16. Схемы включения транзисторов. Схема с общим эмиттером

В данной схеме входной ток – ток базы, а выходной – ток коллектора. Входным напряжением будет Uбэ, выходным Uкэ.

Н а рисунке для n-p-n транзистора, нужно расставить токи и нарисовать аналогичную схему для p-n-p. Дифференциальный статический коэффициент передачи тока базы β=ΔIk/ΔIб=α/(1-α)>1. Таким образом транзистор в схеме с ОЭ обладает хорошими усилительным свойствами по току. Под действием источника постоянного напряжения в цепи коллектор-эмиттер протекает ток неосновных носителей Iкэ0. Этот ток на своем пути создает падение напряжения на переходах транзистора. На эмиттерном переходе падение напряжения оказывается «прямым», что и вызывает слабую инжекцию носителей из Э.

Т.о. ток через переходы увеличится на величину диффузионного тока (Iкэ0+Iдиф). Процесс может принять лавинообразный характер и привести к гибели транзистора. Поэтому в схеме с ОЭ необходимо сначала подавать напряжение в цепь базы, а затем на коллектор. Ток неосновных носителей оказывает влияние на процесс инжекции. Iкэ0=(β+1)Iкб0. По этой причине температурный свойства транзистора в схеме с ОЭ значительно хуже, чем в схеме с ОБ. Выводы: Транзистор в схеме с ОЭ хорошо усиливает по току, в режиме усиления схема имеет хорошие усилительные свойства по напряжению. Схема считается лучшим усилителем мощности. Входное сопротивление у схемы с ОЭ больше, чем у схемы с ОБ, но меньше, чем выходное. Схема с ОЭ нуждается в элементах частотной и температурной коррекции, т.к. имеет плохие температурные и частотные свойства.

В ыводы по ВАХ: Эффект Эрли в схеме с ОЭ выражен более ярко, чем в схеме с ОБ сопротивление коллекторного перехода в этой схеме меньше, чем в схеме с ОБ. Поэтому напряжение пробоя коллекторного перехода в схеме с ОБ будет больше, чем в схеме с ОЭ. При повышении базового тока выходные характеристики смещаются вверх, следовательно ток коллектора следует за всеми изменениями тока базы. Т.о. схема с ОЭ - схема с базовым управлением.

1 7. Схемы включения транзисторов. Схема с общим коллектором

На рисунке n-p-n транзистор. Расставить токи, нарисовать аналог для p-n-p. Входной ток – ток базы, выходной – ток эмиттера – схема с базовым управлением. Усиление по току β=1/(1-α)=βоэ+1. За счет усиления по току схему можно использовать в качестве усилителя мощности. Особенности: включение нагрузки в цепь эмиттера создает 100% ООС по переменной составляющей сигнала. Она обеспечивает схеме большое входное сопротивление (а выходное сопротивление схемы мало). Схема применяется для согласования высокоомной нагрузки с низкоомной. Например, во входных цепях измерительных вольтметров, осциллографов. Выводы: У транзистора в схеме с ОК плохие частотный и температурные свойства. Схема с ОК не усиливает по напряжению, но она лучше других усиливает по току.

ВАХ: Для данной схемы справочные данные обычно не приводятся. Входные ВАХ по форме мало отличаются от входных ВАХ схемы с ОЭ, но диапазон изменения входного напряжения здесь практически такой же, как диапазон изменения выходного напряжения (на схеме с ОК сдвинута вправо). Выходные ВАХ также мало отличаются от схемы с ОЭ, лишь для того же входного тока выходной ток несколько выше (линии провести ниже линий для схемы с ОЭ).