6.2.2.3. Еквівалентні параметри "реактивних" транзисторів.

Для числового визначення реактивності С_екв чи L_екв "реактивного" транзистора рівняння залежності вихідного струму польового чи біполярного транзистора:

.

Оскільки ця залежність визначає зміну струму I_к(с) від зміни напруги U _{зв (бе)} і U _{с (к)}, то виходячи з форми вихідної характеристики ПТ чи БТ (вони фактично мають один вигляд), можна зробити висновок про те, що вихідний струм (його приріст) в основному визначається приростом напруги U _{зв (бе)}, і дуже мало - від приросту напруги U _с(к)(мал. 6.32а).

Мал. 6.32. Вихідні характеристики транзисторів, схеми "реактивних" транзисторів і вибір робочої точки на перехідних характеристиках.

Тому вищезгадане рівняння вихідного струму з достатньою достовірністю можна записати :

.

Для схеми "реактивного" транзистора в вигляді еквівалентної ємності (мал. 6.32б) її опір X_{С екв} записується:

.

Оскільки струм RC-схеми 1/ωс >> R визначається:

.

Падіння напруги .

Струм

Оскільки , то , тоді ,

тобто еквівалентна ємність "реактивного" транзистора визначається йо­го RС-схемою і крутістю транзистора. В практичних схемах частотної модуляції для синхронної зміни С_екв при подачі модулюючої напруги змінюють крутість транзистора. Для цього робочу точку А необхідно виб­рати на ділянці змитої крутості перехідної характеристики транзис­тора (мал.6.32г). Це, як правило, нижня ділянка перехідної характеристики, де крутість транзистора змінюється в значних межах.

Для схеми "реактивного" транзистора в вигляді еквівалентної

Індуктивності (мал.6.32в) її опір X_Lекв записується:

Оскільки струм RC-схеми при R >> 1/ωс визначається: . Падіння напруги

Так, як в схемі "реактивного" транзистора, в вигляді, еквівалентної ємності, в цій схемі зміну L_екв здійснюють зміною крутості тран­зистора.

Необхідно відзначити, що С_екв та L_екв "реактивних " транзисторів змінюється в значних межах, що дозволяє одержати необхідну девіацію частоти автогенератора радіопередавача.

6.2.2.4. Схеми частотної модуляції на "реактивних" транзисторах.

Частотна модуляція на "реактивних" транзисторах здійснюється в схемі, автогенератора, як правило, з послідовним живленням .

Пояснюється це тим, що реактивний транзистор одночасно повинзн бути ввімкнений по змінній складовій струму паралельно коливальному контуру з одночасною подачею напруги живлення на колектор (сток) "реактивного" транзистора. Практичні схеми модуляції на "реактивних" транзисторах зображені на мал. 6.33.

Мал. 6.33. Практичні схеми частотної модуляції з

використанням "реактивних" транзисторів.

В схемі на біполярних транзисторах (мал.6.33а) використовуєть­ся "реактивний" транзистор VT1 в вигляді еквівалентної індуктив­ності при RC-схемі в базовому колі (С_бл є коротким замиканням по змінній високочастотній складовій струму і призначанні для блокуван­ня бази VT1по постійному струму). По змінній складовій струму "реактивний" транзистор VT1 (його ділянка колектор-емітер) ввімкнений паралельно коливальному контуру L _к С_к автогенератора, який зібраний на VT2 по схемі з індуктивним зв'язком. Резистивним діль­ником R₁, R₂, R₃ вибирається робоча точка транзистора автогенератора VT2, а також "реактивного" транзистора VТ1 , де падіння напруги U_R1 визначає робочу точку на ділянці змінної крутості. Напруга звукової частоти U_Ω подається на базу "реактивного" транзистора через модулюючий трансформатор Т1. І загороджуючий дросель Lgp .який призначений для усунення: попадання високочастотної напруги в коло модулятора. Зміна індуктивності "реактивного" транзистора приводить до зміни резонансної частоти коливальної системи автогенератора, з якої знімається вихідна напруга частотної модуляції U_ЧМ .

В схемі частотної модуляції на польових транзисторах (мал.6,33 б) використовується "реактивний" польовий транзистор VT2 в вигляді еквівалентної ємності при RC-схемі в затворному колі (C_блω, закорочує нижній відвід опору R на корпус по змінній високочастотній складо­вій Струму). Вибір робочої точки на ділянці змінної крутості здійснюється при допомозі джерела живлення Е_ЗМ . Напруга модулятора U_Ω подасться через модуляційним низькочастотний трансформатор Т1."Реак­тивний" транзистор (його ділянка сток-виток) ввімкнений паралельно коливальному контуру автогенератора L_K C_K, резонансна частота якого змінюється при зміні амплітуди U_Ω, Вихідна напруга U_ЧМ знімаєть­ся з коливального контура.

Можливі і інші схеми частотної модуляції з використанням "реак­тивних" транзисторів, в яких еквівалентна ємність чи індуктивність в основному створюється при допомозі RC-схеми, оскільки з конструктивних міркувань використання LR-схеми недоцільно.