Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
elektronika_shpory_ispravlennoe_1.docx
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

Транзисторы - Условное графическое обозначение транзисторов на схемах

Рис. 1 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры n-p-n На рисунке буква d означает диаметр в мм. 1/3d и 2/3d соответственно треть и две трети от диаметра.

Рис. 2 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p

Рис. 9 - Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки)

Рис. 10 - Обозначение многоэмиттерного транзистора Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.

Рис. 11 - Условное графическое обозначение фототранзистора

4

Полевые транзисторы. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками).

Классификация полевых транзисторов

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник, вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик —

полупроводник). Рис. 3 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

Рис. 4 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

Рис. 5 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа

Рис. 6 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа

Рис. 7 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа

Рис. 8 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа

5

Тиристоры. Параметры, характеристики, условные графические обозначения.

Тиристоры-полупроводниковые приборы с тремя (или более) р-n- переходами, прдназначенными для использования в качестве электронных ключей в схемах переключения электрических токов.

С имистор представляет собой тиристор, по своей структуре подобный двум встречно-параллельным тиристорам. Способен пропускать электрический ток в обоих направлениях.

Характеристики тиристоров

Современные тиристоры изготовляют на токи от 1 мА до 10 кА; на напряжения от нескольких В до нескольких кВ; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 А/с, напряжения — 109 В/с, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мкс, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мкс; КПД достигает 99 %

Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами

.

Рис.4. Условное обозначение динисторов, тринисторов

6