Лабораторная работа № 7.

Исследование характеристик биполярного транзистора

1. Получение входной характеристики биполярного транзисторав схеме с общим эмиттером

1.1. Установите ключ в разъем модуля М5 лабораторного стенда. Внеш­ний вид модуля показан на рис.7.1.

Рис. 7.1.

1.2. Загрузите и запустите программу Lab7(M5).vi. На экране появится изображение лицевой панели ВП. При запуске программы активной будет закладка «Входная вольтамперная характеристика» 7.2., исполь­зуемая при выполнении задания 1.

Рис. 7.2.

1.3. Запустите программу, нажав кнопку RUN c изображением стрелки в верхней части рабочего окна .

1.4. Установите переключатель «К» модуля М5 в положение «1». При этом в цепь коллектора транзистора будет включен резистор сопро­тивлением 300 Ом.

1.5. С помощью элемента управления на лицевой панели ВП уста­новите значение напряжения питания в цепи коллектора Е_K. равным 10 В. Нажмите на панели ВП кнопку «Измерение». На графическом индикаторе ВП появится график зависимости входного тока I_Б. транзистора от входно­го напряжения U_Б.Э. .Скопируйте изображение входной ВАХ в отчет.

1.6. Изменяя напряжение источника питания в цепи базы Е_Б. с по­мощью ползункового регулятора, расположенного на лицевой панели ВП, установите значение тока базы сначала примерно равным 10 мкА, а затем примерно равным 40 мкА. Запишите в отчет значения тока базы I_Б и на­пряжения база-эмиттер U_Б.Э. для этих точек входной характеристики.

1.7. Используя полученные в п.1.5 значения тока базы и напря­жения база-эмиттер, вычислите дифференциальное входное сопротивление транзистора по формуле . Полученное значение запишите в отчет.

2. Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

2 .1. На лицевой панели ВП нажмите мышью на закладку «Выход­ные вольтамперные характеристики». На экране появится изображение ВП, приведенное на рис. 7.3.

Рис. 7.3.

2.2. Нажмите на лицевой панели ВП кнопку «Измерение». ВП произведет измерение зависимостей коллекторного тока I_К. от напряжения коллектор-эмиттер U_K.Э.. Измерения выполняются при фиксированных зна­чениях напряжения источника питания в цепи базы Е_Б., которые представ­лены на лицевой панели ВП слева от схемы измерений в виде таблицы. В процессе измерений напряжение источника питания в цепи коллектора Е_K. плавно изменяется от 0 до 10 В. На экране графического индикатора ото­бражаются графики полученных зависимостей, а также соответствующие им значения тока базы I_Б..

2.3. При необходимости с помощью кнопок изменения значений цифровых элементов управления можно задать другие величины напряже­ния Е_Б.. После нажатия на кнопку «Измерение» выходные характеристики бут построены заново. Скопируйте изображение полученных ВАХ в отчет. Около каждого графика укажите соответствующее значение тока базы I_Б..

2.4. Для каждой полученной выходной характеристики определите значение тока коллектора I_К., соответствующее напряжению U_K.Э.=5 В. Для этого с помощью расположенного на лицевой панели ВП ползункового ре­гулятора «X» установите вертикальную визирную линию напротив деле­ния «5 В» горизонтальной оси графика. Затем с помощью горизонтальной визирной линии, перемещаемой ползунковым регулятором «Y», получите значения коллекторного тока в точках пересечения выходных характери­стик с вертикальным визиром. Полученные результаты запишите в отчет.

2.5. Используя значения тока коллектора, полученные в п.2.4, и значения тока базы, отображаемые на поле графика выходных ВАХ, опре­делите коэффициент передачи тока по формуле , где , a .Полученное значение запишите в отчет.

2.6. Выключите ВП, для чего нажмите на лицевой панели ВП кнопку «Завершение работы».

Контрольные вопросы.

1. Изобразите возможные схемы включения биполярного транзистора.

2. Укажите факторы, определяющие силу тока, протекающего через коллектор биполярного транзистора.

3. Зависит ли коэффициент β_DC от тока коллектора? Если да, то в какой степени? Обоснуйте ответ.

4. Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости то­ка коллектора от тока базы и напряжения коллектор-эмиттер?

5. Зависит ли дифференциальное входное сопротивление биполярного транзистора от тока эмиттера?