Лекция 26
Анодная и коллекторная амплитудная модуляция: принцип, схемы, статические модуляционные характеристики. Энергетические и качественные показатели. Основы инженерного расчёта. Схемы модуляторов. Модулятор с последовательным включением транзисторов. Комбинированные (двойная и тройная) анодная и коллекторная модуляции.
При анодной модуляции напряжение модулирующего сигнала заводится в цепь питания анода и управляет амплитудой импульсов соответственно и амплитудой первой гармоники анодного тока. Другие напряжения питания лампы, такие как смещение ЕС и возбуждение UMC , остаются неизменными. Аналогично в транзисторном генераторе при осуществлении коллекторной модуляции напряжение модулирующего сигнала заводится в цепь питания коллектора и управляет амплитудой импульсов и амплитудой первой гармоники коллекторного тока. Смещение ЕБ и возбуждение UМБ остаются неизменными.
Как ниже увидим, системы с анодной и коллекторной модуляцией обладают более высокой энергетической эффективностью, чем системы с модуляцией смещением (то есть с сеточной и базовой модуляцией). В связи с этим схемы анодной модуляции находят очень широкое применение в мощных радиовещательных и телефонных радиопередатчиках. Коллекторная модуляция является основным видом амплитудной модуляции (АМ), применяемой в транзисторных генераторах.
Возможные схемы генераторов с анодной и коллекторной АМ представлены на рис.26.1,а,б соответственно. В представленных схемах использовано последовательное питание анода (коллектора), что более наглядно, но непринципиально для рассмотрения сути и основных положений данного вида АМ.
При анодной модуляции напряжение питания анода изменяется по закону
, (26.1)
где ЕАН – постоянное напряжение анодного питания в режиме несущей частоты (режим молчания); UAΩ – амплитуда модулирующего напряжения; m = UAΩ /ЕАН – коэффициент модуляции анодного напряжения.
Аналогично при коллекторной модуляции
, (26.2)
где ЕКН – постоянное напряжение питания коллектора в режиме несущей частоты (режим молчания); UКΩ – амплитуда модулирующего напряжения; m = UКΩ /ЕКН – коэффициент модуляции коллекторного напряжения.
Зависимости IA1(ЕА), IА0(ЕА) в ламповом генераторе и IК1(ЕК), IК0(ЕК) в транзисторном генераторе представляют статические модуляционные характеристики (СМХ) соответственно при анодной и коллекторной модуляции. Эти зависимости рассматривались нами в лекции 8 при изучении зависимости режима ГВВ от напряжения питания выходной цепи АЭ (рис.8.15 – рис.8.17). СМХ генераторов с анодной и коллекторной АМ показаны на р ис.26.2,а, б соответственно.1
Об особенностях СМХ (рис.26.2,а, б) мы поговорим ниже, а сейчас отметим, что, как видно из модуляционных характеристик, возрастание амплитуды первой гармоники анодного (коллекторного) тока с увеличением напряжения на аноде (коллекторе) имеет место в области недонапряжённого режима (активная область у транзистора) и в перенапряжённом режиме (область насыщения у транзистора). Следовательно, анодная и коллекторная АМ могут быть осуществлены в недонапряжённом и перенапряжённом режимах ГВВ. Однако недонапряжённый режим, как правило, не используется, за исключением редких случаев ламповых генераторов на СВЧ. Во-первых, недонапряжённый режим, как мы знаем, энергетически невыгоден; во-вторых, в области недонапряжённого режима крутизна СМХ мала (если D = 0, то SМХ = 0 в области недонапряжённого режима) и не может быть получена 100% модуляция, так как ток не уменьшается до нуля в области недонапряжённого режима. Поэтому наиболее широко, если не сказать, что исключительно, анодная и коллекторная АМ осуществляются в перенапряжённом режиме работы генератора. Именно на рассмотрении такой модуляции мы и остановимся в настоящей лекции.
Если принять СМХ при анодной (коллекторной) модуляции в перенапряжённом режиме линейными и выходящими из начала координат, то изменение напряжения на аноде по закону (26.1) или напряжения на коллекторе по закону (26.2) вызывает соответствующее изменение амплитуды первой гармоники анодного тока
или коллекторного тока
,
где в обоих случаях m – коэффициент модуляции анодного (коллекторного) тока, равный коэффициенту модуляции соответствующего напряжения; IA1Н, IК1Н – амплитуда первой гармоники анодного (коллекторного) тока в режиме несущей частоты (режим молчания).
В режиме максимальной мощности анодное (коллекторное) напряжение
,
анодный (коллекторный) ток
.
Колебательная мощность, которую должна обеспечить лампа или транзистор в максимальном режиме,
, (26.3)
где ξМАКС – коэффициент использования анодного (коллекторного) напряжения в максимальном режиме. Очевидно, для режима максимальной мощности может быть допущен критический по напряжённости режим, являющийся оптимальным режимом для ГВВ без модуляции.
В ламповых генераторах параметры модуляции обычно выбираются такими, что в режиме несущей частоты постоянное напряжение на аноде лампы равно своему номинальному (паспортному) значению, то есть ЕАН = ЕА НОМ. При этом, согласно (26.1), результирующее напряжение питания на аноде лампы в отдельные моменты времени будет превышать номинальное напряжение. Однако подобный режим кратковременный и, как правило, не является опасным для лампы.
Ток IА1МАКС в режиме максимальной мощности равен максимальному (номинальному) значению тока для данной лампы, то есть
IА1МАКС = IА1НОМ.
В режиме несущей частоты при линейной модуляции
IА1Н = IА1МАКС/(1+m) = IА1НОМ/(1+m). (26.4)
При анодной модуляции в перенапряжённом режиме в силу линейной зависимости IA1(ЕА) (рис.26.2,а) уравнение СМХ описывается уравнением прямой линии, проходящей через начало координат, то есть справедливо считать
IА1 = k1ЕА, (*)
где k1 – коэффициент, совпадающий с тангенсом угла наклона прямой линии относительно оси ЕА.
При этом оказывается, что коэффициент использования анодного напряжения остаётся при модуляции неизменным, то есть одинаковым во всех режимах. Действительно,
. (26.5)
Учитывая (26.4), (26.5) для мощности максимального режима (26.3) можно записать
, (26.6)
где P~НОМ – номинальная мощность лампы (колебательная мощность, отдаваемая лампой в номинальном режиме).
С другой стороны, согласно общим положениям АМ,2 мощность максимального режима
. (26.7)
Из равенства последних соотношений следует, что при анодной модуляции лампа должна выбираться на мощность
. (26.8)
При 100% модуляции (m = 1) согласно (26.6), (26.7)
.
Соответственно
P~НОМ = P~МАКС/2 = 2P~Н. (26.9)
Таким образом, при анодной модуляции лампа в отдельные моменты времени отдаёт мощность больше номинальной (паспортной). При этом в максимальном режиме при 100% модуляции отдаваемая лампой мощность превышает её номинальную мощность в 2 раза. Такой результат объясняется тем, что при анодной модуляции лампа полностью используется по току в максимальном режиме при напряжении на аноде в 2 раза больше номинального. На рис.26.3 показаны ДХ анодного тока лампы при использовании её в ГВВ без модуляции в оптимальном режиме и для максимального режима при использовании этой лампы в генераторе с анодной модуляцией. Как видно из ДХ, при анодной модуляции лампа переиспользуется по напряжению в 2 раза.
Опыт показывает, что отечественные генераторные лампы допускают 100% анодную модуляцию при анодных напряжениях в режиме несущей частоты (молчания), равных номинальным значениям, но не свыше (11…12) кВ. В противном случае в режиме несущей частоты, если необходимо получить 100% модуляцию, напряжение ЕАН должно выбираться меньше ЕАНОМ. Некоторое уменьшение ЕАН по сравнению с ЕА НОМ желательно также в генераторах коротковолнового диапазона (декаметровые волны), так как это позволяет уменьшить требуемое значение Roe и повысить КПД анодного контура. При ЕАН < ЕА НОМ и m = 1 номинальная мощность лампы, в отличие от (26.9), должна удовлетворять условию
P~НОМ > 2P~Н.
В предельном случае, когда ЕА МАКС = ЕА НОМ, лампа должна выбираться на такую же номинальную колебательную мощность, как и при сеточной модуляции, то есть
В этом случае никакого отличия в выборе лампы по величине необходимой колебательной мощности для генератора с анодной модуляцией по сравнению с сеточной модуляцией нет.
Обратим внимание, что в мощных генераторах с анодной АМ мгновенное напряжение на аноде лампы в режиме максимальной мощности достигает очень больших значений. Например, при ЕАН = ЕА НОМ = 10 кВ; ξ = ξКР = 0,9; m =1
Конструкция лампы должна выдерживать столь большое напряжение. В противном случае необходимо выбирать ЕАН < ЕА НОМ.
Для мощных генераторных ламп в целях увеличения срока их службы часто принимают
ЕАН = (0,7…0,8) ЕА НОМ.
Номинальная мощность транзистора, в отличие от лампы, определяется при полном использовании по току и по напряжению. Следовательно, транзистор не имеет запаса по напряжению и при осуществлении 100% коллекторной модуляции предельное значение ЕК МАКС = ЕК НОМ, соответственно
ЕКН = ЕК НОМ/2.
Номинальная мощность транзистора для генератора с коллекторной модуляцией должна удовлетворять условию
(26.10)
и оказывается такой же, как для генератора с базовой АМ.
При условии линейности коллекторной модуляции для неё справедливы соотношения (26.3) – (26.5).
Если принять, что при анодной (коллекторной) АМ постоянная составляющая анодного (коллекторного) тока линейно зависит от напряжения на аноде (коллекторе), то есть
,
где k0 – коэффициент, совпадающий с тангенсом угла наклона прямой линии относительно оси ЕА,
то, учитывая линейную зависимость амплитуды первой гармоники анодного (коллекторного) тока от этих напряжений (см. (*))
и постоянство коэффициента использования напряжения питания анода (коллектора) (26.5) при модуляции, получаем для КПД анодной (коллекторной) цепи
Так как генераторная лампа или транзистор при анодной (коллекторной) модуляции находится в перенапряжённом режиме, для которого характерен высокий КПД по аноду (коллектору), то из последнего соотношения следует, что КПД анодной (коллекторной) цепи остаётся таким же высоким и в режиме несущей частоты. Очевидно, средний за период модулирующего сигнала КПД анодной (коллекторной) цепи будет таким же. В последнем можно также убедиться, рассматривая следующие соотношения.
Средняя потребляемая по анодной (коллекторной) цепи мощность генератора с анодной (коллекторной) модуляцией
Так как ,
то
.
Таким образом, при анодной (коллекторной) модуляции средний КПД анодной (коллекторной) цепи, характеризующий энергетическую эффективность модулируемого генератора, выше раза в два, чем у генератора с модуляцией смещением (сеточной, базовой).
В радиопередатчиках анодную (коллекторную) модуляцию осуществляют в выходном каскаде, который потребляет (60…70)% всей подводимой к передатчику мощности и этим предопределяет его промышленный КПД. Если анодную (коллекторную) модуляцию осуществить в промежуточном каскаде радиопередатчика, то выходной каскад его будет работать в режиме усиления АМ колебаний и в этом случае энергетические преимущества анодной (коллекторной) модуляции в передатчике в целом не реализуются.
Все приведенные выше результаты получены и, соответственно справедливы, в предположении линейности СМХ. Однако при неизменном смещении в модуляционной характеристике IА1(ЕА) вблизи значений ЕА ≈ 0 появляется криволинейный участок (рис.26.2,а), обусловленный более резким перераспределением катодного тока между анодом и сеткой лампы на начальном участке СМХ. При ЕА = 0 анодный ток также равен нулю, а ток управляющей сетки имеет максимальное значение и равен катодному току. На начальном участке СМХ коэффициент использования напряжения анодного питания получается несколько больше, чем в точках максимального режима и режима несущей частоты. Наличие криволинейного участка СМХ приводит к увеличению нелинейных искажений при глубокой модуляции (при m → 1). Чтобы избежать этого, искусственно ослабляют напряжённость режима за счёт автоматического смещения в цепи управляющей сетки. При этом имеет место дополнительная модуляция в цепи управляющей сетки за счёт изменения напряжения смещения. Можно подобрать такую величину сопротивления автосмещения RC в цепи сетки, при котором СМХ IА1(ЕА) будет настолько близка к прямой линии, что для её построения достаточно воспользоваться двумя точками: IА1 = IА1МАКС и IА1 = 0. СМХ постоянной составляющей анодного тока IА0(ЕА) также спрямляется. Кроме того, автоматическое смещение уменьшает сеточный ток (рис.26.4).
В транзисторном генераторе с коллекторной АМ СМХ IК1(ЕК) выходит не из начала координат, а несколько правее, из точки, в которой ЕК ≈ UМБ (рис.26.2,б). При ЕК < UМБ переход коллектор – база открывается и появляется коллекторный ток обратного направления, что обусловливает большие нелинейные искажения с увеличением глубины модуляции и ухудшает энергетические показатели генератора (это обстоятельство отмечалось нами в лекциях 3 и 4). Для исключения этого недостатка вместе с уменьшением напряжения ЕК уменьшается напряжение UМБ, что достигается их одновременной модуляцией, о чём мы поговорим несколько ниже. С этой же целью иногда применяется базовое автосмещение.
Применение сеточного автосмещения в ламповом генераторе с анодной модуляцией и модуляция напряжения возбуждения в транзисторном генераторе с коллекторной модуляцией позволяют обеспечить практически неискажённую 100% модуляцию на выходе генератора.
Остановимся на расчёте энергетических показателей генераторов с анодной и коллекторной модуляцией, отмечая в соответствующих местах особенности этих генераторов.
Расчёт генератора с анодной (коллекторной) модуляцией проводится в следующем порядке.
В начале рассчитывается режим максимальной мощности. При этом лампа выбирается на мощность (26.8)
,
а транзистор на мощность (26.10)
.
Если P~Н – мощность в режиме несущей частоты в полезной нагрузке, то лампа (транзистор) выбирается по мощности с учётом КПД контура (цепи согласования).
Режим максимальной мощности выбирается критическим или слабо перенапряжённым, когда
.
Выбор слабо перенапряжённого режима способствует линеаризации СМХ IА1(ЕА) и IК1(ЕК) в их верхней части.
Коэффициент использования напряжения анодного (коллекторного) питания в критическом режиме работы АЭ
.
Нижний угол отсечки анодного тока в максимальном режиме выбирается около 900. Аналогично выбирается нижний угол отсечки коллекторного тока (если смещение равно нулю, то угол отсечки коллекторного тока несколько меньше 900).
Приняв в максимальном режиме или в пределах , находим амплитуду выходного колебательного напряжения в максимальном режиме
и амплитуду первой гармоники анодного (коллекторного) тока
.
Дальнейший расчёт ведётся по формулам в зависимости от выбора критического или перенапряжённого режима.
В ламповом генераторе при расчёте режима максимальной мощности может оказаться, что рассеиваемая на аноде мощность
РА МАКС = Р0МАКС – Р~МАКС > РА ДОП.
Однако это обстоятельство не имеет существенного значения, так как режим максимальной мощности является кратковременным по сравнению с периодами молчания. Более того, как ниже увидим, режим молчания при анодной (коллекторной) модуляции с точки зрения рассеиваемой на аноде (коллекторе) мощности, в отличие от модуляции смещением, не является самым тяжёлым.
Режим несущей частоты (режим молчания) рассчитывается, исходя из линейности модуляционной характеристики, то есть
.
Мощности потребления и рассеяния на аноде (коллекторе) соответственно равны:
.
Так как при анодной (коллекторной) модуляции
,
то
.
Согласно последнему соотношению при одной и той же мощности в режиме несущей частоты (режим молчания) при анодной (коллекторной) модуляции мощность рассеяния на аноде лампы (коллекторе транзистора) в 5…6 раз меньше, чем при модуляции смещением (сеточной и базовой модуляциях).3 Однако режим несущей частоты с точки зрения теплового режима анода или переходов транзистора не является самым опасным. Более тяжёлым является средний за период модулирующего сигнала режим, когда
.
Для лампы должно выполняться условие
PА СР ≤ PА ДОП.
Учитывая приведенные выше соотношения, можно считать, что должно быть
.
При m = 1
.
Последнее соотношение необходимо также учитывать при выборе лампы для генератора с анодной модуляцией, то есть лампа должна подходить по номинальной колебательной мощности и иметь допустимую мощность рассеяния на аноде не меньше возможной при заданной мощности генератора.
В транзисторном генераторе необходимо проверить температуру перехода, исходя из мощности PК СР и мощности, рассеиваемой на базе в режиме несущей частоты PБ Н.
В ламповом генераторе при расчёте режима несущей частоты (молчания) необходимо проверить тепловой режим управляющей сетки. Это особенно важно для современных генераторных ламп, которые работают со значительными сеточными токами и для которых мощность рассеяния на управляющей сетке ограничена. Для расчёта мощности PС Н, рассеиваемой на сетке в режиме несущей частоты, необходимо знать составляющие токов в режиме несущей частоты (молчания) IС0Н и IС1Н. При использовании сеточного автосмещения СМХ IC0(ЕА) (рис.26.4), а также СМХ IC1(ЕА) получаются линейными. Телефонная (рабочая) точка выбирается на середине СМХ, а именно при
.
Величина тока IС0Н может быть определена на основании рис.26.4, согласно которому
. (26.11)
Амплитуда первой гармоники сеточного тока в режиме несущей частоты
,
где – соответственно угол отсечки сеточного тока и коэффициенты разложения косинусоидального импульса сеточного тока по первой гармонике и постоянной составляющей в режиме несущей частоты (молчания).
После того, как найдены токи в сеточной цепи, расчёт мощности рассеяния на управляющей сетке проводится согласно известного соотношения (см. лекции 2 и 7):
. (26.12)
Необходимо, чтобы выполнялось условие PС Н ≤ PС ДОП.
Как следует из (26.11), (26.12), расчёт сеточной цепи в режиме несущей частоты связан с расчётом режима минимальной мощности, в котором сеточный ток достигает максимального значения (рис.26.4). Напряжение возбуждения UMC и сопротивление сеточного автосмещения RC находятся при расчёте максимального режима. При этом
,
где .
В режиме минимальной мощности напряжение смещения
. (I)
Так как ЕА МИН = 0, то UМА МИН = 0, а Е/С при ЕА = 0 в (I) равно –ЕС0 (см. лекцию 4). Соответственно получаем
. (II)
Последнее соотношение соответствует рис.26.5.
С другой стороны,
.
Так как, согласно рис.26.5 и учитывая (II),
,
то
. (III)
Из равенства (II) и (III) следует
.
Полагая ЕС0/UMC = 0, получаем
.
Так как параметры в левой части последнего соотношения известны (S – крутизна статических ВАХ сеточного тока в перенапряжённом режиме, равная с достаточной точностью крутизне статических ВАХ анодного тока в основной области), то в соответствии с правой частью соотношения, используя, например, таблицы коэффициентов и , находим угол θМИН. Далее находим
и т.д.
В режиме минимальной мощности ток сетки (аналогично ток базы) достигает наибольшей величины и максимально нагружает источник возбуждения. В то же время очевидно, что в минимальном режиме большая мощность возбуждения не нужна, а при 100% модуляции вообще в минимальном режиме можно обойтись без какой-либо мощности возбуждения. Действительно, при 100% модуляции в минимальном режиме выходной ток равен нулю, то есть IA1 = 0 (или IК1 = 0), но такое значение выходного тока получается также и при снятии возбуждения, то есть наличие возбуждения в минимальном режиме при 100% модуляции не является необходимым. Поэтому при расчёте генераторов с анодной (коллекторной) модуляцией источник возбуждения (в радиопередатчике это каскад, стоящий перед модулируемым генератором) рассчитывается на мощность возбуждения, найденную при расчёте максимального режима, то есть на минимальную величину мощности возбуждения PВОЗБ = PВОЗБ МАКС РЕЖ. Это приводит к тому, что в режиме несущей частоты, а особенно в режиме минимальной мощности при ЕА,К → 0, амплитуда напряжения возбуждения модулируемой ступени UМС, МБ несколько уменьшается за счёт большей загрузки источника сигнала возбуждения – предыдущего каскада, что способствует спрямлению нижнего участка СМХ. При этом в случае транзисторного генератора с коллекторной модуляцией начало СМХ подтягивается к началу координат (рис.26.2,б). Напомним, что изменение амплитуды напряжения возбуждения характерно для режима усиления АМ колебаний.
Таким образом, учитывая при практической реализации изменение амплитуды напряжения возбуждения в генераторах с анодной и коллекторной модуляцией, а также применение сеточного автосмещения в генераторах с анодной модуляцией для спрямления СМХ, можно отметить, что в чистом виде анодная и коллекторная модуляции практически не применяются. Однако в любом случае им принадлежит главенствующая роль.
В мощных ламповых генераторах с анодной модуляцией применяют, как правило, комбинированное смещение, когда часть напряжения смещения подаётся от независимого источника, а часть за счёт сеточного тока (см. лекцию 13). В этом случае величина сопротивления автосмещения ориентировочно определяется из соотношения
,
где ЕИСТ СМ – напряжение смещения от независимого источника. Необходимо для предотвращения выхода из строя лампы модулируемого генератора при исчезновении возбуждения. Величина его должна быть такой, чтобы при исчезновении возбуждения ток лампы удовлетворял условию
.
Величина сопротивления RC уточняется при настройке генератора. Сопротивление RC , обеспечивая линейную зависимость IС0(ЕА), способствует уменьшению средней за период модуляции мощности, рассеиваемой на сетке, по сравнению с режимом без такого сопротивления.
Схема сеточной цепи генератора с анодной модуляцией и с использованием комбинированного смещения представлена на рис.26.6.
Величина ёмкости СС , шунтирующей сопротивление RC по высокой частоте, должна удовлетворять условию
. (**)
Только при таком условии, когда сопротивление цепи автосмещения для токов самой высокой модулирующей частоты FВ будет практически такое же, как и для постоянной составляющей, напряжение смещения при модуляции будет изменяться в фазе с изменением IC0.4 Конденсатор ёмкостью СБЛ Ω должен иметь очень малое сопротивление для токов самой низкой модулирующей частоты FН, защищая этим самым источник независимого смещения от переменных токов. Условие (**), очевидно, остаётся в силе и при отсутствии источника независимого смещения –ЕИСТ СМ, то есть при использовании только сеточного автосмещения.
Несколько слов о настройке генераторов с анодной и коллекторной модуляцией. Если есть возможность снять СМХ, то настройка генераторов производится точно также, как и генераторов с модуляцией смещением (см. лекцию 24). Снятие СМХ возможно в транзисторных генераторах и в отдельных случаях маломощных ламповых генераторов при наличии регулируемого источника анодного питания. При осуществлении анодной модуляции в мощном выходном каскаде радиопередатчика нет возможности снять СМХ анодного или контурного тока, так как собственный источник напряжения питания анода ЕАН выполняется так, что его выходное напряжение нельзя изменять, особенно в сторону увеличения (для снятия СМХ генератора с анодной модуляцией нужен регулируемый источник напряжения от 0 до 2ЕАН с большим рабочим током).5 В таких случаях настройка генератора начинается с режима несущей частоты при постоянном анодном напряжении ЕА = ЕАН. После подачи на анод напряжения питания ЕА = ЕАН устанавливается напряжение возбуждения, найденное при расчёте максимального режима. Далее настраивается контур и регулируется связь с нагрузкой так, чтобы режим работы лампы соответствовал расчетным данным режима несущей частоты. Режим работы контролируется с помощью приборов, измеряющих токи IА0, IС0, IКОНТ. Затем включается модуляционное устройство, с выхода которого (от модулятора) подаётся необходимое напряжение низкой частоты и с помощью контрольно-измерительных приборов, включая измерители коэффициента модуляции и коэффициента нелинейных искажений, уточняют настройку режима несущей частоты.