- •Розділ і. Аналітичний огляд
- •1.1. Мікроскопічна теорія термічного розширення
- •1.2. Феноменологічна теорія теплового розширення
- •1.3. Рентгенівський метод дослідження теплового розширення твердих тіл
- •1.4. Тензор термічного розширення
- •1.5. Методика рентгенографування при низьких температурах
- •Розділ іі. Результати дослідження та їх обговорення
- •2.1. Діаграма стану системи In-Se
- •2.2. Рентгеноструктурні дослідження сполуки In1,03Se0,97
- •2.3. Термічне розширення сполуки In1,03Se0,97
- •Висновки
- •Література
- •Техніка безпеки при рентгенографічних дослідженнях Правила при роботі на рентгенівських установках
Розділ іі. Результати дослідження та їх обговорення
2.1. Діаграма стану системи In-Se
Вперше діаграма стану In-Se була побудована в роботі [9] методами термічного і рентгенівського аналізів, а потім тими ж авторами уточнена в роботі [10], де, крім згаданих методів, були застосовані металографічний метод і метод вимірювання мікротвердості (рис 3).
В роботі [11] підтверджено існування в системі In-Se сполук In2Se, In2Se3 і InSe, і вказано, при цьому, на можливість існування нової сполуки In5Se6. Таким чином, з селеном може утворюватись чотири сполуки: In2Se (33,3 ат. % Se), InSe (50 ат. % Se), In5Se6 (54,4 ат. % Se) та In2Se3 (60 ат. % Se) [12].
Всі селеніди індію володіють напівпровідниковими властивостями. Однією із особливостей цих сполук є різко виражена анізотропія властивостей, зумовлена шаруватістю структури і анізотропією хімічного зв’язку. Зв’язок між атомами всередині шарів має в основному ковалентний характер, а між шарами є слабкий зв’язок Ван-дер-Ваальса.
Рис. 3. Діаграма стану In-Se.
2.2. Рентгеноструктурні дослідження сполуки In1,03Se0,97
Для вивчення ступеня структурної досконалості досліджуваного кристалу In1,03Se0,97, проводилось його дослідження методом Берга-Барета в Сu Кα випромінюванні при симетричній схемі дифракції. Характерна топограма наведена на рис. 4. Вхідна поверхня (001), площина відбивання (0 0 12).
Рис. 4. Топограграфічна картина зразка In1,03Se0,97.
Як видно із представленого рисунку для In1,03Se0,97 спостерігаються окремі рефлекси, що свідчать про блочність структури.
Рис. 5 відображає вплив відпалу зразків на структурну досконалість (Твідпалу=400 °С).
Рис. 5. Топограграфічна картина зразка In1,03Se0,97 (Твідпалу=400 °С).
Як слідує із представленої топограми, структурна досконалість покращується, але напруги в кристалі не зникають, оскільки спостерігається уширення дифракційних ліній.
Було також проведено дослідження структурної досконалості кристалів по методу Лауе в W-випромінюванні (суцільний спектр, площина відбивання (001)). Характерна епіграма наведена на рис. 6.
Рис. 6. Епіграма зразка In1,03Se0,97 ( W - випромінювання).
Як видно з епіграми In1,03Se0,97 кристали володіють віссю 6го порядку, політипів не спостерігається (дифракційні п’ятна одинарні). На рис. 7 ілюструється епіграма відпаленого селеніду індію.
Рис. 7. Епіграма відпаленого зразка In1,03Se0,97 ( W - випромінювання).
Порівнюючи лауеграми відпаленого і невідпаленого зразків видно, що відпал супроводжується покращенням структури зразків, що проявляється в набагато чіткішій дифракційній картині.
Отже, представлений зразок має блочну структуру, а уширення дифракційних ліній свідчить про наявність напруг.
Для проведення ідентифікації і фазового аналізу цих зразків, були проведені дослідження методом Дебая-Шерерра.
На рис. 8, 9 наведені дебаєграми досліджуваних зразків In1,03Se0,97, отриманих в Cu Kα випромінюванні.
Рис. 8. Рентгенограма In1,03Se0,97 (фільтр Ni).
Рис. 9. Рентгенограма In1,03Se0,97 (без фільтра).
Оскільки для даної структури правила заборони відсутні, то для теоретичного розрахунку кутів дифракції, інтенсивностей дифракційних максимумів та міжплощинних відстаней була використана програма PowderCell [13].
Результати проведених розрахунків представлено в додатку 2.
Експериментальні значення кутів дифракції θ, інтенсивностей дифракційних максимумів (оцінених по п’ятибальній шкалі) та, відповідно, теоретично розрахованих (див. додаток 2), міжплощинних відстаней dHKL та індексів Міллера HKL для In1,03Se0,97, наведені в таблиці 1. Вимірювання відстаней між дифракційними максимумами на дебаєграмах проводилось за допомогою компаратора. Поправки на зміщення дифракційних максимумів в залежності від товщини циліндричних зразків враховувались згідно методики [14].
Таблиця 1. Числові значення кутів дифракції θ, dHKL та HKL для In1,03Se0,97.
№ п/п |
Івим. |
Ітеор. |
Θ |
Sinθ |
DHKL, Ǻ |
HKL |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
1 |
2 |
12 |
5,604 |
0,0977 |
7,89 |
002 |
2 |
3 |
– |
10,115 |
0,1756 |
4,39 |
003 |
3 |
5 |
231 |
10,817 |
0,1877 |
4,107 |
004 |
4 |
2 |
122 |
13,426 |
0,2322 |
3,32 |
101 |
5 |
1 |
42 |
15,634 |
0,2695 |
2,86 |
103 |
6 |
3 |
13 |
16,337 |
0,2813 |
2,74 |
006 |
7 |
2 |
45 |
18,849 |
0,3231 |
2,39 |
105 |
8 |
1 |
– |
19,552 |
0,3347 |
2,30 |
007 |
9 |
1 |
2 |
20,356 |
0,3479 |
2,22 |
106 |
10 |
3 |
2 |
21,865 |
0,3724 |
2,07 |
008 |
11 |
3 |
113 |
22,870 |
0,3886 |
1,98 |
110 |
12 |
3 |
51 |
25,385 |
0,4287 |
1,798 |
114 |
13 |
1 |
0,27 |
26,894 |
0,4523 |
1,70 |
202 |
14 |
1 |
4 |
28,404 |
0,4757 |
1,62 |
116 |
15 |
2 |
17 |
30,418 |
0,5063 |
1,52 |
205 |
16 |
2 |
1 |
32,432 |
0,5363 |
1,44 |
118 |
17 |
4 |
107 |
33,943 |
0,5564 |
1,38 |
0 0 12 |
18 |
1 |
0,14 |
36,461 |
0,5943 |
1,297 |
212 |
19 |
1 |
0,32 |
37,670 |
0,6111 |
1,26 |
209 |
20 |
2 |
5 |
37,972 |
0,6153 |
1,25 |
214 |
21 |
1 |
9 |
39,484 |
0,6359 |
1,21 |
215 |
22 |
1 |
0,48 |
40,895 |
0,6547 |
1,177 |
216 |
23 |
1 |
0,14 |
42,306 |
0,6731 |
1,145 |
302 |
24 |
5 |
0 |
43,011 |
0,6820 |
1,13 |
303 |
25 |
1 |
0,15 |
44,120 |
0,6962 |
1,107 |
218 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
26 |
2 |
1,87 |
45,329 |
0,7112 |
1,084 |
2 0 12 |
27 |
2 |
0,85 |
49,461 |
0,7599 |
1,014 |
308 |
28 |
3 |
0 |
57,118 |
0,8398 |
0,918 |
3 0 11 |
29 |
3 |
0,24 |
60,643 |
0,8716 |
0,88 |
2 1 14 |
30 |
2 |
8 |
66,680 |
0,9183 |
0,84 |
405 |
31 |
2 |
– |
71,706 |
0,9495 |
0,812 |
3 1 11 |
Порівнюючи отримані дані таблиці 1 із літературними даними [15] видно, що досліджувані зразки – це InSe, оскільки зміщення дифракційних максимумів для In1,03Se0,97 та InSe не спостерігається. Для більш точної відповіді необхідно провести дослідження методом зворотної з’йомки (камера типу КРОС).
