
- •1. Физика работы диода. Вах диода
- •2. Характеристики и параметры диода
- •3. Разновидности диодов. Точечные диоды
- •4. Разновидности диодов. Стабилитроны
- •5. Разновидности диодов. Туннельные диоды
- •6. Разновидности диодов. Диоды Шоттки
- •7. Однополупериодный выпрямитель
- •8. Двухполупериодный выпрямитель
- •9 . Односторонний ограничитель
- •10. Двусторонний ограничитель
- •11. Биполярные транзисторы
- •12. Формулы Молла-Эберса. Вах идеального биполярного транзистора
- •13. Эквивалентная схема замещения транзистора
- •14. Параметры эквивалентной схемы замещения транзистора
- •1 5. Схемы включения транзисторов. Схема с общей базой
- •16. Схемы включения транзисторов. Схема с общим эмиттером
- •1 7. Схемы включения транзисторов. Схема с общим коллектором
- •1 8. Параметры транзистора как четырехполюсника
- •19. Работа транзистора с нагрузкой
- •20. Полевые транзисторы
- •22. Схемы включения полевых транзисторов
- •23. Обратная связь в усилителях
- •24. Коэффициент передачи усилителя, охваченного ос
- •25. Последовательная ос по напряжению
- •26. Последовательная ос по току
- •2 7. Параллельная обратная связь по напряжению
- •28. Параллельная обратная связь по току
- •29. Трехкаскадная структура операционного усилителя
- •30. Двухкаскадная структура операционного усилителя
- •3 1. Режимы работы операционных усилителей в блоках эвм
- •32. Компараторы напряжения
- •33. Функции компаратора напряжения
- •3 4. Усилители. Назначение и классификация усилителей
- •35. Основные параметры и характеристики усилителей
- •36. Выбор режима работы транзистора
- •37. Выбор рабочей точки транзисторного каскада
- •3 8. Стабильность рабочей точки транзистора и 39. Анализ температурной нестабильности транзисторного каскада
- •40. Стабильность коэффициента усиления усилителя с обратной связью
- •41. Ослабление искажений в усилителях с обратной отрицательной связью
- •4 2. Расширение полосы пропускания в усилителях с оос
- •43. Устойчивость усилителя с обратной связью
- •44. Критерий Найквиста
- •4 5. Частотная характеристика двухкаскадного усилителя оэ-оэ (двойка)
- •46. Триггеры. Основные понятия. Классификация
- •47. Одноступенчатые триггеры
- •48. Двухступенчатые триггеры
- •49. Универсальные триггеры
- •50. Регистр хранения
- •51. Регистр хранения и сдвига
- •52. Счетчики. Основные понятия. Классификация
- •53. Двоичный счетчик с последовательным переносом
- •5 4. Двоичный счетчик с параллельным переносом
- •55. Двоично-десятичный счетчик
- •56. Дешифраторы
- •57. Шифраторы
- •58. Мультиплексоры
- •59. Демультиплексоры
36. Выбор режима работы транзистора
1. Активный режим. Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном. Данный режим является основным режимом работы транзистора и применяется для усиления сигнала по мощности (1 схема).
2. Режим отсечки. Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении (2 схема). Через оба перехода протекают небольшие обратные токи. Через оба перехода протекают небольшие обратные токи. Транзистор закрыт.
3. Режим насыщения. Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении (схема 3). Ток цепи коллектора максимальный и практически не регулирует током входной цепи. Транзистор полностью открыт или находится в режиме насыщения.
4. Инверсный режим Эмиттерный переход смещен в обратном направлении, коллекторный переход в прямом направлении. (4 схема).
37. Выбор рабочей точки транзисторного каскада
Существует несколько классов работы усилителей. Для каждого класса положение РТ будет отличаться.
Класс А. В классе А начальное положение рабочей точки на нагрузочной прямой и амплитуда входного сигнала выбирается так, чтобы текущее положение рабочей точки не выходило за пределы нагрузочной прямой, в которой усиление тока Ik пропорционально току Iб или чтобы текущее положение рабочей точки не выходило за пределы активной области при усилении (тут схема как в курсаче – линия статической нагрузки, точка в активной области, отметить Um, Im, Ua, Ia). Допустимое изменение амплитуды выходного напряжения Uвыхmax=min{Uкэm(-), Uкэm (+)}. На входной характеристике определяется положение рабочей точки и Uвхm=min{Uбэm(-), Uбэm(+)}. Достоинства: низкий коэффициент нелинейных искажений, недостаток: низкий КПД (менее 50%). В этом режиме ток через транзистор течет непрерывно в течение всего периода изменения входного сигнала. Угол отсечки θ=180 (половина интервала времени, в течении которого через транзистор течет ток). Рекомендуется использовать в каскадах предварительного усиления и в маломощных выходных каскадах.
Класс В. Начальное положение РТ выбирается в области тока Ik близких к Ik0.
Из временной диаграммы коллекторного тока видно, что форма его далека от идеальной, т.е. резко возрос уровень нелинейных искажений по сравнению с классом А. Но КПД усилителя достаточно высокий за счет малого тока покоя (70%), поэтому режим класса B рекомендуется использовать в двухконтактных выходных усилителях средней и большой мощности, в чистом виде этот режим используется редко (Чаще АВ). θ=90.
Класс AB. Занимает промежуточное положение между классами А и В. Возможны различные зависимости Ik(t) в зависимости от выбора РТ. Класс AB более экономичен, чем А и характеризуется меньшими нелинейными искажения, чем класс В.
Класс С. В классе С начальное положение РТ соответствует режиму отсечки. В отсутствие входного сигнала усилитель класса С почти не потребляет тока. Транзистор начинает открываться лишь после того, как входной сигнал превысит поровое значение. 0<θ<90.Класс D. Транзистор находится в двух устойчивых состояниях – «открыт-закрыт», т.е. это ключевой режим. В этом режиме он периодически переходит из состояния насыщения в закрытое состояние.