МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Физические основы микро- и наноэлектроники

Методические указания

по выполнению курсовой работы

для студентов, обучающихся

по направлению 211000

«Проектирование и технология

электронных средств»

Москва 2011

Курсовая работа по дисциплине «Физические основы нано- и микроэлектроники» предусматривает: 1 - расчет диффузионного электронно-дырочного перехода с помощью решения уравнений Фика применительно к стандартным технологическим условиям диффузии из газового источника с постоянной концентрацией на поверхности с последующей разгонкой до требуемой глубины залегания перехода; 2- расчет параметров полевого транзистора с управляющим переходом.

Условия задачи универсальны. Различие вариантов заключается в изменении начальных условий и параметров диффузии.

Содержание курсовой работы складывается из реферативной части, включающей в себя необходимые сведения по технологии и конструкции переходов с обоснованием основных расчетных соотношений, проведением расчетов, построением графической части и заключением.

При оценке работы принимается во внимание использование оригинальных источников информации и программных методов числового решения.

Содержание и правила оформления курсовой работы по дисциплине “Физические основы микроэлектроники»

Общий объем работы не менее 15 печатных или рукописных страниц.

Титульный лист оформляется строго по прилагаемому образцу. Нумерация страниц начинается с 1 страницы. Поля 2,5 см со всех сторон листа обязательны. Нумерация страниц – по центру сверху. На первой странице располагается «Содержание» с указанием номеров страниц, соответствующих разделам работы. Далее следует Задание (текст задания с номером варианта) и, желательно, анализ поставленной задачи.

Введение. Краткая аннотация с целью изложения содержания поставленной задачи для широкого круга читателей. Разъяснение сути и важности рассматриваемых вопросов в общих чертах.

Теоретическая часть. Желательно озаглавить в соответствии с конкретной темой поставленной задачи. Например: «Диффузионные и эпитаксиальные p/n –переходы», «МДП-структура», «Контакт металл-полупроводник» и т.д.

Данный раздел является реферативной частью работы и по полноте и сущности рассмотренных вопросов влияет на общую оценку работы.

В данном разделе должны быть рассмотрены вопросы, касающиеся теории поставленной задачи, приведены и обоснованы расчетные формулы и соотношения.

Расчетная часть. Должна содержать численный расчет требуемых параметров. Каждый пункт расчета должен быть выделен (номером или буквой), озаглавлен, например « Расчет диффузионного потенциала перехода».

Формулы должны содержать численную расшифровку, входящих в них величин. Обязателен расчет размерностей.

Графическая часть. В зависимости от поставленной задачи должна содержать чертежи (эскизы), графики, характеристики с таблицами рассчитанных значений.

Заключение и выводы. В этом разделе должен быть проведен анализ полученных результатов с точки зрения их реальности и сделаны выводы относительно причин возможных несоответствий. Это, например может быть некорректность поставленной задачи, нереальные исходные числовые данные, ошибки вычислений и т.п.

Библиографический список. Список использованной литературы с указанием авторов, названия, издательства и года выпуска