- •Тема 1. Электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
- •1. Электрофизические свойства радиоматериалов
- •Общие сведения о строении вещества
- •Структура электронных оболочек атомов
- •2. Основные понятия зонной теории
- •3. Собственные и примесные полупроводники
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Тема 2. Электронно-дырочный переход.
- •1.Формирование р-п-перехода
- •5.Вольт-амперная характеристика р-п-перехода
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •1. Устройство полупроводниковых диодов
- •2. Вольт-амперная характеристика диода
- •Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
- •Дифференциальные параметры диода и емкости диода
- •5. Пробой диода.
- •Туннельный пробой.
- •Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
- •6. Вах диода при различных видах пробоя.
- •7.4 Стабилитроны.
- •7.5 Варикапы.
- •7.6 Туннельные диоды.
- •7.7 Фотодиоды.
- •7.8 Светоизлучающие диоды.
- •7.9 Оптопары. История
- •Основные определения
- •Отличительные особенности оптронов
- •Обобщенная структурная схема
- •Применение
- •Диодные оптопары
- •Транзисторные оптопары
- •Тиристорные оптопары
- •Резисторные оптопары
- •Дифференциальные оптопары для передачи аналогового сигнала
- •Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа
- •Тема 4. Биполярные транзсторы.
- •4.1 Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Принцип действия биполярного транзистора.
- •4.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •4.5 Работа биполярного транзистора в усилительном режиме
- •Графический анализ усилительного режима.
- •4.6 Основные параметры усилителя.
- •4.7 Импульсный режим работы биполярного транзистора
- •4.8 Разновидности биполярных транзисторов
- •Тема 5. Полевые транзисторы.
- •5.1 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Параметры полевых транзисторов.
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •5.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора
Дифференциальные
параметры устанавливают взаимосвязь
между бесконечно малыми приращениями
токов и напряжений. Независимо от схемы
включения транзистор можно представить
в виде четырехполюсника (рис. 4.23), на
входе которого действуют напряжение
и
ток
а на выходе — напряжение и2
и
ток i2.
В
зависимости от схемы включения транзистора
величинам
будут
соответствовать те или иные реальные
токи и напряжения.
Например,
для схемы с ОЭ
Эти напряжения и токи взаимосвязаны нелинейными функциональными зависимостями, которые можно выразить либо аналитически в виде математических уравнений, либо графически в виде статических характеристик. Возможны шесть вариантов выбора независимых и зависимых переменных для описания функциональной связи токов и напряжений в четырехполюснике.
На практике применяют два из них — систему h-параметров и систему y-параметров.
Система h-параметров.
Если за независимые переменные принять ток i1, и напряжение и2, то функциональную связь токов и напряжений следует записать в форме
Полные дифференциалы этих функций запишутся в виде
Обозначим частные
производные перед независимыми
переменными в этой системе уравнений
символами
,
тогда уравнения четырехполюсника можно
записать в виде:
Отсюда вытекает смысл h-параметров:
На практике численные значения параметров определяют по статическим характеристикам транзистора, заменяя бесконечно малые приращения токов и напряжений конечными приращениями. Параметры зависят от схемы включения транзистора, что отмечается третьим индексом «э», «б» или «к», соответственно, для схем с ОЭ, ОБ или ОК. Покажем, как это делается, на примере схемы с ОЭ.
Параметры
определяют по входным характеристикам
транзистора.
Для
того чтобы в точке А определить параметр
,
строят
характеристический прямоугольный
треугольник, располагая точку А на
середине гипотенузы. Тогда катетами
треугольника будут приращения напряжения
и тока
.
При этом напряжение на коллекторе
сохраняется неизменным, то есть
выполняется условие
.
Численное значение параметра
определяется по формуле:
Для
определения параметра
надо располагать двумя входными
характеристиками, снятыми при
различных напряжениях икэ.
Через
точку А проводят горизонтальную
линию, которая пересекает две входных
характеристики. Отрезок АВ пропорционален
приращению напряжения
,
а приращение напряжения на коллекторе
равно разности напряжений, при которых
сняты входные характеристики, то
есть
Следовательно,
Параметры
определяют по выходным характеристикам
транзистора (рисунок ниже).
Для
того чтобы в точке А определить параметр
,
строят
характеристический треугольник,
располагая точку А на середине гипотенузы.
Тогда катетами треугольника будут
приращения напряжения
и тока
при выполнении условия
Численное
значение параметра определяют по
формуле:
Для
определения параметра
через точку А проводят вертикальную
линию, которая пересекает две соседних
выходных характеристики. Отрезок АВ
пропорционален приращению тока
,
а
приращение тока базы равно разности
токов, при которых сняты выходные
характеристики, то есть
.
Следовательно,
Аналогично определяются численные значения для схемы с ОБ.
