Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
лаба МСхТ.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
28.12.2019
Размер:
938.3 Кб
Скачать
  1. Измерим передаточную и входную характеристику микросхемы к561ла7

Соберем схему рис.2.3

Лабораторная работа № 2 (рис. 2.3 для К561 ЛА7)

Подключим соответствующие элементы в соответствии в рис.2.3. Измерим передаточную Uвых=f(Uвх), входную Iвх=f(Uвх) характеристики и потребляемый ток Iп=f(Uвх).

 

Микросхема К561ЛА7

Uвх,В

Uвых,В

Iвх,мА

Iп,мА

10

0

0

0

9

0

0

0

8,5

0

0

0,01

8

0

0

0,18

7

0

0

0,84

6

0

0

1,73

5

0

0

2,67

4,17

0

0

3,86

4,01

0,14

0

7,84

3,91

3,23

0

11,78

3,7

4,53

0

11,79

3,61

5,01

0

11,83

3,57

9,69

0

5,98

3,44

9,97

0

2,59

3,4

9,98

0

2,41

3,25

9,99

0

1,99

3,08

10

0

1,62

Таблица №4 Измеренные характеристики микросхемы К561ЛА7

Рис. 8. Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх) – сплошная линия, Uвх= f(Uвых) – пунктирная линия

Определим из графика: Uп+=3,5-0,05=3,45 В

Uп-=10-4=6 В

U0=0,05 В

U1=10 В

Рис. 9. Входная характеристика Iвх=f(Uвх)

Рис. 10. Потребляемый ток Iп=f(Uвх).

Из графика видно, что микросхема на КМОП-транзисторах, находясь в статических состояниях, почти не потребляет ток

  1. Измерим ток, потребляемый от источника питания I0п при Uвх=U0 и I1п при Uвх=U1. (Для уровней U0 и U1 используются паспортные данные). Результаты занесем в таблицу 5.

 

Микросхема К561ЛА7

U°, B

I°п , мА

U¹,B

п,мА

2,9

1,34

7,2

0,67

Таблица №5

Вычислим среднюю потребляемую мощность:

, мВт, где Е – напряжение источника питания, В, Iп0 и Iп1 – ток, мА, потребляемый логическим элементом в в состоянии лог. 0 и лог. 1, соответственно.

Pп=0,5*10*(1,34+0,67)=6,005 мВт.

6. Измерим нагрузочную способность микросхемы.

Подадим на вход ИМС паспортное значение напряжения логического нуля Uвх=U0 (для К155ЛА3 U0вых  0,4В) Подключим к выходу 3 ИМС сопротивления нагрузки Rн=10кОм, 1кОм, 470 Ом, 100 Ом, измерим нагрузочную выходную характеристику U1вых=f(Rн). Результаты занесем в таблицу 6.

 

Микросхема К561ЛА7

 

Rн, Ом

10000

1000

470

100

U¹вых, В

9,8

8,35

7,27

2,35

Таблица №6

Рис. 11. Нагрузочная выходная характеристика U1вых=f(Rн).

  1. Исследуем быстродействие логической микросхемы К155ЛА3

Соберем схему рис. 2.4

Рис. 2.4

Лабораторная работа № 2 (рис.2.4)

Четыре логических элемента включены последовательно, чтобы увеличить время задержки для облегчения измерений, поэтому полученный результат нужно разделить на четыре.

Подадим на вход прямоугольные импульсы частотой 1 кГц.

Рис. 12. Осциллограмма сигнала на входе (сверху-СН1) и на нагрузке (снизу-СН2).

Найдем время задержки:

Рис. 13. Передний фронт

Рис. 14. Задний фронт

Рис. 15. Ручки осциллографа

1 деление( одна клетка)-0,1µS

Передний фронт: 0,2 деления-0,1*0,2=0,02 µS следовательно t0,1зд=0,02*10-6/4=5*10-9=5 нс

Задний фронт: 0,6 деления-0,6*0,1=0,06 µS следовательно t1,0зд=0,06*10-6/4=15*10-9=15 нс

Определим среднее время задержки распространения сигнала

tзд.ср=0,5(5+15)=10 нс.

Интегральное качество микросхемы определяется синтетическим параметром, называемым работой переключения:

, Дж.

Aпер=10*10-9*49,58*10-3=495,8*10-12 Дж.

  1. Исследуем быстродействие логической микросхемы К561ЛА7

Соберем схему рис. 2.5

Рис. 2.5

Лабораторная работа № 2 (рис.2.5)

Рис. 16. Задний фронт

Рис. 17. Передний фронт

Рис.18. Ручки осциллографа

1 деление ( одна клетка)-0,2µS

Задний фронт: 1 делени-0,2 µS, следовательно t1,0зд=0,2*10-6/4=50*10-9=50 нс

Передний фронт: 1 делени-0,2 µS, следовательно t0,1зд=0,8*0,2*10-6/4=40*10-9=40 нс

Определим среднее время задержки распространения сигнала

tзд.ср=0,5(40+50)=45 нс.

Интегральное качество микросхемы определяется синтетическим параметром, называемым работой переключения:

, Дж.

Aпер=45*10-9*6,005*10-3=270,23*10-12 Дж.

Все полученные результаты сведем в таблицу:

К5651ЛА7

U0, B

0,05

U1, B

10

I0вх, мА

0

I1вх, мА

0

I0п, мА

1,34

I1п, мА

0,67

U+п, В

3,45

U-п, В

6

Uп, В

10

tзд.ср , нс

45

Рп, мВт

6,005

Апер ,пДж

270,23

К155ЛА3

U0, B

0,1

U1, B

2,3

I0вх, мА

-0,9

I1вх, мА

0,08

I0п, мА

8,73

I1п, мА

11,1

U+п, В

1

U-п, В

2,3

Uп, В

5

tзд.ср , нс

10

Рп, мВт

49,58

Апер ,пДж

495,8

Таблица №7 Исследованные параметры микросхем

Вывод: В данной работе мы изучили электрические параметры интегральных схем транзисторно-транзисторной (ТТЛ) и КМОП логики, измерили их. Все данные свели в таблицы и построили соответствующие графики, по графикам измерили U0, U1, I0, I1. Исследовали быстродействие микросхем и нашли t0,1зд, t1,0зд, и tзд.ср.