Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Kiryakov_FT-490603.rtf
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
10.82 Mб
Скачать

1.3.5 Испарительные системы с лазером в качестве дополнительной энергии

Лазер также перспективен как источник дополнительной энергии в случае других методов вакуумного испарения. Один из возможных вариантов - использование лазера в качестве дополнительного источника энергии при электронно-лучевом или магнетронном методе испарения, так как в этих случаях в несколько раз увеличивается уровень ионизации, что позволяет

эффективнее вести технологический процесс получения пленок.

Есть возможность использовать в этих системах лазеры для активации поверхности подложек при конденсации, что повлечет за собой улучшение характеристик наносимых слоев.

1.4. Физические явления в процессе испарения

К вопросам взаимодействия лазерного излучения с веществом мы уже обращались в связи с рассмотрением в разд. 3, физических процессов при обработке материалов лазерным излучением, неоднократно обращались при описании ряда технологических операций. Здесь мы опять обратимся к рассмотрению этого вопроса еще раз, так как существует определенная специфика при взаимодействии лазерного луча с веществом в вакууме и меняется энергетика процесса за счет разлета продуктов взаимодействия в вакуум. К тому же от особенностей процессов испарения, разлета в вакуум, энергетических и пространственных характеристик лазерной плазмы (плазменного факела), частиц плазмы и продуктов эрозии при взаимодействии луча с веществом в основном зависят условия конденсации и, в конечном счете, свойства сконденсированных пленок.

В разд. 3 было указано, что в принципе механизм взаимодействия излучения с веществом проходит следующие стадии: поглощение света, передача энергии тепловым колебаниям решетки твердого тела, нагрев материала, плавление, разрушение материала за счет испарения или выброса расплава и остывание после окончания светового воздействия. Стадии нагрева, плавления или испарения материала определяются критическими (пороговыми) значениями энергетики лазерного излучения. Процесс нагрева ведется при плотности мощности воздействия, не превышающего порогового значения Iо1 (3.4), за которым наступает процесс плавления. Соответственно плавление ведется при Iо < Iо2 , где Iо2 (см.3.5) - пороговое значение энергии, за которым наступает испарение материала. И, наконец, процесс испарения происходит при значениях Iо < Iо3 , где Iо3 (см.3.6) -пороговое значение, после которого наступает интенсивное испарение.

Таким образом, при лазерном напылении пленок наблюдаются три основных физических процесса:

Во-первых, это процесс поглощения лазерного излучения, нагрев до температуры кипения поверхности и испарение некоторой дозы вещества. Рассматривая в предыдущих разделах процесс поглощения излучения и нагрева поверхности до стадии испарения, мы показали, что критической интенсивностью, достаточной для ощутимого испарения, будет величина Iо2, которая для разных материалов лежит в пределах 107-108 Вт/см2 (см. табл. 3). И действительно, в ряде работ (например, [15]) было показано, что лишь при Iо2 > 106 Вт/см2 в энергетическом балансе роль процесса испарения будет превышать теплопроводность. В этом случае (согласно теории развитого испарения) температура испаряющейся поверхности

Ти.п будет превышать температуру кипения Тк.

Рис. 7.5. Зависимость температуры поверхности: а - мишени; б - скорости

испарения от интенсивности лазерного облучения; 1- Pb; 2 - Al; 3 - Fe

На рис.7.5 представлены зависимости Тс и скорости испарения и (ухода частиц пара с поверхности) от интенсивности лазерного излучения Iо для трех элементов. Приведенные на рисунках данные показывают, что величина и при Iо = 107 Вт/см2 равна 1,2102 для Fe и 2102 см/с для Al и превышает скорости испарения даже для сублимирующихся материалов (имеющими наибольшие скорости испарения при Т = Тп) почти на 4-5 порядков.

Поскольку при испарении Т > Тп, то это означает, что испарение идет с поверхности расплава. Поэтому следует стремиться к более высоким значениям Тс, а для того чтобы уменьшить вероятность выбросов расплава в результате развития тепловых неустойчивостей, длительность импульсов должна быть как можно меньше.

Во-вторых, - это процесс поглощения излучения в продуктах испарения. Вид частиц, их относительное количество в продуктах испарения зависит от температуры испаряющейся поверхности. Из рис.7.5,а видно, что весь диапазон температур испарения лежит в области 103 -104 К, а следовательно, температура пара также имеет этот диапазон. Величина ионизации частиц пара зависит от температуры по экспоненциальному закону с большим показателем. Следовательно, в продуктах испарения, помимо нейтральных атомов, находятся ионы, электроны, а также частицы конденсированной фазы (капельные образования). Последние образуются либо за счет процесса конденсации пара на подлете, либо за счет объемного кипения.

Каждая составляющая пара будет поглощать излучение. В начальный момент взаимодействия с мишенью образующийся пар имеет малую плотность и слабо поглощает излучение. С течением времени возрастает масса испарившегося вещества и, наконец, наступает момент, когда поглощение энергии излучения начинает превышать затраты энергии на расширение пара (в процессе разлета), при этом резко возрастает температура пара. В результате лавинообразно увеличивается ионизация паров, после чего следует вспышка поглощения. Происходит экранировка испаряющейся поверхности, прекращается доступ излучения на мишень. К этому моменту образующаяся плазма имеет температуру не ниже 10 эВ,

а при разлете в вакуум за счет газодинамического и электростатического разгона кинетическая энергия ионов возрастает вплоть до 1000 эВ.

На рис.7.6 показан энергетический спектр, типичный для режима испарения. Из рисунка видно, что плазма имеет в своем составе наиболее быстрые ионы с Еi > 1000 эВ и основную массу с энергией в диапазоне от 10 до 25 эВ. При обычных плотностях энергии излучения Iо от 1012 до 1013 Вт/м3 (соответствует работе лазеров в режиме РМД) эрозионный поток состоит из высокоэнергетических частиц (одно- и многозарядных, z = 4, с энергией 100-1000 эВ) и из низкоэнергетической нейтральной части, которая по объему составляет 50-70%, и имеет в среднем энергию 8-15 эВ.

Рис. 7.6. Энергетический спектр частиц

продуктов испарения (их количества)

( и = 10-8 с, Iо = 109 Вт/см2 )

Нужно помнить, что все скоростные и энергетические характеристики плазмы непосредственно влияют на состояние и свойства конденсатов.

В-третьих, - это процесс конденсации продуктов испарения на подложке, который во многом определяется энергией частиц пара. По своему действию на поверхностные слои подложки или пленки частицы можно разделить на две группы: частицы с Ei < 25 эВ, не образующие дефектов в пленке, и частицы с высокой энергией, которые, выбивая атомы из поверхностного слоя, по сути, являются дефектообразующими. Отсюда ясно, что использование только медленных ионов позволяет получать бездефектные пленочные структуры, а использование быстрых - обеспечивает интенсивную генерацию вакансий и дефектов в приповерхностном слое, за счет которых увеличивается дисперсность структуры конденсатов.

Воздействие плазмы на подложку вместе с отраженным излучением от мишени приводит к интенсивному нагреву поверхности подложки. Поэтому скорость конденсации паров будет определяться температурой, которую проще ограничить при импульсном режиме облучения. В этом случае достижимые мгновенные скорости напыления по составляют 106 Ао /с, что на много порядков превышает п в других методах.

И, наконец, физика процессов испарения в результате взаимодействия луча с веществом при уровне плотности потока выше критического

(Iо > Iо2) имеет самостоятельный физический интерес.

При Iо > 1013 Вт/м2 повышается плотность образующейся плазмы и продуктов эрозии. В результате чего резко возрастает доля поглощаемой энергии, то есть возрастает внутренняя энергия плазмы, ее газодинамическое давление начинает существенно влиять на условия испарения и конденсации.

Рассмотрим структуру плазменного факела в пространстве, определяемом размерами радиуса сфокусированного пятна rг . Примерная схема структуры изображена на рис.7.7.

Рис. 7.7. Структура плазменного факела:

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]