
- •§ 1.1. Основные определения
- •§ 1.2. Идеализированные пассивные элементы
- •§ 1.3. Идеализированные активные элементы
- •§ 1.4. Топология цепей
- •§ 2.3. Идеализированные пассивные элементы
- •§ 2.4. Анализ простейших линейных цепей при гармоническом воздействии
- •§ 2.5. Энергетические процессы в простейших цепях
- •§ 2.6. Преобразования электрических цепей
- •§ 2.7. Цепи с взаимной индуктивностью Понятие взаимной индуктивности
- •§ 3.1. Комплексные частотные характеристики
- •§ 3.2. Последовательный колебательный контур
- •§ 3.3. Параллельный колебательный контур
- •§ 3.4. Связанные колебательные контуры
- •§ 4.1. Методы формирования уравнений электрического равновесия цепи
- •§ 4.2. Основные теоремы теории цепей
- •§ 4.3. Метод сигнальных графов Общие представления о сигнальных графах
- •§ 5.1. Задача анализа нелинейных
- •§ 5.2. Графические методы анализа
- •§ 5.3. Аппроксимация характеристик
- •§ 5.4. Нелинейные резистивные элементы
- •§ 6.1. Задача анализа переходных процессов
- •§ 6.2. Классическии метод анализа
- •§ 6.3. Операторный метод анализа
- •§ 6.4. Операторные характеристики в.06,96?
- •§ 6.5. Временные характеристики линейных цепей
- •§ 6.6. Применение принципа наложения
- •§ 7.1. Задача машинного анализа цепей
- •§ 7.2. Методы формирования уравнений электрического
- •§ 7.3. Выбор методов формирования
- •§ 8.1. Многополюсники и цепи
- •§ 8.2. Основные уравнения и системы первичных параметров проходных четырехполюсников
- •§ 8.3. Характеристические параметры и комплексные частотные характеристики неавтономных проходных четырехполюсников
- •§ 9.1. Задача синтеза линейных
- •§ 9.2. Основные свойства и критерии физической реализуемости операторных входных характеристик линейных пассивных цепей
- •§ 9.3. Методы реализации реактивных двухполюсников
- •§ 9.4. Основы синтеза линейных
- •§ 10.1. Задача анализа цепей
- •§ 10.2. Однородная длинная линия
- •§ 10.3. Операторные и комплексные частотные характеристики однородных длинных линии
- •§ 10.4. Переходные процессы в цепях
- •§ 10.5. Цепи с распределенными
§ 3.3. Параллельный колебательный контур
Виды параллельных колебательных контуров.
Схемы замещения
Параллельным
колебательным контуром называется
электрическая цепь, в которой индуктивные
катушки и конденсаторы размещены в
двух ветвях, подключенных параллельно
источнику энергии. Принципиальные
электрические схемы параллельных
колебательных контуров различных видов
приведены на рис. 3.28.
неполным
включени-
-о—
Г
-о-
а)
Рис. 3.28. Принципиальные электрические схемы параллельных колебательных контуров: а — основного вида; б — второго вида; в — третьего вида
ем
индуктивности)
вида содержит в одной ветви индуктивную
катушку Llt
а
в другой ветви конденсатор С
и индуктивную катушку L2
(рис.
3.28, б); параллельный колебательный
контур 3-го (с неполным
включением емкости)
вида содержит в одной ветви индуктивную
катушку L
и
конденсатор С2)
а в другой — только конденсатор Сх
(рис. 3.28, е)1>.
Рис.
3.29. Эквивалентные схемы параллельного
колебательного контура осиовиого
вида, полученные при использовании
параллельных схем замещения элементов
Рис.
3.30. Эквивалентные схемы параллельного
колебательного ковдура основного
вида, полученные при использовании
последовательных схем замещения
элементов
источника энергии, индуктивной катушки и конденсатора, получим один из вариантов эквивалентной схемы контура (рис. 3.29, а). Ограничим рассмотрение случаем, когда элементы контура имеют высокую добротность, при этом зависимостью Lnap от частоты можно пренебречь и в соответствии с (3.21), (3.22) считать, что параметры реак
тивных элементов параллельной и последовательной схем замещения индуктивной катушки и конденсатора одинаковы:
Lnaj>=Lnoc — L', Спар=С1юс=С. (3.72)
Заменяя сопротивления потерь одним элементом
G~ 1/#Спар+ 1/Rl пар (3.73)
и пренебрегая внутренней проводимостью источника энергии, преобразуем рассмотренную схему в простейшую схему замещения (рис. 3.29, б).
Если каждый из пассивных элементов контура заменить последовательной схемой замещения, то при тех же допущениях получим несколько более сложную эквивалентную схему контура 1-го вида (рис. 3.30, а). В теории цепей в зависимости от характера решаемой задачи нашли применение оба варианта схем замещения.
Параллельный колебательный контур основного вида
Ранее было установлено, что идеализированные цепи, схемы которых приведены на рис. 3.29, б и 3.17, в, являются дуальными, поэтому при рассмотрении процессов в параллельном колебательном контуре основного типа с помощью простейшей схемы замещения, изображенной на рис. 3.29, б, можно воспользоваться всеми выражениями полученными для последовательного колебательного контура, произведя в них взаимные замены токов и напряжений, сопротивлений и проводимостей, емкостей и индуктивностей. Действительно, выражения для комплексной входной проводимости параллельной RLC-цепи (2.100) и комплексного входного сопротивления последовательной RLC-цепи (2.96) имеют одинаковую структуру и могут быть получены одно из другого путем упомянутых ранее замен. На резонансной частоте мнимая составляющая входной проводимости параллельной Я^С-цепи должна быть равна нулю:
Im 11]о,=Ир = Im {G + / [соС -1 /(иЩи=ар = (ор С - 1/(юр L) = 0. (3.74)
Решая уравнение (3.74), находим, что резонансная частота параллельного колебательного контура шр совпадает с резонансной частотой последовательного контура ш0, составленного из тех же элементов:
й)р=й)0=1 iVlc.
На резонансной частоте полные проводимости емкости
Ус |<а = а>р = Ьс |<о=о)р =(йр С —\^ClL — р 1==(Т
и индуктивности
yL |со=Ср = | bL (а = Шр = 1 /(Юр L)=V C/L = р-1 = а
равны характеристической проводимости параллельного колебательного контура а, которая является величиной, обратной характеристическому сопротивлению контура р (выражения для характеристиче
ских сопротивлений параллельного и последовательного колебательных контуров совпадают). Как видно из векторных диаграмм параллельной RLC-цепи (см. рис. 2.23, в) при ю = <йр действующее значение тока емкости равно действующему значению тока индуктивности: /с = Il = а входной ток контура (ток неразветвленной части параллельной #1С-цепи) равен току проводимости G: I — Io = GU.
Рис.
3.31. К определению эквивалент ной
добротности параллельного ко лебательного
контура
Q — IclI |о = сор — Il/I |<0 = С0у= o/G.
(3.75)
Выражение (3.75) имеет такую же структуру, как и выражение (3.33), и может быть получено из него заменой сопротивления потерь R и характеристического сопротивления р последовательного контура на проводимость потерь G и характеристическую проводимость а параллельного контура.
Из выражения (3.75) видно, что с увеличением проводимости потерь добротность параллельного колебательного контура падает. Таким же образом на добротность контура влияют внутренняя проводимость источника энергии G, и проводимость нагрузки GH, подключенная к зажимам контура 1—Г (рис. 3.31). Добротность параллельного колебательного контура с учетом внутренней проводимости источника Gi и проводимости нагрузки G„ определяется выражением
где Q — добротность параллельного контура без учета G* и Gu. Таким образом, для повышения эквивалентной добротности параллельного колебательного контура желательно, чтобы проводимости источника энергии и нагрузки были бы близки к нулю, т. е. чтобы свойства источника энергии, к которому подключен контур, приближались к свойствам идеального источника тока, а сопротивление нагрузки контура было бы бесконечно большим.
При исследовании комплексных частотных характеристик параллельного контура внешнее воздействие на контур обычно задают в виде тока идеального источника тока, подключенного к зажимам 1—Г, а в качестве реакции контура рассматривают напряжение и ■==■ U на этих же зажимах (см. рис. 3.29, б). В ряде случаев в качестве реакции контура рассматривают ток емкости ic = Iс или ток индуктивности t’i = /l. Следовательно, параллельному колебательному контуру, подобно последовательному, можно привести в соответствие как входные, так и передаточные характеристики.
К входным характеристикам параллельного колебательного контура относится его комплексное входное сопротивление в режиме холостого хода (G„ = 0)
G-f
/
[coC
— 1/(g>L)]Z(/a>)
= -^/
Выражения для нормированного модуля и аргумента комплексного входного сопротивления параллельного колебательного контура
Z
(ш)
= Z
(I)
=
GZ
(м)
ср (со) = ср (I) = — arctg [Q (ю/мр — Шр/оэ)] = — arctg I
полностью совпадают с выражениями (3.54) для нормированного модуля и аргумента комплексной входной проводимости последовательного колебательного контура. Следовательно, нормированные АЧХ и ФЧХ входного сопротивления параллельного колебательного контура совпадают с соответствующими характеристиками входной проводимости последовательного колебательного контура (см. рис. 3.22,
3.23).
На частоте резонанса токов м = юр входное сопротивление параллельного колебательного контура имеет чисто резистивный характер (ф = 0), а модуль входного сопротивления достигает максимального значения:
(3.79)
На частотах ниже резонансной входное сопротивление контура имеет резистивно-индуктивный характер (0<ф<я/2), а на частотах выше резонансной — резистивно-емкостной (—я/2 < ф < 0).
Можно показать, что выражения для коэффициентов передачи параллельного колебательного контура по току Gc (м) и Gb (ю) совпадают с выражениями для коэффициентов передачи последовательного контура по напряжению Кь (ш) и Кс (®):
Gс И - IJI = QcoZ (©)/©„; Gl (w) — hJl = Q©pZ (ю)/ю
и иллюстрируются теми же кривыми (см. рис. 3.25, а).
О передаточных характеристиках параллельного колебательного контура можно сказать все то, что ранее говорилось о передаточных характеристиках последовательного колебательного контура. В частности, при высокой добротности контура на частотах, близких к резонансной, GT. (ю) » Gc (ю) я» QZ (ю).
В связи с тем что нормированные входные и передаточные характеристики последовательного и параллельного колебательных контуров совпадают, избирательные свойства этих контуров одинаковы. Ши-
рина полосы пропускания параллельного колебательного контура, если пренебречь внутренней проводимостью источника и проводимостью нагрузки, определяется выражением (3.66). Если необходимо учесть влияние проводимости нагрузки и внутренней проводимости источника энергии на избирательные свойства контура, то вместо Q в выражение (3.66) подставляют эквивалентную добротность Q3K, рассчитываемую с помощью выражения (3.76).
Таким образом, применение простейшей схемы замещения параллельного колебательного контура позволяет существенно упростить процесс рассмотрения свойств параллельного колебательного контура путем использования соответствующих выражений, полученных при исследовании последовательного колебательного контура. Однако непосредственное использование этих выражений на практике, в частности выражений (3.75), (3.76) и (3.79), в значительной степени затруднено в связи с тем, что в них входит проводимость потерь контура G, которая зависит от частоты.
При практическом использовании более удобными являются выражения для сопротивления на резонансной частоте и для добротности параллельного колебательного контура, полученные с помощью эквивалентной схемы контура, в которой катушка индуктивности и конденсатор представлены их последовательными схемами замещения.
Найдем комплексное входное сопротивление параллельного колебательного контура, используя эквивалентную схему, приведенную на рис. 3.30, а:
(3.80)
Ограничимся, как и ранее, случаем, когда элементы контура имеют высокую добротность (юрL > RLпос, 1/((1)рС) > Rcnoc)> а частота внешнего воздействия ненамного отличается от резонансной. Тогда выражение (3.80) можно преобразовать:
(3.81)
Здесь р — YL/C и R = RLnoc + Rcuос соответственно характеристическое сопротивление и сопротивление потерь последовательного колебательного контура, составленного из тех же элементов, что и рассматриваемый параллельный колебательный контур. С учетом соотношений (3.24) можно считать, что R практически равно RLпос и не зависит от частоты. Таким образом, эквивалентная схема, приведенная на рис. 3.30, а, в большинстве важных для практического использования случаев может быть заменена более простой схемой (см. рис. 3.30, б), в которую входят те же элементы, что и в эквивалентную схему последовательного колебательного контура, параметры которых можно считать не зависящими от частоты.
На резонансной частоте мнимая составляющая комплексного входного сопротивления контура должна быть равна нулю, что возможно только тогда, когда мнимая составляющая знаменателя выражения (3.81) равна нулю:
[wL— l/fcoQL^p = (xc + xL)со=сор =0. (3.82)
Из выражения (3.82) следует, что условие резонанса токов в параллельном колебательном контуре, при высокой добротности элементов, имеет такой же вид, как условие резонанса напряжений в последовательном колебательном контуре (3.27), и, следовательно, частота резонанса токов совпадает с резонансной частотой последовательного колебательного контура, составленного из тех же элементов-.
(ор=(о0 = 1 IV LC. (3.83)
Если элементы контура имеют невысокую добротность, для определения частоты резонанса токов необходимо приравнять нулю мнимую составляющую входного сопротивления контура, определяемую из выражения (3.80). При этом частота резонанса токов будет несколько отличаться от резонансной частоты последовательного контура:
СОр = 0>0V (Р2 — Rl пос)/(р2 — Rc пос),
однако при р » Rl пос и р > Rс пос этим различием можно пренебречь.
Как отмечалось ранее, характеристическое сопротивление параллельного колебательного контура, равное абсолютному значению мнимых составляющих сопротивлений ветвей контура на резонансной частоте, определяется тем же выражением, что и характеристическое сопротивление последовательного контура:
Р—- j-^С |<а = сОр — — 1 /(шрО—~V L/C.
Входное
сопротивление параллельного колебательного
контура на резонансной частоте
(резонансное
сопротивление контура)
имеет чисто резистивный характер и, как
следует из
, определяется выражением
i?o-[Z(/co)]a=fflp -Р2/Я, (3.84)
следовательно, ток i и напряжение и на зажимах 1—Г (см. рис. 3.30, б) на резонансной частоте совпадают по фазе, а их действующие значения /„ = /|ш=щ , U0 — £Лм=ар связаны между собой соотношением U о — Roh = Р2/о !R-
Действующие значения токов ветвей контура на резонансной частоте одинаковы
/с)со=Шр да/z.|ю=<йр да U0/p = pIo/R- (3.85)
[_
Jo
Jw=<0p l fo
w==wp
R
Rye
Таким образом, добротность параллельного колебательного контура основного вида совпадает с добротностью последовательного колебательного контура, составленного из тех же элементов.
Аналогичный результат может быть получен и из соотношения (3.43), пригодного для определения добротности любых колебательных систем.
Используя выражения (3.84), (3.86), представим комплексное сопротивление параллельного колебательного контура в следующей форме:
Из
сравнения выражений (3.54), (3.77),
(3.78), (3.87) следует, что как при
использовании
параллельных схем замещения элементов
(см. рис. 3.29), так и при использовании
последовательных схем замещения (см.
рис. 3.30) зависимость комплексного
входного сопротивления параллельного
колебательного контура от частоты
определяется обобщенными АЧХ и ФЧХ
входной проводимости последовательного
колебательного контура Y
(|)
и О (|), составленного из тех же элементов,
что и рассматриваемый параллельный
контур.
(3.87)
Применение последовательных схем замещения элементов позволяет получать более удобные выражения для добротности и резонансного сопротивления параллельного колебательного контура, не содержащие частотно-зависимых членов.
Параллельный колебательный контур второго вида
Конструктивной
особенностью колебательного контура
этого вида яляется наличие в нем
индуктивной катушки с отводом или со
скользящим контактом, разделяющим
катушку на две секции (рис. 3.32); секция
с индуктивностью Lx
образует
одну ветвь колебательного контура
(см. рис. 3.28, б),
а секция с индуктивностью L2
и
конденсатор С — другую (для упрощения
анализа пренебрегаем взаимной
индуктивностью между секциями
катушки). Таким образом, индуктивная
катушка не полностью входит в первую
ветвь контура. При перемещении скользящего
контакта вдоль катушки или при изменении
места расположения отвода изменяется
коэффициент
включения индуктивности,
определяющий, какая часть суммарной
индуктивности катушки L
—
Lj
+
L2
включена
в первую ветвь:
(3.88)
Коэффициент включения индуктивности может изменяться в пределах от нуля (на рисунке при крайнем нижнем положении подвижного контакта) до единицы (при крайнем верхнем положении). В по следнем случае рассматриваемый колебательный контур вырождается в параллельный колебательный лонтур основного вида.
В связи с тем что одна из ветвей параллельного колебательног о контура с неполным включением индуктивности представляет собой последовательное включение конденсатора С и индуктивной катушки /,2, в контуре этого вида наряду с резонансом токов имеет место резонанс напряжений. Очевидно, что частота резонанса напряжений сорн должна быть выше, чем частота резонанса токов шрх, так как для выполнения условия резонанса токов необходимо, чтобы сопротивление ветви, содержащей L2 и С, носило емкостной характер, что, как известно, имеет место только на частотах ниже частоты резонанса напряжений.
Рис.
3 33. Эквивалентная схема параллельного
колебательного контура второго вида
Рассмотрим особенности частотных характеристик параллельного колебательного контура с неполным включением индуктивности и влияние коэффициента включения индуктивности рь на параметры контура. Для анализа используем эквивалентную схему контура, в которой индуктивные катушки и конденсатор представлены их последовательными схемами замещения (рис. 3.33). Сопротивления = = Rli пос и йг= Rl2 пос + Я с пос представляют собой соответственно сопротивление потерь индуктивной катушки Ьъ а также суммарное сопротивление потерь индуктивной катушки L2 и конденсатора С.
(Rl
1^2
+ /<й^-2
+ I/(/®С)] (Rl
+/w£l) +1^2
-f-/<uZ-2
+
1
/
(/toC)
(3.89)Z
(/м)coLj
[1
/ (ыС) —о)L2]+ 4"/ +0)^2 — 1 /(o>C)JКогда
элементы контура обладают высокой
добротностью, а частота внешнего
воздействия близка к частоте резонанса
токов, выражение (3.89) можно привести
к более простому виду:
На частоте резонанса токов мнимая составляющая Z (/©) должна равняться нулю, что возможно только при выполнении условия
[wLj И соL2 1 /(соС)](п=сорт■—0 (3.91)
или
1/(0)ptQ‘ (®рт^г)- (3.92)
Решая уравнение (3.91), находим выражение для частоты резонанса токов:
ртсо
Таким образом, частота резонанса токов параллельного колебательного контура 2-го вида ие зависит от коэффициента включения индуктивности и совпадает с резонансной частотой последовательного колебательного контура, построенного из тех же элементов, что и рассматриваемый колебательный контур.
В то время как частота резонанса токов юрх зависит от суммарной индуктивности контура L =- Lj + Ь2, частота резонанса напряжений Юрн определяется только индуктивностью второй ветви L2 и, следовательно, зависит от коэффициента включения индуктивности:
0)PH-1/KZ^C = 1^|// LC^^j -щ/VTTl
С уменьшением коэффициента включения индуктивности частота (ОрН уменьшается, оставаясь большей, чем о)рт =- ю0-
Подставляя (3.92) в (3.90), найдем сопротивление рассматриваемого контура на частоте резонанса токов:
Г> \ (“P^l)2 _ (ШоЦ2 j Ll У р2 pi п „2
Ro (Pl) — Z ((орт) — — r \LJ~R —RoPl-
Здесь R =■ Rt-\ R, и p = w0L = \f LIG — суммарное сопротивление потерь и характеристическое сопротивление рассматриваемого контура, равные соответственно сопротивлению потерь и характеристическому сопротивлению последовательного колебательного контура, составленного из тех же элементов; R0 — р2fR — резонансное сопротивление параллельного контура основного вида. Таким образом, резонансное сопротивление контура с неполным включением индуктивности R„ (pL) меньше, чем резонансное сопротивление контура основного типа R0, причем при рь-+ 1, R0 (Pl) Ro-
Амплитудно-частотные и фазо-частотные характеристики параллельного колебательного контура рассматриваемого типа приведены на рис. 3.34. На частотах ниже <орт входное сопротивление контура определяется в основном сопротивлением ветви / и имеет резистивноиндуктивный характер. На частоте резонанса токов сопротивление контура достигает максимального значения R0 (pL) и имеет чисто резистивный характер. На частотах выше мрт сопротивление контура определяется в основном параметрами ветви 2, причем при юрт < м< < ®Рн сопротивление контура имеет резистивно-емкостной характер,
а на частотах выше частоты резонанса напряжений — резистивно- индуктивный. На частоте резонанса напряжений входное сопротивление контура имеет чисто резистивный характер и достигает минимального значения, определяемого сопротивлением потерь второй ветви.
Рис.
3.34. АЧХ (а) и ФЧХ (б)
входного
сопротивления параллельного
колебательного контура второго
вида
i = vТ /0 cos К t)\ u = V 2 U0 cos (d)01) =
5)
Токи ветвей контура ix и i2 на резонансной частоте имеют одинаковые действующие значения
/10 = 120 ~ Uq/((j30Lj) (3.94)
и отличаются по фазе на угол л, а напряжение на емкости ис отстает по фазе от тока второй ветви на угол л/2:
V 2 Iiq cos (оз„/ ■ зт/2) 2 /losin(wo0;
i2=V 2 /2„соз(<й0^ + я/2)= —V 2 /10 sin (w01)\ ис = У 2 /20cosKO/KC)=K 2 p/locos(w00.
Определим энергию, запасаемую реактивными элементами контура: W3 = (Lj/f/2) + (L2ill2) + (Cut/2) = (Li + /-2) По sin2 (cc01) +
+ Cp2/f0cos2((o00 = L/?o, (3.95)
и энергию, потребляемую контуром за период Т:
Wn - (tfiПо + R2 По)Т = (/?! + R2) /?о Т = Я/?о Т. (3.96)
Подставляя (3.95) и (3.96) в (3.43), получим выражение для добротности параллельного колебательного контура с неполным включением индуктивности:
Q ■= 2nW3/Wn = 2nL/(RT) = a>0L/R = р /R, (3.97)
которое совпадает с выражением для добротности параллельного контура основного типа и соответственно с выражением для добротности последовательного колебательного контура, построенного из тех же элементов. Далее, используя (3.93), (3.94) и (3.97), найдем, что
на резонансной частоте действующие значени я токов ветвей контур; превышают действующее значение входного тока контура в pLQ раз
1гоЧо~ Ro (РьЖщЬ,) — p2plL/(Rw0LL1) — PlQ-
Итак, важнейшие параметры параллельного колебательного контура 2-го вида (частота резонанса токов, характеристическое сопротивление и добротность) не зависят от коэффициента включения индуктивности pL. В то же время резонансное сопротивление контура является функцией pL.
Указанная особенность параллельного колебательного контура широко используется на практике при согласовании его с источником энергии. Согласование осуществляют путем надлежащего выбора значения коэффициента включения, причем при изменении рь настройка контура и ширина его полосы пропускания, определяемая эффективной добротностью, не изменяются.
Наличие ярко выраженного минимума в АЧХ контура с неполным включением индуктивности может быть использовано для подавления колебаний, частота которых близка к шрн рассматриваемого контура.
Параллельный колебательный контур третьего вида
Колебательный контур этого типа по своим свойствам в значительной степени подобен параллельному колебательному контуру второго вида. Используя эквивалентную схему контура, приведенную на рис. 3.35, нетрудно показать, что частота резонанса токов (орт, характеристическое сопротивление р и добротность Q параллельного колебательного контура с неполным включением емкости совпадают с резонансной частотой, характеристическим сопротивлением и добротностью последовательного колебательного контура, построенного из тех же элементов и, следовательно, обладающего теми же суммарной емкостью С --- C1Ci/(C1 + С2) и суммарным сопротивлением R — Ri R2ш
Частота резонанса напряжений шрп рассматриваемого контура определяется параметрами элементов второй ветви
“Рн = 1 iVV С1С2 =ю0 V1 —Рс
и
зависит от коэффициента
включения емкости рс
С1Сг
-- С2/(С,
Ч" С2)-
Резонансное сопротивление контура с неполным включением емкости так же, как и резонансное сопротивление контура с неполным включением индуктивности, пропорционально квадрату коэффициента включения
Ro (рс) =--- р2рьш - ад.
Здесь Ro — р2/R — резонансное сопротивление параллельного контура основного вида, обладающего той же индуктивностью L, суммарной емкостью С и суммарными сопротивлением R, что и рассматриваемый контур
4>(ш!
тт/2
О
-т
АЧХ
и ФЧХ входного сопротивления параллельного
колебательного
контура
с неполным включением емкости приведены
на рис. 3.36. На частотах ниже сорн
входное сопротивление обеих ветвей
контура имеет резистивно-емкостной
характер; на частоте резонанса
напряжений входное сопротивление
контура имеет чисто резистивный
характер и достигает минимального
значения, определяемого в основном
сопротивлением потерь второй ветви;
на частотах юрн
< м < юРт
входное сопротивление контура имеет
резистивно-индуктивный характер;
при со = юрт
входное сопротивление контура имеет
чисто резистив-f
i
—о-—
х
/'
Рис. 3.35. Эквивалентная схема параллельного колебательного контура третьего вида
Рис. 3.36. АЧХ (а) и ФЧХ (б) входного сопротивления параллельного колебательного контура третьего вида
^ри |
шрт |
со |
а) |
|
|
\Т |
\| |
|
|
|
ы |
б)
ный характер и его модуль достигает максимального значения R0 (ра)', на частотах выше частоты резонанса токов входное сопротивление контура определяется в основном параметрами первой ветви и имеет резистивно-емкостной характер.