
- •Лабораторная работа №2
- •Справочные данные исследуемых в лаборатории интегральных микросхем
- •4 Элемента 2и-не кмоп-структуры
- •Примеры схем соединений при выполнении лабораторных работ
- •Измерим передаточную и входную характеристику микросхемы к155ла3
- •Измерим передаточную и входную характеристику микросхемы к561ла7
Измерим передаточную и входную характеристику микросхемы к561ла7
Соберем схему рис.2.3
Лабораторная работа № 2 (рис. 2.3 для К561 ЛА7)
Подключим соответствующие элементы в соответствии в рис.2.3. Измерим передаточную Uвых=f(Uвх), входную Iвх=f(Uвх) характеристики и потребляемый ток Iп=f(Uвх).
|
Микросхема К561ЛА7 |
||
Uвх,В |
Uвых,В |
Iвх,мА |
Iп,мА |
10 |
0 |
0 |
0 |
9 |
0 |
0 |
0 |
8,5 |
0 |
0 |
0,01 |
8 |
0 |
0 |
0,18 |
7 |
0 |
0 |
0,84 |
6 |
0 |
0 |
1,73 |
5 |
0 |
0 |
2,67 |
4,17 |
0 |
0 |
3,86 |
4,01 |
0,14 |
0 |
7,84 |
3,91 |
3,23 |
0 |
11,78 |
3,7 |
4,53 |
0 |
11,79 |
3,61 |
5,01 |
0 |
11,83 |
3,57 |
9,69 |
0 |
5,98 |
3,44 |
9,97 |
0 |
2,59 |
3,4 |
9,98 |
0 |
2,41 |
3,25 |
9,99 |
0 |
1,99 |
3,08 |
10 |
0 |
1,62 |
Таблица №4 Измеренные характеристики микросхемы К561ЛА7
Рис. 8. Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх) – сплошная линия, Uвх= f(Uвых) – пунктирная линия
Определим из графика: Uп+=3,5-0,05=3,45 В
Uп-=10-4=6 В
U0=0,05 В
U1=10 В
Рис. 9. Входная характеристика Iвх=f(Uвх)
Рис. 10. Потребляемый ток Iп=f(Uвх).
Из графика видно, что микросхема на КМОП-транзисторах, находясь в статических состояниях, почти не потребляет ток
Измерим ток, потребляемый от источника питания I0п при Uвх=U0 и I1п при Uвх=U1. (Для уровней U0 и U1 используются паспортные данные). Результаты занесем в таблицу 5.
|
Микросхема К561ЛА7 |
||
U°, B |
I°п , мА |
U¹,B |
I¹п,мА |
2,9 |
1,34 |
7,2 |
0,67 |
Таблица №5
Вычислим среднюю потребляемую мощность:
, мВт, где Е – напряжение источника питания, В, Iп0 и Iп1 – ток, мА, потребляемый логическим элементом в в состоянии лог. 0 и лог. 1, соответственно.
Pп=0,5*10*(1,34+0,67)=6,005 мВт.
6. Измерим нагрузочную способность микросхемы.
Подадим на вход ИМС паспортное значение напряжения логического нуля Uвх=U0 (для К155ЛА3 U0вых 0,4В) Подключим к выходу 3 ИМС сопротивления нагрузки Rн=10кОм, 1кОм, 470 Ом, 100 Ом, измерим нагрузочную выходную характеристику U1вых=f(Rн). Результаты занесем в таблицу 6.
|
Микросхема К561ЛА7 |
|
||
Rн, Ом |
10000 |
1000 |
470 |
100 |
U¹вых, В |
9,8 |
8,35 |
7,27 |
2,35 |
Таблица №6
Рис. 11. Нагрузочная выходная характеристика U1вых=f(Rн).
Исследуем быстродействие логической микросхемы К155ЛА3
Соберем схему рис. 2.4
Рис. 2.4
Лабораторная работа № 2 (рис.2.4)
Четыре логических элемента включены последовательно, чтобы увеличить время задержки для облегчения измерений, поэтому полученный результат нужно разделить на четыре.
Подадим на вход прямоугольные импульсы частотой 1 кГц.
Рис. 12. Осциллограмма сигнала на входе (сверху-СН1) и на нагрузке (снизу-СН2).
Найдем время задержки:
Рис. 13. Передний фронт
Рис. 14. Задний фронт
Рис. 15. Ручки осциллографа
1 деление( одна клетка)-0,1µS
Передний фронт: 0,2 деления-0,1*0,2=0,02 µS следовательно t0,1зд=0,02*10-6/4=5*10-9=5 нс
Задний фронт: 0,6 деления-0,6*0,1=0,06 µS следовательно t1,0зд=0,06*10-6/4=15*10-9=15 нс
Определим среднее время задержки распространения сигнала
tзд.ср=0,5(5+15)=10 нс.
Интегральное качество микросхемы определяется синтетическим параметром, называемым работой переключения:
,
Дж.
Aпер=10*10-9*49,58*10-3=495,8*10-12 Дж.
Исследуем быстродействие логической микросхемы К561ЛА7
Соберем
схему рис. 2.5
Рис. 2.5
Лабораторная работа № 2 (рис.2.5)
Рис. 16. Задний фронт
Рис. 17. Передний фронт
Рис.18. Ручки осциллографа
1 деление ( одна клетка)-0,2µS
Задний фронт: 1 делени-0,2 µS, следовательно t1,0зд=0,2*10-6/4=50*10-9=50 нс
Передний фронт: 1 делени-0,2 µS, следовательно t0,1зд=0,8*0,2*10-6/4=40*10-9=40 нс
Определим среднее время задержки распространения сигнала
tзд.ср=0,5(40+50)=45 нс.
Интегральное качество микросхемы определяется синтетическим параметром, называемым работой переключения:
, Дж.
Aпер=45*10-9*6,005*10-3=270,23*10-12 Дж.
Все полученные результаты сведем в таблицу:
|
|||||||||||||||||||||||||||
U0, B |
0,1 |
||||||||||||||||||||||||||
U1, B |
2,3 |
||||||||||||||||||||||||||
I0вх, мА |
-0,9 |
||||||||||||||||||||||||||
I1вх, мА |
0,08 |
||||||||||||||||||||||||||
I0п, мА |
8,73 |
||||||||||||||||||||||||||
I1п, мА |
11,1 |
||||||||||||||||||||||||||
U+п, В |
1 |
||||||||||||||||||||||||||
U-п, В |
2,3 |
||||||||||||||||||||||||||
Uп, В |
5 |
||||||||||||||||||||||||||
tзд.ср , нс |
10 |
||||||||||||||||||||||||||
Рп, мВт |
49,58 |
||||||||||||||||||||||||||
Апер ,пДж |
495,8 |
Таблица №7 Исследованные параметры микросхем
Вывод: В данной работе мы изучили электрические параметры интегральных схем транзисторно-транзисторной (ТТЛ) и КМОП логики, измерили их. Все данные свели в таблицы и построили соответствующие графики, по графикам измерили U0, U1, I0, I1. Исследовали быстродействие микросхем и нашли t0,1зд, t1,0зд, и tзд.ср.