- •Задания к лабораторной работе
- •1.. Снять зависимости прямого тока от прямого напряжения для двух кремниевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 1.
- •2. Снять зависимость прямого тока от прямого напряжения для двух германиевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 2.
- •2. Снять зависимость обратного тока от обратного напряжения для двух германиевых p-n переходов c различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу2.
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания к защите работы
- •Литература
2. Снять зависимость обратного тока от обратного напряжения для двух германиевых p-n переходов c различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу2.
Табл. 2
№ на технологичес-кой карте |
Площадь p-n перехода |
Германиевый p-n переход |
||||||||
3 |
|
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
4 |
|
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
3. По данным таблиц 1 и 2 построить два семейства обратных ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с различной величиной площади перехода. На графиках установить соответствие между характеристиками и площадями p-n переходов. Пояснить влияние площади перехода на вид прямой ветви ВАХ p-n перехода.
4. По данным таблиц 1 и 2 построить семейство обратных ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с меньшей (большей) площадью перехода. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны полупроводника на вид полученных характеристик.
Задание III
1. Снять прямую и обратную ветви вольт-амперной характеристики кремниевого p-n перехода для трех разных температур. Результаты измерений занести в таблицы 1,2,3.
Табл. 1
Т1 |
№ на технологической карте |
Кремниевый p-n переход |
|||||||||
1 |
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Табл. 2
Т2 |
№ на технологической карте |
Кремниевый p-n переход |
|||||||||
3 |
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
4 |
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Табл. 3
Т3 |
№ на технологической карте |
Кремниевый p-n переход |
|||||||||
5 |
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
6 |
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2. По полученным данным построить семейство вольт-амперных характеристик кремниевого p-n перехода для разных температур. Объяснить влияние температуры на положение прямой и обратной ветви ВАХ.
3. Снять прямую и обратную ветви вольт-амперной характеристики германиевого p-n перехода для разных температур. Результаты измерений занести в таблицы, аналогичные таблицам 1,2,3,.
4. По полученным данным построить семейство вольт-амперных характеристик германиевого p-n перехода для разных температур. Объяснить влияние температуры на вид ВАХ p-n перехода.
5. Сравнить температурные зависимости вольт-амперных характеристик, олученные в заданиях 2 и 4.Объяснить различное влияние температуры на вид ВАХ германиевого и кремниевого p-n переходов.
Задание IV
1. Снять зависимость обратного тока от обратного напряжения для двух кремниевых p-n переходов в режимах электрического пробоя. Результаты измерений занести в таблицу 1.
Табл. 1
-
№ на технологичес-кой карте
Кремниевых p-n переход
1
Uобр,В
Iобр,мА
2
Uобр,В
Iобр,мА
2. По данным таблицы построить обратные ветви вольт-амперных характеристик кремниевых p-n переходов в режимах электрического пробоя. На графиках установить соответствие между характеристиками и типами пробоя – лавинным и туннельным. Объяснить свое решение.
