- •Тема 1. Электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
- •1. Электрофизические свойства радиоматериалов
- •Общие сведения о строении вещества
- •Структура электронных оболочек атомов
- •2. Основные понятия зонной теории
- •3. Собственные и примесные полупроводники
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Тема 2. Электронно-дырочный переход.
- •1.Формирование р-п-перехода
- •5.Вольт-амперная характеристика р-п-перехода
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •1. Устройство полупроводниковых диодов
- •2. Вольт-амперная характеристика диода
- •Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
- •Дифференциальные параметры диода и емкости диода
- •5. Пробой диода.
- •Туннельный пробой.
- •Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
- •6. Вах диода при различных видах пробоя.
- •7.4 Стабилитроны.
- •7.5 Варикапы.
- •7.6 Туннельные диоды.
- •7.7 Фотодиоды.
- •7.8 Светоизлучающие диоды.
- •7.9 Оптопары. История
- •Основные определения
- •Отличительные особенности оптронов
- •Обобщенная структурная схема
- •Применение
- •Диодные оптопары
- •Транзисторные оптопары
- •Тиристорные оптопары
- •Резисторные оптопары
- •Дифференциальные оптопары для передачи аналогового сигнала
- •Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа
- •Тема 4. Биполярные транзсторы.
- •4.1 Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Принцип действия биполярного транзистора.
- •4.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •4.5 Работа биполярного транзистора в усилительном режиме
- •Графический анализ усилительного режима.
- •4.6 Основные параметры усилителя.
- •4.7 Импульсный режим работы биполярного транзистора
- •4.8 Разновидности биполярных транзисторов
- •Тема 5. Полевые транзисторы.
- •5.1 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Параметры полевых транзисторов.
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •5.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором.
7.4 Стабилитроны.
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжений. Они работают в области лавинного или туннельного пробоя. Ниже перечислены основные параметры стабилитронов:
Напряжение стабилизации
— значение
напряжения на стабилитроне при заданном
токе стабилизации. Так как участок
пробоя вольт-амперной характеристики
проходит почти вертикально, то можно
считать, что
.
Напряжение стабилизации лежит в
пределах от 3,3 до 96 В.Максимальный ток стабилизации
ограничивается
максимально допустимой мощностью:
Минимальный ток стабилизации
определяется
гарантированной устойчивостью
состояния пробоя.Дифференциальное сопротивление
определяется при среднем токе
стабилизации:
Температурный коэффициент напряжения стабилизации
— относительное
изменение напряжения
стабилизации
при изменении температуры окружающей
среды на
(при лавинном характере пробоя коэффициент
положителен, при туннельном —
отрицателен, величина коэффициента
составляет 10-5..10-3
К-1):
На рис. 3.14, а представлена схема стабилизации напряжения, а на рис. 3.14, б показаны графики, иллюстрирующие работу схемы.
Для определения
токов и напряжений надо построить
вольт-амперную характеристику стабилитрона
(график 1), которая проходит практически
вертикально, вольт-амперную характеристику
нагрузки (график 2) и вольт-амперную
характеристику ограничительного
резистора (график 3). Пересечение графиков
1 и 3 определяет значение тока
,
потребляемого от источника питания
(точка А). Пересечение графиков 1 и 2
определяет значение тока нагрузки
(точка В).
Разность токов
равна току стабилитрона
.
Если сопротивление
нагрузки изменяется, то изменяется ток
.
При уменьшении
ток
возрастает (точка В опускается вниз), а
ток
уменьшается,
при этом положение точки А сохраняется
неизменным, то есть увеличение тока
нагрузки сопровождается уменьшением
тока стабилитрона, а потребление тока
от источника питания не зависит от
нагрузки.
Если изменяется
напряжение источника питания
,
то точка А
меняет свое положение. При уменьшении
(график 4) точка А поднимается вверх
(точка А'), то есть уменьшается потребление
тока
соответственно, уменьшается ток
,
а ток
сохраняется постоянным.
Параметры схемы выбирают так, чтобы при изменении нагрузки и напряжения источника питания выполнялись неравенства
Здесь
—
минимальное
и максимальное напряжения источника
питания;
- минимальный и
максимальный токи нагрузки.
Стабилитроны
широкого применения обладают сравнительно
высоким температурным коэффициентом
напряжения (
).
Более высокой температурной
стабильностью обладают прецизионные
стабилитроны,
в которых
последовательно соединены три
р-п-перехода.
Один из них — стабилизирующий — включен
в обратном направлении, два других —
термокомпенсирующих — включены в
прямом направлении. При повышении
температуры напряжение на стабилизирующем
переходе растет, а на термокомпенсирующих
переходах уменьшается, поэтому
результирующее напряжение на стабилитроне
изменяется незначительно и температурный
коэффициент получается около
.
Для стабилизации двухполярных напряжений и для защиты электрических цепей от перенапряжений обеих полярностей применяют двуханодные стабилитроны, которые имеют симметричную вольт-амперную характеристику. Такие стабилитроны изготовляют путем введения примесей в пластину кремния одновременно с двух сторон. При этом образуются два р-п-перехода, включенных встречно.
Для ограничения амплитуды импульсов напряжения разработаны импульсные стабилитроны. При мгновенном изменении напряжения нарастание лавины в них происходит за очень короткий промежуток времени (порядка 10-11 с). Это обстоятельство позволяет использовать импульсный стабилитрон в качестве инвертированного диода, в котором участок лавинного пробоя можно рассматривать как прямую ветвь вольт-амперной характеристики импульсного диода.
Разновидностью стабилитрона является стабистор — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики. Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет примерно 0,7 В. Для увеличения напряжения стабилизации используют последовательное соединение нескольких стабисторов, смонтированных в одном корпусе или сформированных в одном кристалле. Для увеличения крутизны прямой ветви вольт-амперной характеристики базу стабистора делают низкоомной. Из-за малого сопротивления базы толщина р-п-перехода оказывается очень небольшой, поэтому напряжение пробоя стабисторов не превышает нескольких вольт. Температурный коэффициент стабисторов отрицателен, то есть с повышением температуры прямая ветвь его характеристики сдвигается влево.
