
- •Тема 1. Электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
- •1. Электрофизические свойства радиоматериалов
- •Общие сведения о строении вещества
- •Структура электронных оболочек атомов
- •2. Основные понятия зонной теории
- •3. Собственные и примесные полупроводники
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Тема 2. Электронно-дырочный переход.
- •1.Формирование р-п-перехода
- •5.Вольт-амперная характеристика р-п-перехода
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •1. Устройство полупроводниковых диодов
- •2. Вольт-амперная характеристика диода
- •Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
- •Дифференциальные параметры диода и емкости диода
- •5. Пробой диода.
- •Туннельный пробой.
- •Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
- •6. Вах диода при различных видах пробоя.
- •7.4 Стабилитроны.
- •7.5 Варикапы.
- •7.6 Туннельные диоды.
- •7.7 Фотодиоды.
- •7.8 Светоизлучающие диоды.
- •7.9 Оптопары. История
- •Основные определения
- •Отличительные особенности оптронов
- •Обобщенная структурная схема
- •Применение
- •Диодные оптопары
- •Транзисторные оптопары
- •Тиристорные оптопары
- •Резисторные оптопары
- •Дифференциальные оптопары для передачи аналогового сигнала
- •Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа
- •Тема 4. Биполярные транзсторы.
- •4.1 Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Принцип действия биполярного транзистора.
- •4.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •4.5 Работа биполярного транзистора в усилительном режиме
- •Графический анализ усилительного режима.
- •4.6 Основные параметры усилителя.
- •4.7 Импульсный режим работы биполярного транзистора
- •4.8 Разновидности биполярных транзисторов
- •Тема 5. Полевые транзисторы.
- •5.1 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Параметры полевых транзисторов.
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •5.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором.
7.9 Оптопары. История
Идея создания и применения оптронов относится к 1955 г., когда в работе Loebner E. E. "Optoelectronic devices network" была предложена целая серия приборов с оптическими и электрическими связями между элементами, что позволяло осуществлять усиление и спектральное преобразование световых сигналов, создавать приборы с двумя устойчивыми состояниями - бистабильные оптроны, оптоэлектронные устройства накопления и хранения информации логические схемы, регистры сдвига. Там же был предложен и термин "оптрон", образованный как сокращение от английского "optical-electronic device".
Описанные в этой работе оптроны, отлично иллюстрируя принципы, оказались непригодными для промышленной реализации, так как основывались на несовершенной элементарной базе - неэффективных и инерционных порошковых электролюминесцентных конденсаторах (излучатель) и фоторезисторах (приемник). Несовершенны были и важнейшие эксплуатационные характеристики приборов: низкотемпературная и временная стабильность параметров, недостаточная устойчивость к механическим воздействиям. Поэтому. на первых порах оптрон оставался лишь интересным научным достижением не находящим применения в технике.
Лишь в середине 60-х годов развития полупроводниковых светоизлучающих диодов и технологически совершенных высокоэффективных быстродействующих кремниевых фотоприемников с р - n-переходами (фотодиоды и фототранзисторы) начала создаваться элементарная база современной оптронной техники. К началу 70-х годов производство оптронов в ведущих странах мира превратилось в важную и быстро развивающуюся отрасль электронной техники, успешно дополняющую традиционную микроэлектронику.
Основные определения
Оптроны - такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом.
Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик.
Практически распространение получили лишь оптроны, у которых имеется прямая оптическая связь от излучателя к фотоприемнику и, как правило, исключены все виды электрической связи между этими элементами.
По степени сложности структурной схемы среди изделий оптронной техники выделяют две группы приборов. Оптопара (говорят также "элементарный оптрон") представляет собой оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. Оптоэлектронная интегральная микросхема представляет собой микросхему, состоящую из одной или нескольких оптопар и электрически соединенных с ними одного или нескольких согласующих или усилительных устройств.
Таким образом, в электронной цепи такой прибор выполняет функцию элемента связи, в котором в то же время осуществлена электрическая (гальваническая) развязка входа и выхода.