
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики. 6
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения. 7
- •1 Вопрос. Классификация резисторов, маркировка, обозначение, допускаемые нормализованные отклонения.
- •2 Вопрос. Основные параметры и характеристики резисторов.
- •3 Вопрос. Терморезисторы, основные параметры и характеристики.
- •4 Вопрос. Варисторы и позисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения.
- •7 Вопрос. Основные параметры постоянных конденсаторов.
- •8 Вопрос. Переменные и подстроечные конденсаторы, конструктивные особенности.
- •9 Вопрос. Катушки индуктивности, особенности конструкции и способы изготовления.
- •10 Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности.
- •11. Особенности работы трансформаторов и их классификация.
- •12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
- •13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
- •14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения.
- •15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики.
- •16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики.
- •17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения.
- •18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
- •19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
- •20. Конструктивные особенности свч диодов, классификация и область использования.
- •21.Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.
- •22.Активный режим работы бт с об, входные и выходные характеристики и параметры.
- •23 Активный режим работы бт с оэ, входные и выходные характеристики и параметры.
- •24. Схема включения биполярного транзистора в режиме усиления тока (эмиттерный повторитель). Особенности работы.
- •25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.
- •26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.
- •27.Динамический режим работы биполярного транзистора.
- •28.Работа биполярного транзистора с вч сигналами
- •29. Особенности конструкции и структуры свч-транзисторов
- •30.Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы.
- •]Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •31)Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
- •32)Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.
- •33)Особенности работы мпд транзисторов со встроенным каналом.
- •34)Статические характеристики и параметры мдп транзисторов со встроенным каналом.
- •35)Мдп транзисторы с индуцированным каналом, физические процессы, принцип работы.
- •36)Работа полевых транзисторов при малых синусоидальных сигналах.
- •40)Динамический режим работы полевых транзисторов.
- •41. Особенности работы полевых транзисторов в свч диапазоне.
- •43. Тринисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •45. Излучающие полупроводниковые приборы, параметры и характеристики.
- •46. Основные сведения об электровакуумных приборах и физические основы их работы.
- •47. Двухэлектродные лампы, физические процессы.
- •48. Статические характеристики и параметры двухэлектродных ламп.
- •49. Электровакуумный диод в режиме нагрузки
- •50. Трехэлектродные лампы, физические процессы, основные параметры
- •51. Статические характеристики трехэлектродных ламп Работа трехэлектродной лампы с нагрузкой в анодной цепы.
- •53) 53. Работа трехэлектродных ламп в свч диапазоне.
- •54) Тетроды,особенности работы,статические параметры и характеристики.
- •55) Пентоды, статические параметры и характеристики.
- •56. Работа пентода в динамическом режиме с нагрузкой в анодной цепи
- •57. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
- •58. Элекктронно-лучевые трубки, классификация, принцип работы.
- •59. Операционные усилители, функциональная схема, особенности работы.
- •60. Параметры и характеристики операционных усилителей.
18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
Варикапы. Ширина электронно-дырочного перехода и его емкость зависят от приложенного к нему напряжения. Варикап — это полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в качестве управляемой электрическим напряжением емкости. Варикап работает при обратном напряжении, приложенном к р-п-переходу. Его емкость меняется в широких пределах, а ее значение определяют из выражения.
Эквивалентная схема варикапа (а) и его условное обозначение(б);включение варикапа в состав резонансного LC-контура, перестраиваемого изменением напряжения(в). Основные параметры варикапов и их типовые значения
1.Общая емкость С„ — емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении (десятки — сотни пФ).
2.Коэффициент перекрытия по емкости — отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратных напряжений: Кс = С„ max / Св min (несколько единиц — несколько десятков единиц).
3.Сопротивление потерь г„ — суммарное активное сопротивление, включая сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов варикапа.
4.Добротность — отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте переменного сигнала (Хс) к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения: QB = X/r (десятки—сотни единиц).
5.Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) αс —отношение относительного изменения емкости к вызывавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
Туннельные диоды это полупроводниковые приборы, на вольт-амперной характеристике которых имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (участок I—2 на рис. 2.17, а). Наличие его является следствием проявления туннельного эффекта. В зависимости от функционального назначения туннельные диоды условно подразделяют на усилительные (ЗИ101, ЗИ104 и др.), генераторные (ЗИ201 - ЗШОЗ), переключательные (ЗИЗОб ЗИ309). Область их применения в настоящее время ограничена из-за большей эффективности, даваемой другими полупроводниковыми компонентами. Обращенные диоды представляют собой разновидность туннельных и характеризуются тем, что вместо участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением у них на вольт-амперной характеристике имеется практически горизонтальный участок (рис. 2.17, в). В этих диодах прямую ветвь характеристики можно считать обратной. Обращенный диод имеет значительно меньшее прямое напряжение, чем у обычных диодов, и может быть применен для выпрямления малых напряжений. Значения обратного напряжения также малы.
Диоды, предназначенные для генерирования шумов, составляют отдельную группу полупроводниковых приборов - так называемых генераторов шума. например типа 2Г401. По виду вольт-амперных характеристик и схеме включения они практически не отличаются от стабилитронов. Режим их работы выбирается так, чтобы обратный ток (ток пробоя) был меньше Imin- При малых токах параметры напряжения пробоя нестабильны, в результате чего возникают его колебания, происходящие случайным образом
Рис. 2.17. Вольт-амперная характеристика туннельного диода (в) и его условное обозначение (б): волы-амперная характеристика обращенного диода (в) и его условное обозначение (г)