Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРЯМОЙ ВЕТВИ И ОБРАТНОЙ ВЕТВИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДОВ С РАЗЛИЧНОЙ ПЛОЩАДЬЮ ПЕРЕХОДОВ И ШИРИНОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА, ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ P-N ПЕРЕХОДА.,
Цель работы
- изучение функционирования p-n перехода при прямом включении.
является изучение функционирования p-n перехода при обратном включении.
изучение влияния температуры на функционирование перехода
изучение функционирования p-n перехода в режимах электрического пробоя.
Задания к лабораторной работе
Задание I
1.. Снять зависимости прямого тока от прямого напряжения для двух кремниевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 1.
Табл. 1
№ на технологичес-кой карте |
Площадь p-n перехода |
Кремниевый p-n переход |
||||||||
1 |
|
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
|
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2. Снять зависимость прямого тока от прямого напряжения для двух германиевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 2.
Табл. 2
№ на технологичес-кой карте |
Площадь p-n перехода |
Германиевый p-n переход |
||||||||
3 |
|
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
4 |
|
Uпр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Замечание. Количество снятых точек на начальных нелинейных участках вольт-амперной характеристики должно быть достаточным для точного воспроизведения ВАХ.
3. По данным таблиц 1 и 2 на одних осях построить два семейства прямых ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с различной величиной площади перехода. На графиках установить соответствие между характеристиками и площадями p-n переходов. Пояснить влияние площади перехода на вид прямой ветви ВАХ p-n перехода.
4. По данным таблиц 1 и 2 на одних осях построить семейство прямых ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с меньшей (большей) площадью перехода. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны полупроводника на вид полученных характеристик.
Задание II
1. Снять зависимости обратного тока от обратного напряжения для двух кремниевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты занести в таблицу1.
Табл. 1
№ на технологичес-кой карте |
Площадь p-n перехода |
Кремниевый p-n переход |
||||||||
1 |
|
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
|
Uобр,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
||