Вопросы для допуска к работе

1. Что называют p-n переходом?

2. Что представляет собой прямая ветвь вольт-амперной характеристики p-n перехода?

3. Как зависит положение ВАХ от величины площади p-n перехода?

4. Как зависит положение ВАХ от ширины запрещенной зоны полупроводника?

5. Объяснить порядок и методику выполнения работы.

6. Что представляет собой обратная ветвь вольт-амперной характеристики p-n перехода?

7. Как зависит положение ВАХ от площади перехода на участке обратного напряжения?

8. Как зависит положение ВАХ от ширины запрещенной зоны полупроводника на участке обратного напряжения?

9. Объяснить порядок и методику выполнения работы.

1. Что является признаком пробоя p-n перехода?

2. Какие виды пробоя наблюдаются в p-n переходах?

3. Какие виды пробоя исследуются в лабораторной работе? Почему?

4. Изобразить обратные ветви вольт-амперных характеристик в режиме лавинного и тунельного пробоя на одном графике.

Объяснить порядок и методику выполнения работы

Контрольные вопросы и задания к защите работы

1. Для равновесного p-n перехода изобразить и объяснить распределение подвижных и неподвижных носителей заряда.

2. Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?

3. Как и почему изменяется величина контактной разности потенциалов p-n перехода при подключении прямого напряжения?

4. Как влияет на величину контактной разности потенциалов изменение температуры?

5. Как зависит величина контактной разности потенциалов от ширины запрещенной зоны полупроводника?

6. Как и почему изменяется ширина p-n перехода при подключении прямого напряжения?

7. Почему в состоянии равновесия ток через p-n переход равен нулю?

8. Какова величина и природа тока, протекающего через p-n переход при прямом включении?

9. Записать и объяснить уравнение прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода.

10. Объяснить образование p-n перехода.

11. Какими параметрами принято характеризовать p-n переход?

12. Для равновесного p-n перехода изобразить и объяснить распределение подвижных и неподвижных носителей заряда для обратно смещенного p-n перехода.

13. Как образуется контактная разность потенциалов?

14. Как и почему изменяется величина контактной разности потенциалов при подключении обратного напряжения?

15. Как и почему изменяется ширина p-n перехода при подключении обратного напряжения?

16. Какова величина и природа тока, протекающего через p-n переход при обратном включении?

17. Объяснить, как зависит величина обратного тока p-n перехода от ширины запрещенной зоны полупроводника.

18. Объяснить влияние площади p-n перехода на величину обратного тока через p-n переход

19. Чем отличаются друг от друга электрический и тепловой тип пробоя?

20. Объяснить механизм увеличения тока при лавинном пробое. В каких p-n переходах наблюдается лавинный пробой?

21. Объяснить механизм увеличения тока при туннельном пробое. В каких p-n переходах наблюдается туннельный пробой?

22. Каково влияние температуры на величину пробивного напряжения при лавинном виде пробоя?

23. Каково влияние температуры на величину пробивного напряжения при туннельном виде пробоя?.

24. На одних осях изобразить вольт-амперные характеристики идеального и реального p-n переходов. Объяснить, какие составляющие тока p-n перехода не учитывались при построении идеального перехода.

25. Объяснить механизм влияния температуры на величину обратного тока p-n перехода.

26. Объяснить механизм влияния температуры на величину прямого тока p-n перехода.

27. Объяснить, почему влияние температуры проявляется сильнее в германиевых p-n переходах, нежели в кремниевых.

28. Изобразить вольт-амперную характеристику реального p-n перехода. Объяснить ее отличие от ВАХ идеального p-n перехода.

29. Изобразить семейство вольт-амперных характеристик кремниевого p-n перехода при разных температурах.

30. Изобразить семейство вольт-амперных характеристик германиевого p-n перехода при разных температурах.

31. Объяснить порядок и методику выполнения работы.