
- •§ 1.1. Основные определения
- •§ 1.2. Идеализированные пассивные элементы
- •§ 1.3. Идеализированные активные элементы
- •§ 1.4. Топология цепей
- •§ 2.3. Идеализированные пассивные элементы
- •§ 2.4. Анализ простейших линейных цепей при гармоническом воздействии
- •§ 2.5. Энергетические процессы в простейших цепях
- •§ 2.6. Преобразования электрических цепей
- •§ 2.7. Цепи с взаимной индуктивностью Понятие взаимной индуктивности
- •§ 3.1. Комплексные частотные характеристики
- •§ 3.2. Последовательный колебательный контур
- •§ 3.3. Параллельный колебательный контур
- •§ 3.4. Связанные колебательные контуры
- •§ 4.1. Методы формирования уравнений электрического равновесия цепи
- •§ 4.2. Основные теоремы теории цепей
- •§ 4.3. Метод сигнальных графов Общие представления о сигнальных графах
- •§ 5.1. Задача анализа нелинейных
- •§ 5.2. Графические методы анализа
- •§ 5.3. Аппроксимация характеристик
- •§ 5.4. Нелинейные резистивные элементы
- •§ 6.1. Задача анализа переходных процессов
- •§ 6.2. Классическии метод анализа
- •§ 6.3. Операторный метод анализа
- •§ 6.4. Операторные характеристики в.06,96?
- •§ 6.5. Временные характеристики линейных цепей
- •§ 6.6. Применение принципа наложения
- •§ 7.1. Задача машинного анализа цепей
- •§ 7.2. Методы формирования уравнений электрического
- •§ 7.3. Выбор методов формирования
- •§ 8.1. Многополюсники и цепи
- •§ 8.2. Основные уравнения и системы первичных параметров проходных четырехполюсников
- •§ 8.3. Характеристические параметры и комплексные частотные характеристики неавтономных проходных четырехполюсников
- •§ 9.1. Задача синтеза линейных
- •§ 9.2. Основные свойства и критерии физической реализуемости операторных входных характеристик линейных пассивных цепей
- •§ 9.3. Методы реализации реактивных двухполюсников
- •§ 9.4. Основы синтеза линейных
- •§ 10.1. Задача анализа цепей
- •§ 10.2. Однородная длинная линия
- •§ 10.3. Операторные и комплексные частотные характеристики однородных длинных линии
- •§ 10.4. Переходные процессы в цепях
- •§ 10.5. Цепи с распределенными
§ 2.3. Идеализированные пассивные элементы
ПРИ ГАРМОНИЧЕСКОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
Сопротивление
Пусть к идеализированному резистивному элементу сопротивле- ' нию (см. рис. 1.2) приложено напряжение, изменяющееся по гармоническому закону (рис. 2.9, а):
uR VWR cos (м -f т|?„). - (2.61)
Рис.
2.9. Временное диаграммы напряжения
(а), тока (б)
и мгновенной мощности (в) сопротивле-
Связь между мгновенными значениями тока и напряжение линейного сопротивления определяется законом Ома (1.9). Подставляя (2.61) в (1.9), находим
Ir = ur/R = [V2UR cos (wt+qjVR.
(2.62)
Из выражения (2.62) видно, что при гармоническом внешнем воздействии ток сопротивления является гармонической функцией времени той же частоты, что и напряжение (рис. 2.9, б). В общем случае гармонический ток через сопротивление
{н =- V2/д cos (ц>/ + 'М- (2-63)
Сравнивая выражения (2.62) и (2.63), устанавливаем, что ток и напряжение линейного сопротивления совпадают по фазе
а действующие значения напряжения и тока связаны между собой соотношением /я = Ur/R, подобным закону Ома для мгновенных значений. Мгновенная мощность сопротивления определяется произведением мгновенных значений напряжения ыд и тока iR:
Pr = UrIr = 2UrIr cos2 (at + \p).
Выражая- cos2 (at + гр) через косинус двойного угла, получаем выражение для мгновенной мощности сопротивления
Pr — URIR 4~ UrIr cos 2 (at 4* (2.64)
Из выражения (2.64) следует, что мгновенная мощность сопротивления содержит две составляющие: постоянную, равную произведению действующих значений напряжения и тока, и переменную, изменяющуюся во времени по гармоническому закону с частотой, удвоенной по сравнению с частотой воздействующего напряжения (рис. 2.9, в). Максимальное значение мгновенной мощности сопротивления равно 2UrIr, а минимальное — нулю.
В связи с тем что ток и напряжение сопротивления имеют одинаковые начальные фазы, они одновременно достигают максимальных значений и одновременно проходят через нуль (рис. 2.9, а, б). Мгновенная мощность сопротивления всегда положительна, причем она обращается в нуль в точках, где ток и напряжение равны нулю, и достигает максимума в моменты времени, когда токи напряжение максимальны по абсолютному значению.
Среднее
значение мощности сопротивления за
период называется активной
мощностью и равно произведению
действующих значений напряжения и
тока:
7 Т
PA = Pcv^~^PRdt = U^Ir J [1 f cos 2 (at+ \j?)]dt=: U RIR. о 0
Активная мощность численно равна постоянной составляющей мгновенной мощности и характеризует среднюю за период скорость потребления сопротивлением энергии от источника.
Комплексные ток и напряжение сопротивления iR = IRe^i =
_ Ur е/i))u И (jR — (jRe№u имеют одинаковые аргументы и отличаются по модулю в Я раз. На комплексной плоскости UR и /н изображаются векторами, которые совпадают по направлению и отличаются только масштабом (рис. 2.10, а).
1т
UH
1т
Im
if
Я
0
Re
*
Re
0
а1
6)
б)
Рис.
2.10. Векторные диаграммы для тока и
напряжения (а),
комплексного
сопротивления (б)
и комплексной проводимости (в)
сопротивления
Комплексное сопротивление ZR идеализированного резистивного элемента — сопротивления равно отношению комплексных действующих значений напряжения и тока:
Рис.
2.11. Комплексная схема замещения
участка цепи, содержащего сопротивление
Представляя комплексное сопротивление ZR в показательной и алгебраической формах
ZR= zR^R=^rR+\xR (2.66)
и сравнивая (2.65) с (2.66), устанавливаем, что модуль комплексного сопротивления равен zR = Ur/Ir =-- R, его аргумент <ря = г|>и — г|5; =
= 0 и что комплексное входное сопротивление ZR идеализированного резистивного элемента сопротивления содержит только вещественную составляющую: rR — R, xR = 0.
На комплексной плоскости ZR изображается вектором, направленным вдоль вещественной оси (рис. 2.10, б). Комплексная проводимость сопротивления YR = 1IZR = MR также изображается вектором, направление которого совпадает с направлением положительной вещественной полуоси (рис. 2.10, в).
Комплексная схема замещения сопротивления (рис. 2.11) имеет такой же вид, как и эквивалентная схема для мгновенных значений (см. рис. 1.2), и отличается от нее только тем, что мгновенные значения тока iR и напряжения ын заменены их комплексными изображениями /д и Uh.
Емкость
Рассмотрим емкость (см. рис. 1.5), к которой приложено напряжение, изменяющееся по гармоническому закону:
и с = К2 и с COS (at + 1|)и).
Используя выражение (1.13), найдем
du~ ,
ic=C = —«>СУ2 f/c sin (Ш-j-t|iu) =
dt
= |/2 <3)CUccos ((of-t-ярц + я/2). (2.67)
Как видно из (2.67), ток емкости изменяется по гармоническому закону
ic = V~2IC COS (<йt + lpi)>
причем начальная фаза тока на я/2 больше начальной фазы напряжения: = ярц + я/2, т. е. ток емкости опережает по фазе напряжение
на 90° (рис. 2.12, а).
Действующее значение тока емкости пропорционально действующему значению напряжения: Ic = a>CUc.
Мгновенная мощность емкости рс при гармоническом воздействии изменяется по гармоническому закону с частотой в два раза большей частоты воздействующего напряжения (рис. 2.12, б):
рс — — fV" 2fJс cos (u>t ipu)] [У2/с cos (at i])u -f- Jt/2)] =
— —2UCIC cos (ш^+'фц) sin (w^+\pu)= —U cl с sin 2 (a>t + ipu). (2.68)
pA=a±.^pcdt = 0. (2.69)
о
Энергия wc, запасенная в емкости, определяется в соответствии с выражением (1.18), приложенным к ней напряжением:
Wc=Cuc/2 =
--- Cf/ccos2(at + ^>ц) -=
= CUh [ 1 + cos 2 (at + г|зи)]/2.
(2.70)
В)
жения, тока (а), мощности (б) и энер- ная составляющая энергии из-
гии (в) емкости меняется во времени по гармо
ническому закону с частотой, равной 2ш (рис. 2.12, в). Энергия емкости достигает максимального значения в те моменты времени, когда напряжение на емкости максимально по абсолютному значению; при уменьшении (по абсолютному значению) напряжения на емкости запасенная в ней энергия уменьшается и становится равной нулю в моменты времени, когда напряжение на емкости равно нулю. Таким образом, емкость периодически обменивается энергией с остальной частью цепи, причем энергия, запасенная в емкости, является неотрицательной величиной. Емкость не содержит внутренних источников энергии и поэтому в процессе разрядки не может отдать больше энергии, чем она получила от остальной части цепи в процессе зарядки.
|
Im |
Im |
7г/г\Уис |
0 |
|
s? i и |
||
|
|
lc=-j/(uO=jxc « |
J ' Яе |
|
|
a1 |
|
Si |
Yc=ju)C
jbc
'\&=я/2
д)
Рис..
2.13. Векторные диаграммы тока и напряжения
(а), комплексного сопротивления (б),
а также комплексной проводимости (в)
емкости
йе
иг
I
сыСе-/"/2
--= 1 /(/шС) = - //((оС) (2.71)
(2.72)Сравнивая
(2.71) и (2.72) с показательной и алгебраической
формами записи комплексных
-7 !<(Г
Zc
—
zce
•опротивления и проводимости /с
= гс + /лгс?; Yc = yce ^c = gc + jbc, находим : одул и, аргументы, вещественные и мнимые составляющие входных ■опротивления и проводимости емкости: zc = 1/(соС); ус = <оС; т>с = —я/2; #с = л/2; gc = гс = 0; = — 1/ (юС); Ьс = <*>С.
На комплексной плоскости Zc и Ус изображают векторами, направ- ;енными соответственно вдоль отрицательной и положительной мни- лых полуосей (рис. 2.13, б, в). Комплексная схема замещения емкости фиведена на рис. 2.14.
Индуктивность
Найдем напряжение uL на индуктивности (см. рис. 1.7), ток которой изменяется по гармоническому закону:
iL = cos (at + грг). (2.73)
Связь между мгновенными значениями тока и напряжения индуктивности определяется выражением (1.22). Подставляя (2.73) в (1.22), юлучаем
uL — L —— = — aL У 2 II sin (at + ij?;) =
dt
89(2.74)
Как видно из (2.74), напряжение индуктивности, находящейся под гармоническим воздействием, является гармонической функцией- времени, имеющей ту же частоту, что и воздействующий ток (рис. 2.15, а):
иь = У 2 UL COS ((i>t + 'фи)-
причем начальная фаза напряжения на я/2 больше начальной фазы тока + я/2.
Действующее значение напряжения на индуктивности пропорционально действующему значению тока
UL = аЫь.
Также, как и мгновенная мощность емкости, мгновенная мощность индуктивности ръ при гармоническом воздействии изменяется по
Рис.
2.15. Временные диаграммы тока и
напряжения (а), комплексного сопротивления
(б), а также комплексной проводимости
(в) индуктивности
Pl = uLiL =
= lV2UL cos (соt + г|зи)] X X [ У2IL cos (юt + гр()1 =
= — UjJl sin 2 (at + грг). (2.75)
В связи с тем что в индуктивности отсутствует преобразование электрической энергии в другие виды энергии, активная мощность индуктивности равна нулю: РА —
1 ^
= - J pLdt = 0.
Энергия wL, запасенная в магнитном поле индуктивности, определяется мгновенным значением тока индуктивности:
Li2 Llf
wL = — = -y-l 1 + cos 2(at+tyi)].
Также, как и мгновенная энергия емкости, мгновенная энергия индуктивности содержит постоянную и переменную составляющие, причем переменная составляющая изменяется во времени по гармоническому закону с частотой 2а (рис. 2.15, в).
Вследствие того что емкость и индуктивность являются дуальными элементами, процессы, имеющие место в этих элементах при гармоническом воздействии, описываются подобными по структуре аналитическими выражениями, а временнйе диаграммы для индуктивности подобны временным диаграммам для емкости и могут быть получены из последних путем замены напряжения на ток, а емкости на индуктивность.
Комплексный ток /L и комплексное напряжение UL индуктивности
определяются выражениями
(2.76)
UL=ULe>^ = wLILei(^+nl2) (2.77)
^/Ъ=-1ТП
'Yc-j/b>L~jbL
в)
|
Im |
|
Im |
wv/'a |
|
|
a |
1т
Re
б)
Рис.
2.16. Векторные диаграммы для тока и
напряжения (д), комплексного сопротивления
(б)
и комплексной проводимости (в)
индуктивности
Используя выражения (2.76), (2.77), находим комплексное сопротивление ZL и комплексную проводимость Y_L индуктивности:
ZL = ULltL = ojL eW2 = /(oL; (2.78)
= е- /«/ 2/(<aL) = 1 /(/<oL) = — //((oL). (2.79)
Сравнивая (2.78) и (2.79) с показательной и алгебраической формами записи комплексных сопротивления и проводимости: ZL =
/<р
Zi,e L = rr, + jxl; Уь = ^z,e = + j^L,
получаем вещественную и мнимую части, модули и аргументы комплексного сопротивления и комплексной проводимости индуктивности: zL — mL\ уь = 1/ (®L); = я/2; = —я/2;
gi rL ■= 0; ==- ®L; =■ —1/ (wL).
Рис.
2.17. Комплексная схема замещения
индуктивности
Таким образом, комплексные сопротивления и проводимости идеализирован1 иых пассивных элементов линейных цепей не зависят от амплитуды (действующего значения) и начальной фазы внешнего воздействия и определяются только параметрами соответствующих элементов и частотой виешиего воздействия.