Стоковые (выходные) характеристики

при

I_С,mA

U_ЗИ=-10В

насыщение

U_ЗИ=-8В

U_ЗИ=-6В

0 U_СИ, В

U_НАС

При происходит перекрытие канала, транзистор входит в режим насыщения – рабочий режим. Чем больше отрицательное напряжение на Затворе , тем выше концентрация дырок в канале и его проводимость, т.е. тем больше ток канала (тем выше идет характеристика).

Стоко-затворные (передаточные) характеристики

при

I_С ,mA

U_СИ=-5В

U_ЗИ, В 0

U_ПОРОГ

а)

При этом канал не образуется, и ток канала .

б)

Возникает p-канал, и ток канала растет с ростом напряжения на Затворе.

МОП- транзисторы со встроенным каналом

Канал создается в таких транзисторах технологически – отличие от МОП-транзисторов с наведенным каналом.

Обозначение:

ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом

I_С,mA обогащение

2

U_ЗИ=+1В

1

U_ЗИ=0

3

обеднение U_ЗИ=-1В

0 U_СИ, В

I_С ,mA

U_СИ=5В

обеднение обогащение

-U_ЗИ, В 0 +U_ЗИ, В

U_ОТС

Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.

а) Пусть (поперечное поле отсутствует).

Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).

б) Пусть

Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.

в) Пусть

Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения.

Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.