Дополнительные варианты
Рассмотрите полевой транзистор с управляющим переходом на основе кремния с каналом n-типа проводимости и двумя затворами.
затвор +
Uзи
исток -
+
–
Электрофизические параметры:
концентрация донорной примеси в канале ND = 6·1015 см-3, концентрация акцепторной примеси в p-области затвора NА=1·1018 см-3.
1. Нарисовать семейства выходных характеристик и объяснить принцип действия полевого транзистора.
2.Определить:
а) Сопротивление полностью открытого канала Rси;
б) Напряжение отсечки Uзи;
в) Емкость затвора Сзи при напряжении на затворе Uзи= 0;
г) Максимальную рабочую частоту fmax.
Указания: Nc=Nv=1019см-3; μn=1380 см²/В·с, μp=400 см²/В·с, ΔESi = 1,21 эВ. εSi = 12, ε0= 8,85·10-12 Ф/м.
Таблица вариантов
|
24-1 |
24-2 |
24-3 |
24-4
|
24-5
|
24-6
|
24-7 |
ND
NA |
6∙1014
1·1019 |
6∙1016
1·1016 |
6∙1017
1·1017 |
6∙1012
1·1017 |
6∙1015
1·1017 |
6∙1018
1·1016 |
6∙1019
1·1016 |
L |
30 |
35 |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
d |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
z |
500 |
350 |
400 |
200 |
250 |
270 |
330 |
Библиографический список
1. Г.И. Епифанов ., Мома Ю.А. Твёрдотельная электроника.
– М.: Высшая школа, 1986. - 320 с.
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника, физические и технологические основы, надёжность. – М.: Высшая школа, 1986. - 460 с.
3. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. - М.: Мир, 1989, - 630 с.
4. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1979. – 630 с.
5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488 с.
6. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1963. – 654 с.
7. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая щкола, 1991. – 280 с.
8. Линч П., Николайдес А. Задачи по физической электронике. – Мир, 1975. – 263 с.
9. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Карпенко И.В., Миронов А.Г. Сборник задач по физике полупроводников. – М.: Наука, 1997. – 142 с.