- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
- •Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
- •Задание
Ростовский технологический институт сервиса и туризма (филиал) (ртист фгбоу впо «юргуэс»)
УТВЕРЖДАЮ
Зав. кафедрой
д.ф.-м.н.,доцент
М.
Звездина
______________________________________________________________________________________
" " 2012
г.
_________________________________________________________________
Факультет
МТФ
________________________________________________________________________________________
Кафедра
"Радиоэлектроника"
________________________________________________________________________________________________
Специальность
"Бытовая
радиоэлектронная аппаратура"
________________________________________________________________________________________________
Задание
на курсовую работу по дисциплине «Электроника»
студенту Сюмкину Константину Андреевичу
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
фамилия, имя, отчество
Тема работы: Расчет параметров и характеристик полупроводниковых
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
диодов и транзисторов
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Целевая установка и исходные данные:
ЗАДАНИЕ 1.
Задача 1.1. Рассчитать и сравнить дифференциальное сопротивление RДИФ выпрямительного диода в двух рабочих точках.
Задача 1.2. Рассчитать и сравнить дифференциальное сопротивление RДИФ выпрямительного диода и сопротивление прямому току RПР в заданной рабочей точке.
Задача 1.3. Рассчитать и сравнить сопротивление выпрямительного диода прямому RПР и обратному RОБР току.
Задача 1.4. Определить параметры стабилитрона: напряжение стабилизации Uст, минимальный Iстmin , максимальный Iстmax , номинальный Iстном токи стабилизации, дифференциальное сопротивление RДИФ , изменение напряжения стабилизации ΔUст на участке от Iстmin до Iстmax .
ЗАДАНИЕ 2. Рассчитать h-параметры h11, h12, h21, h22 биполярного транзистора в заданной исходной рабочей точке.
ЗАДАНИЕ 3. По заданным EК, RК на выходных вольтамперных характеристиках биполярного транзистора построить линию нагрузки, определить положение исходной рабочей точки, амплитуды выходных тока ImК и напряжения UmКЭ
ЗАДАНИЕ 4. По выходным вольтамперным характеристикам полевого транзистора определить разновидность транзистора и тип канала, рассчитать параметры крутизну S, внутреннее дифференциальное сопротивление RДИФ, коэффициент усиления , сопротивление постоянному току RО в заданной исходной рабочей точке.
ЗАДАНИЕ 1.
№ |
ФИО |
диод |
IПР1,мА |
IПР2,мА |
UОБР, В |
стабилитрон |
17 |
Сюмкин КА |
КД209Б |
400 |
100 |
100 |
КС211Ж |
ЗАДАНИЕ 2.
№ |
ФИО |
транзистор |
Параметры h11, h12, ИРТ |
Параметры h21, h22, ИРТ |
||
IБ, мА |
UКЭ, В |
IБ, мА |
UКЭ, В |
|||
17 |
Сюмкин КА |
ГТ122А |
0.1 |
1 |
0.1 |
12 |
ЗАДАНИЕ 3.
№ |
ФИО |
транзистор |
EК, В |
RК, Ом |
I0Б, мА |
ImБ, мА |
17 |
Сюмкин КА |
КТ3107В |
16 |
200 |
0.6 |
0.2 |
ЗАДАНИЕ 4.
№ |
ФИО |
транзистор |
UСИ =const, В |
Исходная рабочая точка |
|
UЗИ, В |
UСИ, В |
||||
17 |
Сюмкин КА |
КП601 |
5В |
-5В |
5В |
К защите представить: Результаты расчетов параметров и характеристик полупроводниковых диодов и транзисторов; графические построения на вольтамперных характеристиках; аналитические расчеты по формулам; пояснительную записку.
Срок сдачи студентом законченной курсовой работы
____________________________________________________________________________________________
Основная рекомендуемая литература: Калиенко И.В., Безуглов Ю.Д. Расчет параметров и характеристик полупроводниковых диодов и транзисторов. Методическое пособие по выполнению курсовой работы по дисциплине «Электроника». –Ростов-на-Дону.: РТИСТ (филиал) ЮРГУЭС. 2010.
Руководитель доцент, ктн, доцент И. В. Калиенко
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
должность, ученая степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия
Задание получил студент
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
(подпись, дата)
№ |
ФИО |
диод |
IПР1,мА |
IПР2,мА |
UОБР, В |
стабилитрон |
1 |
Беспалов АА |
КД102А |
50 |
25 |
100 |
КС175Ж |
2 |
Бородулин СА |
КД102А |
75 |
40 |
80 |
КС215Ж |
3 |
Быковский ПВ |
КД102А |
25 |
15 |
150 |
КС216Ж |
4 |
Валешний АВ |
КД102А |
40 |
20 |
60 |
КС191Н |
5 |
Васильев ДИ |
КД213А |
12 А |
3 А |
100 |
КС515А |
6 |
Васильченко АВ |
КД213А |
9 А |
4А |
80 |
КС147А |
7 |
Голубев ОС |
КД213А |
6 А |
2А |
150 |
КС533А |
8 |
Еськов СС |
КД213А |
10А |
5А |
120 |
КС168А |
9 |
Михайлов ВА |
КД106 |
2 А |
0.5 А |
40 |
КС220Ж |
10 |
Омельченко АА |
КД106 |
1.5 А |
0.5А |
30 |
КС166А |
11 |
Попов ДВ |
КД106 |
1 А |
0.2А |
50 |
КС224Ж |
12 |
Устинов СА |
КД106 |
0.8А |
0.3А |
45 |
КС213Ж |
13 |
Черкашин АА |
Д237Б |
75 |
25 |
150 |
КС456А |
14 |
Чибичев ДЕ |
Д237Б |
30 |
10 |
100 |
КС630А |
15 |
Щеголев АЮ |
Д237Б |
50 |
20 |
200 |
КС510А |
16 |
Оптимах АС |
Д237Б |
60 |
30 |
120 |
КС522А |
17 |
Сюмкин КА |
КД209Б |
400 |
100 |
100 |
КС211Ж |
№ |
ФИО |
транзистор |
Параметры h11, h12, ИРТ |
Параметры h21, h22, ИРТ |
||
IБ, мА |
UКЭ, В |
IБ, мА |
UКЭ, В |
|||
1 |
Беспалов АА |
КТ104В |
0.4 |
5 |
0.4 |
10 |
2 |
Бородулин СА |
ГТ122А |
0.3 |
1 |
0.3 |
8 |
3 |
Быковский ПВ |
КТ201А |
0.2 |
5 |
0.2 |
4 |
4 |
Валешний АВ |
КТ312Б |
0.5 |
5 |
0.5 |
10 |
5 |
Васильев ДИ |
КТ3107В |
0.6 |
5 |
0.6 |
4 |
6 |
Васильченко АВ |
ГТ703 |
20 |
5 |
20 |
5 |
7 |
Голубев ОС |
ГТ122А |
0.2 |
1 |
0.2 |
6 |
8 |
Еськов СС |
КТ104В |
0.3 |
5 |
0.3 |
15 |
9 |
Михайлов ВА |
ГТ122А |
0.2 |
1 |
0.2 |
6 |
10 |
Омельченко АА |
КТ201А |
0.4 |
5 |
0.4 |
6 |
11 |
Попов ДВ |
КТ312Б |
0.4 |
5 |
0.4 |
15 |
12 |
Устинов СА |
КТ3107В |
1.2 |
5 |
1.2 |
6 |
13 |
Черкашин АА |
ГТ703 |
10 |
5 |
10 |
10 |
14 |
Чибичев ДЕ |
КТ312Б |
0.5 |
5 |
0.5 |
10 |
15 |
Щеголев АЮ |
КТ312Б |
0.3 |
5 |
0.3 |
15 |
16 |
Оптимах АС |
КТ104В |
0.5 |
5 |
0.5 |
10 |
17 |
Сюмкин КА |
ГТ122А |
0.1 |
1 |
0.1 |
12 |
№ |
ФИО |
транзистор |
EК, В |
RК, Ом |
I0Б, мА |
ImБ, мА |
1 |
Беспалов АА |
КТ201А |
12 |
300 |
0.2 |
0.2 |
2 |
Бородулин СА |
КТ312В |
15 |
300 |
0.4 |
0.1 |
3 |
Быковский ПВ |
КТ312Б |
12 |
400 |
0.3 |
0.1 |
4 |
Валешний АВ |
КТ104В |
20 |
500 |
0.4 |
0.2 |
5 |
Васильев ДИ |
КТ315В |
20 |
1к |
0.3 |
0.05 |
6 |
Васильченко АВ |
ГТ122А |
16 |
1.2к |
0.2 |
0.1 |
7 |
Голубев ОС |
КТ3107В |
10 |
330 |
0.4 |
0.4 |
8 |
Еськов СС |
КТ805Б |
8 |
2 |
40 |
20 |
9 |
Михайлов ВА |
ГТ122А |
10 |
750 |
0.4 |
0.05 |
10 |
Омельченко АА |
КТ315В |
15 |
500 |
0.2 |
0.1 |
11 |
Попов ДВ |
КТ104В |
25 |
800 |
0.6 |
0.2 |
12 |
Устинов СА |
КТ312В |
10 |
500 |
0.5 |
0.05 |
13 |
Черкашин АА |
ГТ703 |
15 |
12 |
10 |
5 |
14 |
Чибичев ДЕ |
ГТ321А |
10 |
20 |
2 |
0.5 |
15 |
Щеголев АЮ |
КТ805Б |
10 |
3 |
40 |
10 |
16 |
Оптимах АС |
ГТ321А |
7.5 |
30 |
3 |
1 |
17 |
Сюмкин КА |
КТ3107В |
16 |
200 |
0.6 |
0.2 |
№ |
ФИО |
транзистор |
UСИ =const, В |
Исходная рабочая точка |
|
|
UЗИ, В |
UСИ, В |
|
||||
1 |
Беспалов АА |
КП103 |
-8В |
0.5В |
-8В |
|
2 |
Бородулин СА |
КП103 |
-10В |
1В |
-10В |
|
3 |
Быковский ПВ |
КП103 |
-12В |
0.5В |
-12В |
|
4 |
Валешний АВ |
КП103 |
-15В |
1В |
-15В |
|
5 |
Васильев ДИ |
КПС104 |
4В |
-0.2В |
4В |
|
6 |
Васильченко АВ |
КПС104 |
10В |
-0.4В |
10В |
|
7 |
Голубев ОС |
КПС104 |
12В |
-0.6В |
12В |
|
8 |
Еськов СС |
КПС104 |
18В |
-0.4В |
18В |
|
9 |
Михайлов ВА |
КП302 |
10В |
-0.5В |
10В |
|
10 |
Омельченко АА |
КП302 |
14В |
-1В |
14В |
|
11 |
Попов ДВ |
КП302 |
16В |
-1.5В |
16В |
|
12 |
Устинов СА |
КП302 |
20В |
-1В |
20В |
|
13 |
Черкашин АА |
КП312Б |
5В |
-0.5В |
5В |
|
14 |
Чибичев ДЕ |
КП312Б |
10В |
-0.75В |
10В |
|
15 |
Щеголев АЮ |
КП312Б |
12В |
-0.5В |
12В |
|
16 |
Оптимах АС |
КП312Б |
15В |
-0.25В |
15В |
|
17 |
Сюмкин КА |
КП601 |
5В |
-5В |
5В |
|