Лекция 27

Амплитудная модуляция в генераторах на многоэлектродных лампах: анодно-экранная и пентодная модуляции. Принцип, схемы, модуляционные характеристики, энергетические и качественные показатели, основы инженерного расчёта. Схемы модуляторов. Амплитудное телеграфирование.

Использование многоэлектродных генераторных ламп: тетродов и пентодов¹позволяет строить генераторы с большим коэффициентом усиления по мощностиК_Р, чем при использовании триодов (у генераторов на мощных современных тетродах достижимы значенияК_Рдо 40 – 50 и выше, тогда как у генераторов на мощных триодах до 10 – 15). Кроме того, применение тетродов и пентодов обеспечивает устойчивую работу генератора по схеме с общим катодом до более высоких частот (см. лекцию 14). Больший коэффициент усиления по мощности и большая устойчивость генераторов – усилителей мощности на тетродах и пентодах упрощают построение радиопередатчика и сокращают число его каскадов. Тетроды и пентоды удобны для осуществления сеточной модуляции. При этом ток управляющей сетки может отсутствовать, соответственно модулятор оказывается простым и представляет собою усилитель напряжения, то есть от модулятора не требуется мощность. Но сеточная модуляция обладает низкой энергетической эффективностью.

Использование анодной модуляции позволяет построить генератор амплитудно-модулированных колебаний с высокой энергетической эффективностью. Однако, если анодную модуляцию осуществлять в генераторе на тетроде или пентоде, то оказывается очень тяжёлым режим второй (экранной) сетки из-за значительного увеличения её тока, который она не выдерживает. В дополнение к этому, при уменьшении напряжения на аноде при анодной модуляции при неизменном напряжении на второй сетке у большинства тетродов проявляется динатронный эффект, когда ток второй сетки дополнительно возрастает за счёт электронов, вылетевших с разогретого анода, что делает режим работы второй сетки ещё более тяжёлым.

Поэтому, чтобы использовать преимущества тетродов и пентодов в отношении получения больших значений К_Ри большей устойчивости и преимущества анодной модуляции в отношении более высокой энергетической эффективности (больше КПД анодной цепиη_А) и при этом не иметь недопустимо тяжёлого режима по второй сетке, в генераторах на тетродах и пентодах применяют комбинированную анодно-экранную амплитудную модуляцию.

Анодно – экранная модуляция

При анодно-экранной модуляции модулирующий сигнал в форме напряжения заводится одновременно в цепи питания анода и второй (экранной) сетки. Соответственно напряжения питания анода и второй сетки изменяются по законам:

(27.1)

где Е_АН,Е_С2Н– напряжения питания анода и второй сетки в режиме молчания;U_AΩ,U_С2Ω– амплитуды модулирующих напряжений на аноде и второй сетке соответственно;m,m_C2– коэффициенты модуляции напряжения анода и второй сетки.

Обычно выбирают

Е_АН≈ (0,8…0,9)Е_{А НОМ} ;

Е_С2Н≈ (0,7…0,8)Е_{С2 НОМ}.

Синфазное изменение напряжений питания анода Е_Аи второй сеткиЕ_С2при анодно-экранной модуляции способствует выравниванию напряжённости режима второй сетки и спрямлению модуляционной характеристики.

СМХ при анодно-экранной модуляции является функцией анодного и экранного напряжений, то есть I_A1=f(E_A,E_C2). АналогичноI_A0=f(E_A,E_C2). Снимается СМХ при одновременном изменении обоих напряжений по одному и тому же закону в соответствующей пропорции.

Для лучшего понимания сути анодно-экранной модуляции обратимся к семейству статических ВАХ анодного тока, представленных на рис.27.1,аи снятых при разных значениях напряжений на второй сетке и одинаковых напряжениях на первой сетке.²

Как видно из представленных статических ВАХ, в основной области увеличение напряжения на второй сетке приводит к увеличению анодного тока. Следовательно, в этой области возможно осуществление амплитудной модуляции изменением напряжения на второй сетке: изменения выходного (анодного) тока следуют за изменениями напряжения на второй (экранной) сетке. Такая модуляция носит название экранной модуляции. Однако экранная модуляция, отвлекаясь от её качественных показателей, энергетически будет невыгодной, так как имеет место в недонапряжённом режиме. Только для максимального режима можно допустить критический режим (см. ДХ, представленные сплошными линиями на рис.27.1,а). Соответственно, по энергетическим показателям экранная модуляция подобна модуляции смещением, но, в отличие от последней, для экранной модуляции потребуется более мощный модулятор, так как ток второй сетки существенно больше тока управляющей сетки, да и напряжение для модуляции на вторую сетку требуется существенно больше. Следовательно, экранная модуляция в недонапряжённом режиме не представляет практического интереса. В этом режиме модуляция смещением в генераторах на тетродах и пентодах имеет неоспоримые преимущества перед экранной модуляцией.³Если лампа будет находиться в перенапряжённом режиме, то изменение экранного напряжения препятствует изменению анодного тока в соответствии с изменением этого напряжения и не позволяет получить линейную модуляцию. К такому заключению нетрудно подойти, если, например, принять, что приЕ_{С2 3}реализуется критический режим при нижнем угле отсечки анодного токаθ= 90° (см. ДХ, представленные штриховыми линиями на рис.27.1,а). При увеличении напряжения на второй сетке нижний угол отсечки анодного тока возрастает, что должно приводить к увеличению первой гармоники анодного тока. Однако при этом напряжении режим становится перенапряжённым и в импульсах анодного тока появляется провал, что обусловливает уменьшение амплитуды первой гармоники анодного тока. То есть оба изменяющихся фактора: нижний угол отсечки и напряжённость режима влияют на первую гармонику анодного тока в противоположных направлениях, что никак не способствует получению глубокой линейной амплитудной модуляции за счёт экранного напряжения в перенапряжённом режиме. Из рассмотрения рис.27.1,анетрудно заключить, что если одновременно с изменением экранного напряжения в перенапряжённом режиме изменить в том же направлении анодное напряжение, то напряжённость режима уменьшится (штриховые ДХ рис.27.1,акак бы потянули за нижние концы вправо). А это приведёт к увеличению первой гармоники анодного тока, так как теперь изменение нижнего угла отсечки анодного тока в сторону увеличения и уменьшение напряжённости режима, приводящее к увеличению амплитуды импульсов анодного тока и исчезновению или уменьшению провала в них, обусловливают эффективное изменение первой гармоники анодного тока, что, в свою очередь, позволяет осуществить эффективную АМ путём одновременного изменения напряжений на аноде и второй сетке согласно (27.1). При этом режим лампы может оставаться практически неизменным: либо критическим, либо слегка перенапряжённым. Изменение анодного тока при этом происходит за счёт изменения экранного напряжения, приводящего к изменению амплитуды импульсов анодного тока и угла нижней отсечки: например, с увеличением экранного напряжения возрастают амплитуда импульсов анодного тока и угол нижней отсечки, что приводит к увеличению первой гармоники анодного тока. Изменение анодного напряжения при этом играет вспомогательную роль, сводящуюся к поддержанию практически постоянной напряжённости режима лампы и генератора.⁴ДХ анодного тока при этом принимают вид, например, как показано на рис.27.1,б. В максимальном режиме обычно принимают значение нижнего угла отсечки анодного тока. При этом в телефонном режиме (режим молчания) нижний угол отсечки анодного тока оказывается равным 50…60⁰. Обратим внимание, что представленной на рис.27.1,бДХ анодного тока приЕ_А1иЕ_{С2 1}соответствуетθ= 90⁰.

Для получения 100% модуляции, очевидно, напряжение на аноде должно уменьшаться до нуля. Соответственно коэффициент модуляции анодного напряжения mдолжен быть равен единице в (27.1). Экранное напряжение при этом вовсе не обязательно должно уменьшаться до нулевого значения. Для получения 100% АМ обычно оказывается достаточным иметьm_C2= 0,9…1,0.

СМХ генератора с анодно-экранной модуляцией представлены на рис.27.2.

В режиме несущей частоты (режим молчания)

Е_АН=Е_{А МАКС} /2 ;Е_С2Н= (Е_С2МАКС–Е_С2МИН)/2.

Амплитуда модулирующего сигнала

U_AΩ=mЕ_АН;U_C2Ω=m_C2Е_С2Н.

При линейности модуляции, очевидно, справедливо считать

,

где коэффициент модуляции анодного тока mравен коэффициенту модуляции анодного напряжения (коэффициент модуляции экранного напряженияm_C2может быть немного меньше, что отражено на рис.27.2, гдеm= 1,m_C2< 1).

Если можно пренебречь проницаемостью лампы (D= 0) и принять, что при модуляции сохраняется критический режим, то амплитуда первой гармоники анодного тока

.

Если D= 0, то для нижнего угла отсечки анодного тока справедливо выражение (см. лекцию 4, ф-ла (4.15а))

,

где – напряжение приведения по второй сетке;⁵D_C2 – проницаемость лампы по второй сетке (D_C2= Δe_C/Δe_C2при i_A=const).

Очевидно, ΔЕ ^/_С=D_С2ΔЕ_С2. Напомним, что в системе координатi_A,e_Cпри увеличении напряжения второй сетки статические ВАХ анодного тока смещаются влево, то есть в область более отрицательных значений напряжения отсечкиЕ ^/_С(см. лекцию 4). Следовательно, увеличение экранного напряжения приводит к пропорциональному увеличению напряжения отсечки. Зная зависимостьЕ ^/_С=f(E_C2), можно рассчитать изменение нижнего угла отсечки анодного токаθ=f(E_C2) и соответственно изменение амплитуды первой гармоники анодного тока.

Если обратиться к СМХ генератора с анодно-экранной модуляцией, то на ней можно выделить два участка (рис.27.2). Верхний участок 1 соответствует недонапряжённому режиму лампы по первой (управляющей) сетке, нижний участок 2 соответствует перенапряжённому (в любом случае более напряжённому) режиму по первой сетке (при малых значениях Е_С2ток управляющей сетки возрастает). Для облегчения режима управляющей сетки и спрямления СМХ в нижней части в генераторах с анодно-экранной модуляцией применяют сеточное автосмещение, либо комбинированное смещение: часть за счёт сеточного автосмещения, часть от независимого источника смещения. С подобной реализацией смещения мы встречались в генераторах с анодной модуляцией на триодах, в которых применение сеточного автосмещения обусловливало двойную модуляцию. Аналогично обстоит дело и в генераторах с анодно-экранной модуляцией.

Возможные варианты схем осуществления анодно-экранной модуляции показаны на рис.27.3.

На схемах показано последовательное питание анода и сеточное автосмещение. В отдельных случаях возможно применение комбинированного смещения. Сеточное автосмещение и комбинированное смещение реализуются как и в генераторе с анодной модуляцией (рис.26.6 и соотношение (**)). Величина сопротивления сеточного автосмещения R_Cпри настройке генератора может уточняться по сравнению с расчётной. Схемы могут быть выполнены с параллельным питанием анода. Конденсаторы ёмкостьюС_ωобладают малым сопротивлением на несущей частоте, а конденсаторС_Ωобладает малым сопротивлением на частоте модулирующих колебаний. ИндуктивностиL_ωпредставляют большое сопротивление для токов несущей частоты.

В схеме рис.27.3,апитание второй сетки осуществляется от источника анодного питания через гасящий резисторR_C2. В такой схеме коэффициент модуляции анодного и экранного напряжений одинаковы, то естьm=m_C2.

Действительно, если считать изменения анодного и экранного токов линейными, то для напряжения на второй сетке можно записать следующее выражение

согласно которому .

Соответственно

,

из которого следует m_C2=m.

Следовательно, указание в отдельных работах, что в данной схеме анодно-экранной модуляции коэффициент модуляции экранного напряжения меньше коэффициента модуляции анодного напряжения не является корректным.

Из-за значительных потерь мощности на гасящем сопротивлении в цепи второй сетки R_C2рассматриваемая схема осуществления анодно-экранной модуляции в мощных генераторах нежелательна, так как значительно снижается общий КПД генератора и передатчика в целом. Величина гасящего сопротивленияR_C2уточняется при настройке генератора.

Схема анодно-экранной модуляции рис.27.3,бявляется более экономичной, поскольку для питания второй сетки используется дополнительная обмотка модуляционного трансформатора и отдельный источник питания второй сеткиЕ_С2Н. В этой схеме может быть реализовано любое соотношение междуmиm_C2. Очевидно, для реализации данной схемы может быть использован модулятор по схеме рис.26.10, у которого выходное напряжение«к выходному каскаду»подаётся на анод, а выходное напряжение«к предвыходному каскаду» подаётся на вторую сетку. При использовании такой схемы исключается подмагничивание сердечника модуляционного трансформатора, что способствует уменьшению нелинейных искажений в модуляторе. При этом уменьшаются требуемые размеры трансформатора, объём трансформаторного железа и расход медного провода для обмоток. Необходимость применения модуляционных дросселей несколько уменьшает выигрыш по расходам трансформаторного железа и медного провода, но общий выигрыш всё-таки оказывается заметным.⁶

Так как при анодно-экранной модуляции напряжение на аноде и анодный ток лампы изменяются как и при анодной модуляции, то для анодной цепи генератора с анодно-экранной модуляцией справедливы все энергетические соотношения, полученные для анодной модуляции. Напряжение на экранной сетке изменяется при модуляции как и на аноде. Точно также изменяется ток второй сетки (рис.27.2). Отличие второй сетки от анода только в том, что в её цепи не производится колебательная мощность. Следовательно, потребляемая цепью второй сетки мощность рассеивается на этой сетке.

Средняя потребляемая цепью второй сетки мощность

,

где P_C20Н=Е_С2Н I_С20Н– потребляемая цепью второй сетки мощность в режиме несущей частоты (молчания) от источника питания постоянного напряжения (Е_АНв схеме рис.27.3,аиЕ_С2Нв схеме рис.27.3,б).

Слагаемое определяет величину дополнительной мощности, потребляемой цепью второй сетки от модулятора. Обратим внимание, еслиm_C2=m, то СМХI_С20(рис.27.2) будет выходить из начала координат приЕ_А= Е_{А МИН}= 0,Е_С2=Е_{С2 МИН}= 0.

Очевидно, в генераторе должно выполняться условие .

Лампа для генератора с анодно-экранной модуляцией должна выбираться на колебательную мощность как и для генератора с анодной модуляцией, то есть

.

Если приняты напряжения Е_АН<Е_{А НОМ};Е_С2Н<Е_С2НОМ, то при выборе лампы по последнему соотношению надо исходить из знака неравенства.

Требуемая мощность от модулятора

. (27.2)

Лампы для модулятора выбираются с учётом потерь в модуляционном трансформаторе. Как и при анодной модуляции, модуляторы для анодно-экранной модуляции строятся по двухтактным схемам.

Чтобы сохранить энергетическую эффективность анодно-экранной модуляции при построении радиопередатчика в целом, её, как и анодную модуляцию, осуществляют в выходном каскаде передатчика.

Несмотря на высокие энергетические характеристики, анодно-экранная модуляция длительное время не имела самостоятельного значения в технике радиопередающих устройств звукового вещания, поскольку уступала в отношении нелинейных искажений тройной анодной модуляции. Наиболее конкурентоспособной считалась схема анодно-экранной модуляции с гасящим резистором (рис.27.3,а), приближающаяся по нелинейным искажениям к двойной анодной модуляции. Однако схема неприменима в выходных каскадах мощных радиопередатчиков из-за больших потерь мощности в гасящем резисторе. Поэтому в радиовещательных передатчиках анодно-экранной модуляции отводилась второстепенная роль. Она часто использовалась в предвыходных каскадах при тройной анодной модуляции.

Увеличение мощности выпускаемых генераторных тетродов, применение которых в выходных каскадах мощных радиопередатчиков позволяет увеличить реализуемое усиление и промышленный КПД, что упрощает передатчик и уменьшает его габариты, заставляло специалистов продолжать исследования анодно-экранной модуляции и искать способы снижения возникающих при модуляции нелинейных искажений.

В итоге с начала 80-х годов прошлого столетия все вновь выпускаемые ведущими зарубежными фирмами вещательные передатчики длинных, средних и коротких волн мощностью от 100 кВт и выше были оснащены тетродами в оконечных и предоконечных каскадах и транзисторами в остальных.

Отечественной промышленностью в 60-х годах прошлого столетия выпущены два мощных тетрода, один из которых использовался в оконечном каскаде связного передатчика, а другой – в предварительных каскадах ряда вещательных передатчиков. В последние два десятилетия отечественной промышленностью выпущено несколько тетродов с номинальной мощностью 120, 250 и 1000 кВт, которые с успехом можно использовать в каскадах с анодно-экранной модуляцией.

Эквивалентное сопротивление генератора с анодно-экранной модуляцией, являющееся нагрузкой модулятора, может быть найдено следующим образом.

Соотношение (27.2) можно записать в виде

,

где R_Г– эквивалентное сопротивление модулируемого генератора, отнесённое к анодной обмотке модуляционного трансформатора (обмотка, с которой снимается модулирующее напряжение на анодU_АΩ=mЕ_АН).

Из последнего выражения получаем

.

Если у тетрода явно выражен динатронный эффект, то анодно-экранная модуляция в генераторе на таком тетроде должна осуществляться в критическом режиме без захода в перенапряжённый режим в любой точке модуляции. Определение коэффициента использования анодного напряжения в критическом режиме должно проводиться с учётом этой особенности по формуле (7.1).⁷Обратим внимание, что при изменении напряжения второй сетки за счёт подачи на неё модулирующего сигнала пропорционально изменяется напряжение анодного сдвигаЕ ^/_А, поэтому для осуществления 100% модуляции анодное напряжение надо изменять в пределах от нуля доЕ_{А МАКС}, а не отЕ ^/_АдоЕ_{А МАКС}, как указывается в отдельных работах. Главное, чтобы минимальное результирующее напряжение на аноде (то есть с учётом колебательного напряжения) в каждый момент времени не оказывалось меньше соответствующего значенияЕ ^/_А.

Взаключение приведём более простую схему (рис.27.4), рассматриваемую как схема анодно-экранной модуляции. При работе лампы в перенапряжённом режиме уменьшение напряжения на аноде за счёт модулирующего сигнала увеличивает напряжённость режима по второй сетке. Соответственно уже небольшое увеличение тока второй сетки приводит к значительному увеличению падения напряжения на большом сопротивлении гасящего резистораR_С2, что, в свою очередь, обусловливает значительное понижение напряжения на второй сетке, а это приводит к уменьшению напряжённости режима. В данной схеме изменение тока второй сетки получается в противофазе с изменением напряжения на ней, что облегчает температурный режим второй сетки. Как и в схемах анодно-экранной модуляции (рис.27.3), в рассматриваемой схеме имеет место дополнительная модуляция смещением. Очевидно, схему (рис.27.4) правильнее рассматривать как схему комбинированной анодной модуляции генератора на тетроде.

Пентодная модуляция (модуляция на защитную сетку)

Вгенераторах на пентодах возможно осуществление АМ путём подачи напряжения модулирующего сигнала на защитную (пентодную, она же антидинатронная, она же третья) сетку. Одна из возможных схем осуществления пентодной модуляции показана на рис.27.5. КонденсаторС_БЛпредставляет малое сопротивление по высокой (несущей) частоте и большое сопротивление по частоте модулирующего сигнала. Таким образом, по высокой частоте третья сетка практически имеет потенциал катода.

На рис.27.6 представлены статические ВАХ анодного тока i_A(e_A) при разных напряжениях на защитной (третьей) сеткеЕ_С3. Приведенные ВАХ показывают, что при изменении напряженияЕ_С3в области положительных значений анодный ток не претерпевает заметных изменений.⁸При этом происходит лишь некоторое изменение крутизны линии критических режимов. При увеличении напряженияЕ_С3крутизна линии критических режимомS_КРнесколько возрастает. Это означает, что модуляционные свойства при изменении напряженияЕ_С3в положительной области весьма ограничены и не могут быть эффективно использованы. В то же время отрицательные значения напряженияЕ_С3вызывают смещение линии критических режимов вдоль осие_А, что позволяет осуществить эффективную модуляцию при значенияхЕ_С3< 0. Однако приЕ_С3< 0 сильно увеличиваются значения токов управляющей (первой) и особенно экранной (второй) сеток. Следовательно, при модуляции на пентодную сетку режим лампы получается перенапряжённым, особенно по второй сетке. Степень перенапряжённости режима возрастает по мере уменьшения напряженияЕ_С3. При определённом отрицательном значении напряженияЕ_С3лампа запирается по анодной цепи и анодный ток лампыi_А= 0. Величина этого напряжения может быть определена из соотношения, позволяющего «пересчитать» анод на место третьей сетки (эквивалентный анод), напряжение на котором

,

где – коэффициент усиления по пентодной (третьей) сетке.

Анодный ток становится равным нулю при Е_{ЭКВ А}= 0. Соответственно, напряжение на третьей сетке, при котором лампа запирается по анодному току,

.

При положительных напряжениях на третьей сетке значение близко к нулю и возрастает при отрицательных напряжениях, достигая практически постоянного значения на довольно коротком интервале напряжений от нуля в отрицательную сторону.

Процесс модуляции анодного тока при модуляции на пентодную сетку поясняется рис.27.7. Уменьшение напряженияЕ_С3обусловливает смещение линии критических режимов вправо, что вызывает деформацию импульсов анодного тока. Уменьшение напряжения на пентодной сетке приводит также к уменьшению нижнего угла отсечки анодного тока и углублению провала на вершине импульса. При этом изменение формы импульсов анодного тока примерно такое же, как при анодной модуляции в перенапряжённом режиме.

СМХ при пентодной модуляцииI_А1(Е_С3) представлена на рис.27.8.⁹На практике обычно принимаютЕ_С3МАКС= 0. Это означает, что результирующее напряжение на третьей сетке в процессе модуляции не заходит в область положительных значений. Соответственно лампа работает без тока третьей сетки, и по цепи третьей сетки мощность не потребляется. Напряжение на третьей сетке в режиме молчания (несущей частоты) принимается

и подаётся от отдельного источника. Для получения 100% модуляции амплитуда модулирующего напряжения U_{С3 Ω}= |Е_С3Н|. В общем случаеU_{С3 Ω}=m|Е_С3Н|, гдеm– необходимый коэффициент модуляции анодного тока, соответственно и напряжения третьей сетки.

Пентодная модуляция в чистом виде, когда напряжение возбуждения U_МС=const, напряжение смещенияE_C=const, напряжение на второй сеткеE_C2=constпрактически не применяется, так как вблизи напряженияЕ_С3МИНочень велики сеточные токи, особенно у второй сетки (рис.27.8). Чтобы уменьшить напряжённость режима по первой и второй сеткам, в их цепи включают сопротивленияR_CиR_C2соответственно (см. рис.27.5), выбор величин которых некритичен. Сопротивления ёмкостейС_СиС_С2соответственно в цепи управляющей и второй сеток должны быть малы по высокой частоте и больше соответствующих сопротивленийR_CиR_C2на частотах модуляции.

Опыт показывает, что при правильном режиме работы во многих случаях оказывается возможным получить глубокую (до 80…90%) модуляцию на пентодную сетку без значительных нелинейных искажений. Использование сеточного автосмещения (или комбинированного смещения, когда часть напряжения подаётся от отдельного источника) и включение гасящего резистора с достаточно большим сопротивлением в цепь второй сетки R_C2, строго говоря, обусловливают не просто пентодную, а комбинированную пентодную модуляцию.

Так как лампа работает без тока третьей сетки, то для пентодной модуляции требуется очень маломощный модулятор. Мощность модулятора для пентодной модуляции меньше, чем для модуляции смещением. В этом преимущество пентодной модуляции перед сеточной. Для пентодной модуляции применяют те же схемы модуляторов, что и для сеточной модуляции.

В заключение отметим, что несмотря на то обстоятельство, что пентодная модуляция, как и анодная, осуществляется в перенапряжённом режиме, в энергетическом отношении она эквивалентна сеточной модуляции. При этом в режиме несущей частоты КПД анодной цепи

,

где η_{А МАКС}– КПД анодной цепи в максимальном режиме.

Низкое значение η_АНобъясняется низким значением коэффициента использования напряжения анодного питанияв режиме несущей частоты. Однако, несмотря на сходство, КПД анодной цепи в режиме несущей частоты, соответственно и средний КПД за период модулирующей частоты, при пентодной модуляции получается немного больше. При сеточной модуляции нижний угол отсечки анодного тока в максимальном режиме выбирается не менееθ_МАКС≈ (90…100)⁰(предельное значение 120⁰), тогда как при пентодной модуляции можно выбратьθ_МАКС≤ 90⁰. Соответственно при пентодной модуляции можно получить несколько большее значениеη_{А МАКС}.

Лампа для генератора с пентодной модуляцией выбирается как и для генератора с сеточной модуляцией на колебательную мощность

.

Источник возбуждения генератора с пентодной модуляцией рассчитывается на требуемую мощность возбуждения в максимальном режиме (очевидно, для максимального режима может быть принят критический или слегка перенапряжённый режим лампы).¹⁰Соответственно при перемещении от максимального режима к минимальному амплитуда возбуждения будет понижаться за счёт большей нагрузки на источник возбуждения. Уменьшение амплитуды возбуждения соответственно и мощности возбуждения облегчает режим управляющей сетки. В этом отношении пентодная и анодная модуляции сходны. В частности, в обоих случаях при 100% модуляции мощность возбуждения в минимальном режиме принципиально не нужна. Однако по факту в минимальном режиме имеет место потребление мощности от источника возбуждения, значительная часть которой рассеивается на сетке.