
- •1. Физика работы диода. Вах диода
- •2. Характеристики и параметры диода
- •3. Разновидности диодов. Точечные диоды
- •4. Разновидности диодов. Стабилитроны
- •5. Разновидности диодов. Туннельные диоды
- •6. Разновидности диодов. Диоды Шоттки
- •7. Однополупериодный выпрямитель
- •8. Двухполупериодный выпрямитель
- •9 . Односторонний ограничитель
- •10. Двусторонний ограничитель
- •11. Биполярные транзисторы
- •12. Формулы Молла-Эберса. Вах идеального биполярного транзистора
- •13. Эквивалентная схема замещения транзистора
- •14. Параметры эквивалентной схемы замещения транзистора
- •1 5. Схемы включения транзисторов. Схема с общей базой
- •16. Схемы включения транзисторов. Схема с общим эмиттером
- •1 7. Схемы включения транзисторов. Схема с общим коллектором
- •1 8. Параметры транзистора как четырехполюсника
- •19. Работа транзистора с нагрузкой
- •20. Полевые транзисторы
- •22. Схемы включения полевых транзисторов
- •23. Обратная связь в усилителях
- •24. Коэффициент передачи усилителя, охваченного ос
- •25. Последовательная ос по напряжению
- •26. Последовательная ос по току
- •2 7. Параллельная обратная связь по напряжению
- •28. Параллельная обратная связь по току
- •29. Трехкаскадная структура операционного усилителя
- •30. Двухкаскадная структура операционного усилителя
- •3 1. Режимы работы операционных усилителей в блоках эвм
- •32. Компараторы напряжения
- •33. Функции компаратора напряжения
- •3 4. Усилители. Назначение и классификация усилителей
- •35. Основные параметры и характеристики усилителей
- •36. Выбор режима работы транзистора
- •37. Выбор рабочей точки транзисторного каскада
- •3 8. Стабильность рабочей точки транзистора и 39. Анализ температурной нестабильности транзисторного каскада
- •40. Стабильность коэффициента усиления усилителя с обратной связью
- •41. Ослабление искажений в усилителях с обратной отрицательной связью
- •4 2. Расширение полосы пропускания в усилителях с оос
- •43. Устойчивость усилителя с обратной связью
- •44. Критерий Найквиста
- •4 5. Частотная характеристика двухкаскадного усилителя оэ-оэ (двойка)
- •46. Триггеры. Основные понятия. Классификация
- •47. Одноступенчатые триггеры
- •48. Двухступенчатые триггеры
- •49. Универсальные триггеры
- •50. Регистр хранения
- •51. Регистр хранения и сдвига
- •52. Счетчики. Основные понятия. Классификация
- •53. Двоичный счетчик с последовательным переносом
- •5 4. Двоичный счетчик с параллельным переносом
- •55. Двоично-десятичный счетчик
- •56. Дешифраторы
- •57. Шифраторы
- •58. Мультиплексоры
- •59. Демультиплексоры
6. Разновидности диодов. Диоды Шоттки
В
быстродействующих импульсных цепях
широко используются данные диоды, в
которых переход выполнен на основе
контакта металл-полупроводник. В основе
работы эффект Шоттки: ток в них
образуется за счет основных носителей,
следовательно, накопление объемного
заряда не происходит, влияние диффузионной
емкости сведено практически к нулю. Их
быстродействие зависит только барьерной
емкостью. Отличия от диодов с p-n
переходом: более низкое прямое падение
напряжения (0.2-0.4 вместо 0.5-0.7), более
низкое обратное падение напряжения,
более высокий ток утечки; почти полностью
отсутствует заряд обратного восстановления.
Таким образом при кратковременном
превышении максимального обратного
напряжения диод Шоттки необратимо
выходит из строя. Диоды Шоттки
характеризуются повышенными обратными
токами, возрастающими с ростом температуры
кристалла. При неудовлетворительных
условиях теплоотвода у них может
возникнуть тепловая обратная связь,
приводящая к тепловому пробою.
ВАХ напоминает характеристику диодов на основе p-n переходов. Отличие состоит в том, что прямая ветвь в пределах 8-10 декад приложенного напряжения представляет собой почти идеальную экспоненциальную кривую, а обратные токи малы. Конструктивно они выполняются в виде пластины низкоомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с элекропродимостью того же типа. На поверхность пленки вакуумным распылением нанесен слой металла.
Н
а
схеме: r пер – сопротивление
p-n перехода;
С пер – емкость p-n
перехода; r'б - омическое
сопротивление тела базы и эмиттера; С
– межэлектродная емкость выводов.
7. Однополупериодный выпрямитель
Выпрямитель преобразует переменный ток в постоянный. Свойства схемы основаны на вентильных свойствах диода, т.е. способности пропускать ток при прямом смещении и не пропускать при обратном. Диаграмма тока и напряжения для идеального и реального выпрямителей показана на рисунке а и б. Среднее напряжение за период на нагрузке – выпрямленное напряжение. Постоянная составляющая на нагрузке: U сред=1/2п*S(от 0 до п)Umsinxdx=-1/2пUmcosx|(от 0 до п)=Um/п.
Если к выходу выпрямителя подключена емкость параллельно нагрузке, то на выходе выпрямителя получаем практически постоянное напряжение (схема в). Заряд емкости с напряжения U1>Uн; диод открыт (до 1). Разряд емкости по экспоненте U1<Uн (от 1 до 2).
8. Двухполупериодный выпрямитель
а) мостовая схема; б) схема на 2 диодах с нулевым выводом (на основе трансформатора со средней точкой). В положительный полупериод ток проходит через открытые диоды VD2 и VD3 для а) и VD1 для б), в отрицательный полупериод ток проходит через VD1 и VD4 для а) и VD2 для б). Т.о. ток через нагрузку проходит в течении всего периода(это также можно на в показать). U сред=1/п*S(от 0 до п)Umsinxdx=-1/пUmcosx|(от 0 до п)=2Um/п. Для сглаживания выпрямительного напряжения применяют емкости или LC фильтры следующего вида (г).
9 . Односторонний ограничитель
В
тех случаях, когда необходимо ограничить
диапазон изменения сигнала напряжения
или тока применяют схемы ограничителей.
Если входное напряжение превысит
значение Е+Епр, то значение выходного
напряжение не будет меняться и останется
равным этому значению. При меньших
значениях Uвх диод закрыт
и выходное напряжение Uвых=(Uвх*Rн)/(Rн+R).
Наличие диода также не сказывается
никак на отрицательных напряжениях,
единственное условие: отрицательное
входное напряжение не должно достигать
значения напряжения пробоя.