- •Тема 1. Электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
- •1. Электрофизические свойства радиоматериалов
- •Общие сведения о строении вещества
- •Структура электронных оболочек атомов
- •2. Основные понятия зонной теории
- •3. Собственные и примесные полупроводники
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Тема 2. Электронно-дырочный переход.
- •1.Формирование р-п-перехода
- •5.Вольт-амперная характеристика р-п-перехода
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •1. Устройство полупроводниковых диодов
- •2. Вольт-амперная характеристика диода
- •Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
- •Дифференциальные параметры диода и емкости диода
- •5. Пробой диода.
- •Туннельный пробой.
- •Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
- •6. Вах диода при различных видах пробоя.
- •7.4 Стабилитроны.
- •7.5 Варикапы.
- •7.6 Туннельные диоды.
- •7.7 Фотодиоды.
- •7.8 Светоизлучающие диоды.
- •7.9 Оптопары. История
- •Основные определения
- •Отличительные особенности оптронов
- •Обобщенная структурная схема
- •Применение
- •Диодные оптопары
- •Транзисторные оптопары
- •Тиристорные оптопары
- •Резисторные оптопары
- •Дифференциальные оптопары для передачи аналогового сигнала
- •Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа
- •Тема 4. Биполярные транзсторы.
- •4.1 Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Принцип действия биполярного транзистора.
- •4.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •4.5 Работа биполярного транзистора в усилительном режиме
- •Графический анализ усилительного режима.
- •4.6 Основные параметры усилителя.
- •4.7 Импульсный режим работы биполярного транзистора
- •4.8 Разновидности биполярных транзисторов
- •Тема 5. Полевые транзисторы.
- •5.1 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Параметры полевых транзисторов.
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •5.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором.
4.5 Работа биполярного транзистора в усилительном режиме
Одним из основных применений транзистора является усиление электрических сигналов. Для этих целей транзистор может быть включен по одной из возможных схем: с ОБ, ОЭ или ОК.
Наиболее часто применяют включение по схеме с ОЭ. Схема простейшего усилителя приведена на рис. 4.25.
Она
содержит транзистор, в коллекторную
цепь которого включен резистор
,
а
в базовую — резистор
.
Эти резисторы служат для того, чтобы
обеспечить требуемый режим работы
транзистора по постоянному току.
Увеличивая сопротивление
можно
уменьшить постоянный ток базы
.
При
этом будет увеличиваться постоянное
напряжение
.
Увеличивая сопротивление
,
можно
уменьшать ток
,
вследствие чего произойдет увеличение
напряжения
.
Обычно
сопротивления
и
подбирают
(рассчитывают) так, чтобы выполнялось
условие
.
На
базу транзистора через конденсатор
подают
сигнал, подлежащий усилению. Наличие
на базе этого сигнала изменяет напряжение
и,
соответственно, ток
,
а также ток
и
напряжение
.
Если
режим работы по постоянному току выбран
правильно, то изменения напряжения
будут
в точности повторять изменения напряжения
,
но
с большей амплитудой, то есть произойдет
усиление напряжения сигнала. Усиленный
сигнал через конденсатор
поступает
на внешнюю нагрузку
,
которая
является получателем (потребителем)
сигнала. Функции внешней нагрузки в
конкретных устройствах может выполнять
громкоговоритель, реле, сигнальное
устройство, входное сопротивление
транзистора и т. д. Словом, любое
исполнительное устройство, для нормального
функционирования которого недостаточно
мощности источника сигнала. Транзистор
в этом случае является посредником
между источником сигнала и потребителем,
обеспечивая необходимую мощность
сигнала
Графический анализ усилительного режима.
Целью графического анализа является наглядное представление процессов в режиме усиления электрических сигналов.
На рис. 4.26, а показаны временные диаграммы токов и напряжений в базовой цепи.
На рис. 4.26, б показаны временные диаграммы токов и напряжений в коллекторной цепи.
Режим
работы по постоянному току определяется
резисторами
.
Для
этого в системе координат
строят нагрузочную линию коллекторной
цепи (рис. 4.26, б)
аналогично
тому, как это делалось при анализе
выпрямительного режима диода. Точки
пересечения этой линии с выходными
характеристиками определяют режим
работы коллекторной цепи при конкретном
значении тока базы. В качестве исходной
рабочей точки (ИРТ) выбирают пересечение
нагрузочной линии с той выходной
характеристикой, при которой выполняется
условие
(точка А'). Этой ИРТ соответствует ток
базы
.
Чтобы
обеспечить получение тока
,
в системе координат
строят нагрузочную линию цепи базы
(рис. 4.26, а).
Для
этого на входной характеристике
выделяют точку А (она является исходной
рабочей точкой базовой цепи (в этой
точке
)
и
проводят прямую линию, проходящую через
точки
.
Наклон этой линии определяет значение
сопротивления
.
После того как задан режим работы по постоянному току, строят графики временных зависимостей токов и напряжений, полагая входной сигнал синусоидальным.
Пусть
внешняя нагрузка отсутствует, а на базу
транзистора через разделительный
конденсатор
поступает
напряжение с амплитудой
,
изменяющее положение рабочей точки.
При положительной полуволне синусоидального
напряжения рабочая точка по входной
характеристике сдвигается вверх,
максимуму напряжения соответствует
точка В.
При отрицательной полуволне рабочая
точка сдвигается вниз, минимуму
напряжения соответствует точка С.
В результате ток базы изменяется с
амплитудой
.
Изменение
тока базы вызывает изменение положения
рабочей точки: она сдвигается вверх и
занимает положение В',
а при отрицательной полуволне сдвигается
вниз и занимает положение С'.
При этом ток коллектора изменяется с
амплитудой
,
а напряжение — с амплитудой
,
причем напряжение на коллекторе
находится в противофазе с напряжением
на базе.
При
наличии внешней нагрузки, подключенной
к коллектору через конденсатор,
нагрузочная линия изменяет свой наклон
(см. пунктир на рис. 4.26, б),
так
как сопротивление для переменного тока
уменьшается, оно становится равным
.
Подключение
внешней нагрузки не изменяет режим
работы транзистора по постоянному
току, поэтому нагрузочная линия при
наличии внешней нагрузки проходит через
ту же точку А',
но пересекает выходные характеристики,
соответствующие максимуму и минимуму
тока базы, в точках В"
и С".
Нетрудно понять, что при этом амплитуда
уменьшается,
а амплитуда
незначительно
возрастает. Одновременно с этим
уменьшается площадь заштрихованных
треугольников, определяющая выходную
мощность переменного тока
.
Определив с помощью графических построений амплитуды входных и выходных сигналов, можно рассчитать основные параметры усилителя.
