные усилители мощности на биполярных транзисторах
- •Особенности работы транзистора в ключевом режиме
- •Операционные усилители. Схемные решения на операционных усилителях
- •Формирователи импульсов. Назначение, схемотехнические реализации.
- •Генераторы импульсов прямоугольной формы.
- •21. Логические элементы. Классификация, основные параметры, маркировка, условные обозначения.
- •Элемент и
- •Элемент или
- •Элемент не (инвертор)
- •Элемент и-не
- •Элемент или-не
- •Микросхемы с открытым коллектором
- •23.Схемы с трехстабильным выходом.
- •24. Триггерные устройства. Параметры, условные обозначения.
- •27. Шифраторы. Параметры, условные обозначения. Дешифраторы. Назначение, классификация, основные параметры, условные обозначения.
- •28. Мультиплексоры. Параметры, условные обозначения. Демультиплексоры. Назначение, классификация, основные параметры, условные обозначения
- •29. Цифровые компараторы. Параметры, условные обозначения
- •30. Методы преобразования аналоговых сигналов в цифровую форму.
- •31. Аналого-цифровые преобразователи. Назначение. Схемотехнические реализации, основные параметры, условные обозначения.
- •32. Цифроаналоговые преобразователи. Назначение. Схемотехнические реализации, основные параметры, условные обозначения.
- •Основные параметры и погрешности цап
- •33. Диодные выпрямители. Назначение. Принцип действия. Схемотехнические реализации
- •34. Сглаживающие фильтры. Назначение. Параметры. Схемотехнические реализации
- •35. Параметрические стабилизаторы напряжения. Основные параметры, принцип действия
- •36. Компенсационные стабилизаторы. Принцип действия, основные параметры.
- •37. Принцип построения импульсных стабилизаторов напряжения.
Транзисторы - Условное графическое обозначение транзисторов на схемах
Рис.
1 - Условное графическое обозначение
биполярного транзистора структуры
n-p-n
На рисунке буква d означает
диаметр в мм. 1/3d и 2/3d соответственно
треть и две трети от диаметра.
Рис.
2 - Условное графическое обозначение
биполярного транзистора структуры
p-n-p
Рис.
9 - Обозначение транзистора с барьером
Шотки (транзистор Шотки)
Рис.
10 - Обозначение многоэмиттерного
транзистора
Транзистор с барьером
Шотки и многоэмиттерный транзистор
встречаются лишь в микроэлектронике.
Рис.
11 - Условное графическое обозначение
фототранзистора
4
Полевые транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками).
Классификация полевых транзисторов
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник, вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик —
полупроводник).
Рис.
3 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора с p-n-переходом и
каналом n-типа
Рис.
4 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора с p-n-переходом и
каналом p-типа
Рис.
5 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора со встроенным
p-каналом обедненного типа
Рис.
6 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора со встроенным
n-каналом обогащенного типа
Рис.
7 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора с индуцированным
p-каналом обогащенного типа
Рис.
8 - Условное графическое обозначение
полевого транзистора с индуцированным
n-каналом обогащенного типа
5
Тиристоры. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.
Тиристоры-полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n- переходами, прдназначенными для использования в качестве электронных ключей в схемах переключения электрических токов.
С
имистор
представляет собой тиристор, по своей
структуре подобный двум встречно-параллельным
тиристорам. Способен пропускать
электрический ток в обоих направлениях.
Характеристики тиристоров
Современные тиристоры изготовляют на токи от 1 мА до 10 кА; на напряжения от нескольких В до нескольких кВ; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 А/с, напряжения — 109 В/с, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мкс, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мкс; КПД достигает 99 %
Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами
.
Рис.4. Условное обозначение динисторов, тринисторов
6
