
- •Оптоелектроніка
- •10. В. Аркуша, д-р фіз.-мат. Наук., проф. Кафедри фізичної та напівпровідникової електроніки хну ім. В. Н. Каразіна;
- •3. Приймачі випромінювання
- •5. Елементи інтегральної оптики
- •Перелік скорочень
- •Види й параметри оптичного випромінювання
- •Випромінювачі та їх характеристики
- •Історичні відомості
- •Принцип дії
- •Використання гетероструктур
- •Побудова світлодіодів
- •Характеристики свд
- •Особливості роботи напівпровідникових лазерів
- •Основні типи сучасних напівпровідникових лазерів
- •Відмінності напівпровідникових лазерів
- •Експлуатаційні проблеми напівпровідникових лазерів та шляхи їх подолання
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Види керування
- •Електрооптичні модулятори
- •Електрооптичні ефекти
- •Побудова і параметри електрооптичного модулятора
- •Магнітооптичні модулятори
- •Акустооптичні пристрої
- •Використання ефекту Франца — Келдиша та термооптичних явищ
- •Керування просторовими характеристиками світлового променя
- •Керовані транспаранти
- •Загальні відомості
- •Транспаранти з керуванням електронним пучком
- •Акустооптичні пристрої
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Взаємодія випромінювання з речовиною
- •Принцип дії фотоприймачів
- •Фотопровідність
- •Класифікація й характеристики фотоприймачів
- •Фоторезистори
- •3.4. Фотодіоди
- •Принцип дії фотодіодів, характеристики, параметри
- •3.4.2. Різновиди фотодіодів. Конструкції
- •Фототранзистори, фототиристори
- •Багатоелементні фотоприймачі
- •Технологія фотоприймачів
- •Застосування фотоприймачів. Оптичний прийомний модуль
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Загальні відомості про індикаторні прилади
- •Особливості людського зору
- •Фізичні ефекти, використовувані в індикаторах
- •Класифікація індикаторів
- •Газорозрядні індикатори
- •Вакуумні індикатори
- •Люмінесцентні та розжарювальні індикатори
- •Автоемісійні дисплеї
- •Електролюмінесцентні й напівпровідникові індикатори
- •Електролюмінесцентні індикатори
- •— Скляна підкладка;
- •— Прозорий електрод;
- •Напівпровідникові індикатори
- •Органічні й полімерні дисплеї
- •Рідкокристалічні індикатори
- •Спеціалізовані індикатори
- •Електрохромиі індикатори
- •Електрохімічні індикатори
- •Сегнетоелектричні індикатори
- •Хемілюмінесцентні індикатори
- •Перспективи й напрямки розвитку індикаторів
- •Контрольні запитання
- •10. Як працюють тонкоплівкові електролюмінесцентні індикатори?
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Розв’язання
- •Пасивні елементи
- •Активні елементи
- •Рие. 5.8. Акустооптичний керуючий пристрій: 1 — п’єзокристал;
- •— Хвилевід; 5 — підкладка
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •6.1. Оптрони
- •Елементарний оптрон
- •Різновиди оптронів. Оптоелектронні імс
- •Конструктивне виконання оптронів
- •Оптоелектронні перетворювачі світла й зображень
- •Логічні елементи на основі оптронів
- •Системи зберігання й обробки інформації
- •Оптичні запам’ятовувальні пристрої. Методи запису інформації
- •Голографічні запам’ятовувальні пристрої
- •Оптичні системи обробки інформації
- •Світловод — основний елемент оптичної системи передачі інформації
- •Ряс. 6.20. Метод подвійного тигля
- •Оптичні системи зв’язку. Класифікація. Схеми. Особливості
- •Склад й елемента системи зв’язку
- •З’єднання волоконних світловодів
- •6.3.5. Джерела випромінювання та фотоприймачі
- •Датчики й інтерферометри
- •Системи реєстрації іонізуючих випромінювань
- •Загальні вимоги
- •Мі, цгце’
- •Конструкції детекторів
- •Застосування детекторів іонізуючого випромінювання
- •Детектори з поверхнево-інтегрованими фоточутливими структурами
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Перелік посилань
Контрольні запитання
Наведіть характеристики індикаторів, обґрунтуйте їхній
зв’язок з параметрами людського ока.
Опишіть напівпровідникові індикатори, їхні спектральні можливості, матеріали.
Розкрийте особливості органічних напівпровідникових індикаторів.
Розкажіть про рідкокристалічні індикатори, їх побудову.
У чому суть твіст-ефекту?
Опишіть принцип роботи, параметри газорозрядних індикаторів.
Розкрийте принцип дії й конструкції вакуумних розжарю- вальних індикаторів.
Опишіть принцип дії й конструкції вакуумних люмінесцентних індикаторів.
Опишіть конструкції дисплеїв з польовою емісією.
10. Як працюють тонкоплівкові електролюмінесцентні індикатори?
Приклади аудиторних і домашніх завдань
Джерело випромінювання індикатора задано координатами на графіку МКО: х = 0,42, г/ = 0,37. Визначити домінуючу довжину хвилі А,дом і колірну насиченість (чистоту кольору) випромінювання.
Розв’язання
Для визначення А,дом колірні координати випромінювача (точка Р на рис. 4.3) наносять на колірний графік. Потім проводять пряму від точки W (відповідної білому кольору) через точку Р до перетинання лінії чистих кольорів. У точці перетинання визначається значення домінуючої довжини хвилі Хдом і відповідний їй колір випромінювання — жовтувато-помаран- чевий.
Чистоту (або насиченість) кольорів т характеризують відношенням відрізків а1 і а1 + а2 (рис. 4.3), тобто
У цьому разі пг = =0,6.
6+4
Джерело випромінювання індикатора задано координатами на графіку МКО: х = 0,05, у = 0,7. Визначити домінуючу довжину хвилі.
Світловипромінювальний діод на основі СаР:Ы має максимум випромінювання на довжині хвилі 600 нм, чистоту кольору
9. Визначити його координати на графіку МКО.
Світловипромінювальний діод на основі йаМ має максимум випромінювання на довжині хвилі 520 нм, чистоту кольору
7. Визначити його координати на графіку МКО.
Пасивні елементи
Безпосереднім поштовхом до зародження інтегральної оптики були проблеми, висунуті розвитком оптичного зв’язку. Як відомо, типовий оптоелектронний ретранслятор містить у собі дискретний фотоприймач, лазер, модулятор, пасивні оптичні елементи (лінзи, призми, дзеркала). У такій системі відбувається подвійне перетворення енергії (світлової в електричну й навпаки). Тому виникло запитання: як виключити це подвійне перетворення й обробку інформації побудувати безпосередньо на маніпуляції з оптичними сигналами, що надходять зі світловода? Для позитивної відповіді на це запитання необхідний, насамперед, оптичний аналог НВЧ- хвилеводу, який би забезпечував спрямоване поширення світлової хвилі без втрат і спотворень і міг бути реалізований методами інтегральної технології.
Теоретичні й експериментальні дослідження показали, що каналізацію світлової хвилі може бути вирішено на основі плоских діелектричних хвилеводів, що являють собою тонкоплівковий аналог волоконно-оптичних світловодів.
Розробка діелектричних хвилеводів, створення плівкових конструкцій лазерів, фотоприймачів, модуляторів і їхнє об’єднання на загальній підкладці в оптичні інтегральні схеми — все це було першим кроком у розвитку інтегральної оптики.
Це новий напрямок фактично являє собою хвилеводну оптику, тобто застосування НВЧ-методів до розв’язання завдань поширення й перетворення оптичного випромінювання.
Певним стимулом для розвитку техніки плівкових діелектричних світловодів є розширення можливості функціональної інтеграції, коли кремнієві великі інтегральні схеми (ВІС) доповнюються елементами оптичного зв’язку. Це дозволяє створювати схеми
постійних запам’ятовувальних пристроїв (ЗП) з оптичним перепро- грамуванням та іншими елементами однорідних обчислювальних середовищ ЕОМ п’ятого покоління. Крім того, перехід від дискретних об’ємних оптичних елементів до їх двовимірних поверхневих аналогів відкриває перед оптоелектронікою й оптикою можливості повного використання тих переваг, які має планарна технологія.
Наукову основу інтегральної оптики становить вивчення процесів поширення електромагнітних хвиль у плоскому діелектричному хвилеводі. Останній являє собою розташовану на підкладці тонку й вузьку діелектричну смужку, що має більший показник переломлення, ніж оточуючі її середовища. Поле хвилі, що поширюється уздовж такого хвилеводу, швидко слабшає в міру віддалення від несної смужки.
Модель такого хвилеводу в загальному вигляді може бути зображена тришаровою структурою (рис. 5.1), що містить підкладку, хвилевід і покриття.
Розв’язання рівняння Максвелла для напрямку уздовж осі 2 у двовимірному випадку показує, що гармонійна хвиля існує в оптично найбільш щільному середньому шарі й експоненціально загасає в шарах 1 і 3. Ці хвилі називають каналізованими, або хвиле- водними модами.
У режимі збудження хвилеводних мод у загальному випадку у хвилеводі може існувати кінцеве число хвилеводних ТЕ-мод (зі складовими полів Ех, Нх, Нг,) і ТМ-мод (зі складовимиНу, Ех, Ег).
Кількість власних мод тим більша, чим більше відношення А/А, (А — товщина хвилеводу), і залежить від співвідношення показників переломлення д1, п2, п8.
При деякому значенні А = Ай мода ТЕ стає хвилеводною, подальше збільшення А дозволяє існування моди ТЕ1, потім моди ТЕ2 і т. п. Аналогічно відбувається й із ТМ-модами. При зменшенні товщини хвилеводу нижче критичної хвилеводні моди перетворюються на моди підкладки, спрямована каналізація світла припи-
Рис.
5.1. Модель
діелектричного хвилеводу: 1
— покриття; 2
— хвилевід; З
— підкладка
критична товщина хвилеводу
У найбільш характерному випадку при X = 0,3 мкм і hk становить 1,2 мкм.
Окрім
розв’язання рівняння Максвелла, для
дослідження модо- вих характеристик
хвилеводів придатна концепція
зиґзаґоподібного поширення світла.
Відповідно до цієї концепції, кожна
мода являє собою промінь, що падає на
границі хвилевід — підкладка й хвилевід
— покриття під певним кутом 0 (рис. 5.1) і
поширюється усередині середнього шару
внаслідок повного внутрішнього відбиття.
Незважаючи на зиґзаґоподібний шлях
такого променя, світло по суті поширюється
тільки в напрямку Z
та
утворює у напрямку X стоячу хвилю.
Постійна поширення:
ß = kn2 sin 9,
де \к\ =«/с; со — кутова частота світлових коливань.
Для
того щоб плоскі хвилі після багаторазового
відбиття інтер- ферували між собою у
фазі, повинна виконуватися умова
де Ф23 і Ф21 — фазові зсуви при повному внутрішньому відбитті на нижній і верхній границях світловода; т — ціле число.
Розв’язання цього трансцендентного рівняння дає набір дозволених значень 0т і відповідно рт і фактично визначає власні моди хвилеводу.
При поширенні по хвилеводу декількох мод між ними виникає зв’язок, обумовлений рядом дефектів (флуктуації показника переломлення, шорсткість граней і т. д.). Цей зв’язок приводить до обміну потужністю між. модами. Чим істотніші дефекти, тим сильніша взаємодія мод і менша відстань, на якій відбувається задане перекачування потужності між. двома модами. Для забезпечення малих спотворень необхідно, щоб шорсткості не перевищували (0,1...0,03)/г.
Із сказаного випливає, що для створення оптичних інтегральних. схем необхідно вміти виготовляти плоскі діелектричні хвилеводи з товщиною, близькою до ку. (для одержання одномодового режиму) і з малими шорсткостями границь АІі.
Прийнятні величини становлять А = 0,5...5 мкм, ДЛ = 0,1...1 мкм, а загасання сигналу В не повинно перевищувати 1 дБ/см.
Основні види діелектричних хвилеводів подано на рис. 5.2.
Поперечні перерізи можливих конструкцій полозкових хвилеводів визначаються головним чином застосовуваною для їхнього виготовлення технологією. Іноді використовують захисні покриття для запобігання несної смужки від зовнішніх ушкоджень.
Діапазон змін визначальних параметрів становить:
А = 0,3...10 мкм, й = 3...100 мкм, — = 10~2...10-3
п
Для передачі світла по криволінійній траєкторії хвилеводи згинаються у площині підкладки. При цьому виникає додаткове загасання внаслідок випромінювання зі згинів, тим більше, чим менше радіус згину.
Використовувані матеріали й технологічні методи наведено в табл. 5.1.
Крім цього, ефект каналізації світла спостерігається у тонких моно- і полікристалічних плівках йпБе, йпО, СсІЗ, ОаАІАз, Бі і в багатьох органічних речовинах.
Рис.
5.2.
Різновиди діелектричних хвилеводів:
а
— смужковий; б,
в
— канальні
Втрати, обумовлені розсіюванням, домінують у скляних і діелектричних хвилеводах, а поглинання переважає в напівпровідниках та інших кристалічних матеріалах. Втрати, обумовлені випромінюванням, стають істот- ними у хвилеводах, вигнутих по кривій.
Абсорбційні втрати в тонких аморфних плівках і кристалічних сегнетоматеріалах, наприклад ЬіТаОд або ІлШ03, нехтовно малі порівняно із втратами в результаті розсіювання. Однак у напівпровідниках спостерігаються
істотні втрати, обумовлені як міжзонним поглинанням або поглинанням на краю смуги, так і поглинанням на вільних носіях.
Таблиця 5.1
Матеріали й методи виготовлення інтегральних хвилеводів
Матеріали |
Методи одержання тонких плівок |
В, Дб/см |
к, нм |
|
Аморфні та кристалічні |
Скло |
Дифузія домішок, іонна імплантація, |
«1 |
0,63 |
|
кварц |
високочастотне розпилення |
*0,2 |
0,63 |
|
Та205 |
Реактивне катодне розпилення, електролітичне анодування |
1 |
0,63 |
Органічні |
Фоторезист |
Пульверизація, |
1 |
0,63 |
|
Органо- сілікон |
хімічне осадження Високочастотне розпилення |
0,04 |
0,63 |
|
Епоксидна смола |
— |
0,3 |
0,63 |
Електрооптичні |
LiNb*Ta і-*°з |
Катодне розпилення |
6 |
0,63 |
та магнито- оптичні |
LiNbOg |
Рідиннофазна епітаксія |
5 |
0,63 |
|
Гранат |
— |
13 |
1,15 |
Напівпровідни кові |
GaAs |
Газова, рідиннофазна епітаксія |
1 |
1,15 |
|
Pbi-*Sn*Te |
Молекулярно- променева епітаксія |
6,5 |
10,6 |
|
ZnS |
Вакуумне випаровування |
6 |
0,63 |
Волоконні світловоди в основному створюють із плавленого кварцу, багатокомпонентного скла і полімерів.
Оптичні хвилеводи з малими втратами можна створювати іонною імплантацією бору в плавлений кварц без відпалу.
Хвилеводна техніка придатна для виготовлення основних видів пасивних оптичних елементів.
Ефект призми (відхилення й поворот світлового променя) виникає, якщо на якійсь ділянці хвилеводу нанесено додатковий шар тієї самої речовини у формі трикутника: це пояснюється тим, що швидкість світла залежить від товщини світловода.
Лінзовий ефект виникає при плавній зміні показника переломлення по перетину хвилеводу. Можливо, чисто геометричне рішення цього завдання, коли на частині світловода утворюється розширення напівкруглої форми.
Рис.
5.3. Дифракційна
ґратка в плоских хвилеводах
зворотне (ефект дзеркала) при створенні на одній із граней світ- ловода дифракційної ґратки (рис, 5.3). Встановлено, що якщо ґратка має кілька сотень штрихів, світловий потік може змінити свій напрямок на зворотний. Відстань між штрихами повинна задовольняти умові Брегга
де т — порядок дифракції; Хв — довжина хвилі світла в матеріалі світловода.
Технологія діелектричних хвилеводів придатна для виготовлення оптичних аналогів більшості елементів НВЧ-техніки: спрямованих відгалужувачів, частотно-селективних фільтрів, перемикачів, фазообертачів і т. п.
Спрямоване відгалуження може бути реалізовано декількома способами (рис. 5.4).
Найпростіший з них — використання зв’язку хвилеводів, розташованих близько один від одного (рис. 5.4, а). Встановлено, що якщо постійні поширення в обох хвилеводів однакові, на деякій довжині можливе повне перекачування потужності з одного
Рис.
5.4. Спрямовані
відгалужувані
хвилеводу в іншій. Якщо ж ці постійні неоднакові, відбувається часткове перекачування. Для встановлення зв’язку між хвилеводами (рис. 5.4, б) можна прикласти зворотну напругу до бар’єра Шотткі з боку одного з них. Таким способом можна перемикати до ЗО % потужності з одного хвилеводу в іншій.
Уведення випромінювання в плоскі діелектричні хвилеводи розв’язується декількома способами (рис. 5.5).
Лінзовий ввід (рис. 5.5, а) вимагає гладкої торцевої поверхні хвилеводу, точного механічного юстирування. Більш ніж у 90 % ефективність вводу енергії може забезпечити призмовий ввід (рис. 5.5, б) за умов, що прилягаючі поверхні досить гладкі, зазор між ними не перевищує 100 нм і виконано умову узгодження 2тс .
Ппр 3111 ф = рт, де \іт — постійна поширення т-1 моди у хвиле-
воді. Не менш ефективним може бути й дифракційний ввід (рис. 5.5, в), конструктивно більш зручний, ніж призмовий. Дуже перспективне використання вводу-виводу клинчастого кінця плівки (рис. 5.5, г).
Розрахунок і експеримент показують, що, якщо скіс досить пологий, хвилеводні моди з високою ефективністю перетворяться на моди підкладки.
Рис.
5.5. Уведення випромінювання в діелектричні
хвилеводи: а
— лінзовий ввід; б
— призмовий ввід; в
— дифракційний ввід; г
— за допомогою клинчастого кінця; д
— за допомогою фоторезисту
плоским хвилеводом здійснюється їхнім з’єднанням на деякій довжині за допомогою фоторезисту (рис. 5.5, д). Ефективність вводу при цьому може досягати 70 %. З розглянутих методів лише дифракційний і клиноподібний досить повно відповідають вимогам інтегральної технології, дозволяючи здійснювати не тільки зв’язок пристрою із зовнішніми елементами, але й хвилеводів різних рівнів у багатошарових структурах.