
- •1. Предмет фтт. Основные проблемы фтт.
- •2. Классификация твердых тел. Типы связи.
- •4. Молекулярные кристаллы(мк). Ионные кристаллы(ик).
- •6. Ковалентные кристаллы (кк). Металлы. Плотнейшие упаковки.
- •7. Кристаллические решетки. Вектор трансляции. Элементарная ячейка. Примитивная ячейка Вигнера-Зейтца.
- •8. Решетки Браве. Сингонии. Индексы Миллера.
- •9. Элементы симметрии кристаллов. Точечная группа симметрии. Пространственные группы симметрии.
- •10. Дифракция в кристаллах. Закон Вульфа-Брэгга. Основные дифракционные методы.
- •11. Обратная решетка: свойства, физический смысл.
- •12. Зоны Бриллюэна.
- •13. Классификация дефектов кристаллического строения.
- •14. Точечные дефекты: основные типы, равновесная концентрация, дефекты Шоттки и Френкеля.
- •15. Центры окраски. Радиационные дефекты.
- •16. Краевые дислокации. Винтовые дислокации.
- •17. Контур и вектор Бюргерса. Энергия дислокации. Источники дислокаций.
- •18. Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Примеры квазичастиц.
- •Адиабатическое приближение Борна-Оппенгеймера.
- •Валентная аппроксимация
- •Одноэлектронное приближение
- •20. Одноэлектронное приближение. Метод Хартри-Фока.
- •V(r) – периодическая функция, период который совпадает с периодом кристаллической решётки.
- •21. Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Свободный электрон и электрон в кристалле. Квазиимпульс. Энергетические зоны.
- •2) Рас электрон в кристалле.
- •22. Энергетический спектр электрона в кристалле. Модель Кронига-Пенни. Случаи сильной и слабой связи.
- •23. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
23. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
К
аждая
разрешённая зона содержит конечное
число энергетических уровней. В
соответствии с принципом Паули, на
уровне могут находиться 2 электрона с
противоположными спинами. При ограниченном
числе электронов в кристалле заполненными
окажутся только несколько наиболее
низких энергетических зон, все остальные
– пустые.
Рассмотрим различные варианты заполнения зон электронами:
1. А. Пусть
последняя зона, в которой есть
электроны, заполнена частично. Так
как эта зона заполняется валентными
электронами, то её называют валентной
зоной и обозначают
.
Под действием внешнего поля электроны
начнут ускоряться и переходить на более
высокие свободные уровни той же зоны:
в кристалле потечёт ток.
Νβ: Т.о. кристаллы с частично заполненной валентной зоной хорошо проводят ток, т.е. являются металлами.
Б. Пусть валентная зона заполнена полностью, но она перекрывается со следующей разрешённой зоной, не занятой электронами. Если к такому кристаллу приложить внешнее электрическое поле, то электроны начнут переходить на уровни свободной зоны, и потечёт ток. Такой кристалл тоже является металлом.
2. Пусть
валентная зона заполнена полностью и
отделена от следующей за ней свободной
зоны широкой запрещённой энергетической
щелью
.В
таком кристалле внешнее поле не может
создать ток. Вещество с такой зонной
структурой называется диэлектриком.
3. Пусть
валентная зона заполнена полностью и
отделена от следующей за ней свободной
зоной запрещённой щелью
.
Такой кристалл называется полупроводником.
В полупроводниках
за счёт тепловой энергии
часть
электронов может переброситься в
свободную зону, которая называется
зоной проводимости Ec.
П
ри
очень низких температурах
полупроводник становится диэлектриком.
Между металлами и диэлектриками существует качественное различие, а между диэлектриками и полупроводниками – количественное.
Схема заполнения зон в металлах, диэлектриках и полупроводниках