
- •Тема 1.1 основні поняття в колах постійного струму. Закон ома та правила кірхгофа
- •1.1.2. Закон ома
- •1.1.3 Правила кірхгофа
- •1.2.2 Розрахунок розгалуджених кіл методом двох вузлів
- •1.2.3 Розрахунок розгалуджених кіл методом правил кірхгофа
- •Тема 1.3 розрахунок розгалуджених кіл методом накладання та контурних струмів.
- •1.3.2 Розрахунок розгалуджених кіл методом контурних струмів
- •1.3.3 Баланс потужностей
- •Тема 2.1 основні поняття і параметри в колах синусоїдного струму. Подання синусоїдних величин комплексними числами
- •Зображення синусоїдних величин векторами на площині
- •2.1.3 Загальні відомості про комплексні числа
- •Тема 2.2 нерозгалуджене коло змінного струму
- •2.2.2 Індуктивність в колі синусоїдного струму
- •2.2.3 Ємність у колі синусоїдної напруги
- •2.2.4 Котушка індуктивності у колі синусоїдної напуги
- •2.2.5 Послідовне з’єднаня r, c
- •2.2.6 Послідовне зєднання r, l, с
- •Тема 2.3 розгалудене коло зміного струму. Потужність в колі змінного струму
- •2.3.2 Закон ома та правила кірхгофа у комплексній формі
- •2.3.3 Розрахунок кіл змінного струму комплексним методом
- •Потужність в колі змінного струму
- •Тема 2.4 електричне коло з періодичними несинусоїдні струмами
- •2.4.1 Періодичні несинусоїдні струми
- •2.4.2 Електричні фільтри
- •2.4.1 Періодичні несинусоїдні струми
- •2.4.2 Електричні фільтри
- •Тема 2.5 трифазний струм
- •2.5.2 З'єднання трифазної системи зіркою
- •2.5.3 З'єднання трифазної системи трикутником
- •2.5.4 Потужність у трифазному колі
- •Тема 3.1 магнітне поле. Магнітні властивості речовини
- •Феромагнетики та їх властивості
- •3.1.3. Магнітні матеріали I їх застосування
- •Тема 3.2 магнітні кола
- •3.2.2 Аналогія між магнітним та електричним колами
- •3.2.3 Методи розрахунку магнітного кола
- •Тема 3.3 нелінійні кола
- •3.3.2 Електричні кола змінного струму з нелінійним резистивним елементом
- •3.3.2 Електричні кола змінного струму з нелінійною індуктивністю. Дроселі. Магнітні прискорювачі.
- •Тема 4.1 перехідні роцеси
- •4.1.2 Закони комутації
- •4.1.3 Підключення rl-кола до джерела постійної напруги
- •Підключення rс-кола до джерела постійної напруги
- •Тема 4.2 кола з розподіленими параметрами
- •Параметри однорідної лінії
- •Рівняння однорідної лінії
- •4.2.1 Параметри однорідної лінії
- •4.2.2. Рівняня однорідної лінії. Види ліній
- •Тема 5.1 напівпровідникові діоди
- •5.1.2 Власна й домішкова провідність напівпровідників
- •5.1.3 Призначення та класифікація електронних приладів
- •5.1.4 Напівпровідникові діоди
- •5.1.5 Кремнієвий стабілітрон та варикап
- •Тема 5.2 напівпровідникові транзистори
- •Польові танзистори
- •5.2.2.1 Польовий транзистор з керованим переходом
- •5.2.2.2 Польовий транзистор з ізольованим затвором
- •5.2.3 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •Тема 5.3 різновиди напівпровідникових приладів
- •5.3.2 Виромінювальні діоди
- •5.3. Напівпровідникові лазери
- •5.3.4 Фотоелектричні прилади
- •5.3.5 Терморезистори
- •Тема 5.4 технічні основи мікроелектроніки. Інтегральні мікросхеми
- •5.4.2 Особливості інтегральних схем
- •5.4.3 Класифікація інтегральних мікросхем
- •Про автора
- •Теорія електричних та магнітних кіл
- •18000, М. Черкаси, вул. Смілянська, 2
Тема 5.4 технічні основи мікроелектроніки. Інтегральні мікросхеми
План лекції
5.4.1 Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
5.4.2 Особливості інтегральних схем
5.4.3 Класифікація інтегральних схем
5.4.1 ОСНОВНІ ТЕРМІНИ І ВИЗНАЧЕННЯ У МІКРОЕЛЕКТРОНІЦІ
Мікроелектроніка – це науково-технічний напрям електроніки, який охоплює проблеми дослідження, конструювання і виготовлення високо надійних і економічних мікромініатюрних електронних схем та пристроїв фізичними, хімічними, схемотехнічними та іншими методами.
Першим завданням мікроелектроніки є створення максимально надійних електронних схем та пристроїв.
Другим завданням мікроелектроніки є зниження вартості електронних схем та пристроїв.
Інтегральна мікросхема (ІМС) – це електронний пристрій, який виконує певну функцію перетворення, обробки та накопичення інформації і має високу щільність розміщення неподільно виконаних елементів чи компонентів, які електрично зв’язані між собою таким чином, що з огляду технічних вимог, випробувань, торгівлі та експлуатації пристрій розглядається як єдиний виріб. ІМС виготовляють в єдиному технологічному циклі (одночасно) на одній і тій самій несучій конструкції (підкладці або напівпровідниковій пластині).
Елемент ІМС – це сформована в єдиному технологічному процесі частина ІМС, яка реалізує функцію одного з електрорадіоелементів (транзистора, конденсатора), виконана неподільно від кристала або підкладки і не може бути виділена як самостійний виріб з вимогами до випробувань, приймання, поставки та експлуатації.
Компонент ІМС – це частина ІМС, яка реалізує функцію одного з електрорадіоелементів або їх сукупності і за вимогами до випробувань, приймання, поставки та експлуатації може бути виділена як самостійний виріб. Підкладка ІМС – це конструктивна та функціональна частина ІМС, виготовлене з напівпровідникового або діелектричного матеріалу і призначена для формування на її поверхні елементів ІМС, між елементних та між компонентних з'єднань та контактних площинок.
Напівпровідникова пластина – це заготовка з напівпровідникового матеріалу (круглий диск), яку використовують для виготовлення ІМС.
Кристал ІМС – це конструктивно виділена частина напівпровідникової пластини, в об’ємі та на поверхні якої сформовані елементи напівпровідникової ІМС, між елементні з’єднання, а по периметру – контактні площинки. Кристали ІМС одержують після закінчення повного технологічного циклу формування елементів та різання напівпровідникової пластини, яка складається із сотень однотипних кристалів. У кристалі формуються функціонально закінчені напівпровідникові ІМС. В іноземній літературі їх називають чипами.
Контактна площинка – це металізована ділянка на кристалі, яка служить для приєднання зовнішніх виводів ІМС, контактів навісних компонентів, а також для контролю її електричних параметрів та режимів.
Корпус ІМС – це частина конструкції, яка захищає кристал від зовнішнього впливу і забезпечує з’єднання ІМС із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів.
Мікроскладанням називають мікроелектронні вироби, які складаються з елементів, компонентів, ІМС та інших електрорадіоелементів, з’єднаних між собою певним способом для виконання певної функції, і розробляються з метою поліпшення її показників і мініатюризації. З мікро складань формують мікроблоки.
Мікроблок – мікроелектронний виріб, який, крім мікро складань, може мати ІМС та інші компоненти у різних поєднаннях.
Тип ІМС – ІМС конкретного функціонального призначення і певного конструктивно-технологічного та схемно-технічного вирішення, що має своє умовне позначення.
Типономінал ІМС – ІМС конкретного типу, що відрізняються від інших мікросхем того ж типу одним або кілкома параметрами та вимогами до зовнішніх діючих факторів.
Серія ІМС – сукупність типів ІМС, які виконують різні функції, але мають єдину конструктивно-технологічну та електричну будову, а у разі потреби – інформаційну та програмну сумісність, і призначені для сумісного застосування. Усі ІМС однієї серії мають однаковий корпус.
Група типів ІМС – це сукупність типів ІМС у межах однієї серії, які мають аналогічне функціональне призначення та принцип дії, властивості яких описуються однаковими за складом електричними параметрами.