3.5. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью одного резистора

1. Собрать схему, представленную на рисунке 11.

Рисунок 11 – Схема для исследования параметров рабочей точки

2. Включить схему, записать показания приборов.

3. Рассчитать ток базы I_Б, ток коллектора I_К, напряжение коллектор-эмиттер U_КЭ.

4. Представить письменные пояснения, сравнить расчетные данные с экспериментальными.

5. На графике семейства выходных характеристик транзистора, полученных в пункте 3.4, построить нагрузочную прямую по постоянному току. Привести в отчете письменные пояснения с расчетами.

6. Используя записанные показания приборов, определить рабочую точку на нагрузочной линии и отметить ее положение на графике. Дать письменные пояснения.

7. Рассчитать величину сопротивления R_БН, при котором транзистор перейдет в режим насыщения.

8. Установить в схеме R_Б = R_БН, включить схему и записать показания приборов. Определить, находится ли транзистор в режиме насыщения. Если режим насыщения достигнут, записать показания приборов и дать письменные пояснения. Если режим насыщения не наблюдается, изменением номинала резистора R_Б добиться перевода транзистора в режим насыщения, записать показания приборов и представить письменные пояснения.

9. Изменением номинала резистора R_Б добиться перевода транзистора в режим отсечки, записать показания приборов и представить письменные пояснения.

23