Вопрос 33.

Примесные полупроводники получают добавлением примеси с валентностью большей или меньшей. Если валентность примеси больше, то 1 электрон сразу становится свободным. Такие примеси (с большей валентностью) называют донорными, а полупроводник с такой примесью полупроводником n-типа. В таком полупроводнике основные носители электроны, неосновные - дырки. Если валентность примеси меньше, то 1 электрона не хватает, сразу образуется дырка. Такие примеси называют акцепторные, а полупроводники p-типа. Основные носители тока дырки, неосновные - электроны.

Вопрос 34.

Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом (основная часть) и двумя выводами. Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей р-n-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные (как разновидность выпрямительных – силовые), импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. Условные графические обозначения диодов показаны на рис. 1.10.

Рис. 1.10 Условные графические обозначения: а – выпрямительные и универсальные;

б – стабилитроны; в – двухсторонний стабилитрон; г – туннельный диод;

д – обращенные диоды; е – варикап; ж – фотодиодов; з – светодиод

Вопрос 35.

Полупроводниковые триоды широко применяются в радиоэлектронике. Полупроводниковый триод, или транзистор, представляет собой кристалл с двумя p-n-переходами, то есть с тремя слоями областей разного типа проводимости. Порядок расположения областей p-n-p или n-p-n в принципе не влияет на работу прибора, однако полярность подключаемых напряжений у триодов типа p-n-p противоположна полярности напряжений, подаваемых на триоды типа n-p-n. Рассмотрим принцип действия и устройство полупроводникового триода типа p-n-p. В левой области повы-шена концентрация примесей и, следовательно, увеличена концентрация основных носителей (в данном случае дырок), которые играют решающую роль в работе прибора. Эту область называют эмиттером. Правая область, где концентрация примесей и основных носителей значительно меньше, получила название коллектор а. Средняя область называется б а з о й. Носителями зарядов в этой области для триода типа p-n-p являются дырки, которые диффундируют (проникают) из эмиттера, так как к нему подключено положительное напряжение. Когда к коллекторному переходу приложено обратное напряжение, то в коллекторной цепи возникнет лишь небольшой обратный ток. Если в это же время на эмиттерный переход подать прямое напряжение, то, во-первых, в эмиттерной цепи возникает ток изменяющийся в соответствии с изменением напряжения входного сигнала, и, во-вторых, обратный ток в коллекторном переходе заметно увеличится. Кроме того, этот ток тоже будет изменяться в соответствии с изменением напряжения Ес. Влияние эмнттерного тока на коллекторный объясняется тем, что оба p-n-перехода расположены так близко один от другого, что носители, пройдя эмиттерный переход, попадают под влияние кол¬лекторного перехода. Большая часть из них преодолевает его, тем более что в коллекторе низка концентрация носителей данного типа, да и приложенное к нему напряжение (обратной полярности) способствует такому «дрейфу» носителей. Благодаря описанному явлению триод обладает свойством усиления входного сигнала. Это объясняется тем, что в цепь коллектора включается большое сопротивление нагрузки на котором даже при относительно малом коллекторном токе выделяется сравнительно большое на¬пряжение сигнала. Значения тока и напряжения таковы, что мощность в нагрузке больше мощности входного сигнала.