
- •1. Электромагнитные колебания и колебательные системы
- •1.1. Свободные колебания
- •1.2. Основные условия получения незатухающих колебаний
- •1.3. Принципы генерирования незатухающих гармонических колебаний
- •1.4. Колебательные системы генераторов на примере лампы бегущей волны и лампового укв автогенератора
- •2. Основы теории и расчета автогенераторов и генераторов с внешним возбуждением
- •2.1. Автогенераторы
- •2.1.1. Физический смысл баланса амплитуд
- •2.1.2. Физический смысл баланса фаз
- •2.1.3. Эквивалентные схемы аг: индуктивная и емкостная трехточки
- •2.1.4. Колебательная характеристика и режимы самовозбуждения аг
- •2.1.5. Практические схемы одноконтурных автогенераторов
- •2.2. Генераторы с внешним возбуждением
- •2.3. Энергетические показатели гвв и основные пути их улучшения
- •2.4. Методика расчета транзисторного одноконтурного аг
- •2.5. Методика построения и расчета схем гвв
- •2.6. Методика энергетического расчета лампового гвв
- •2.7. Связь лампового генератора с нагрузкой
- •2.8. Цепи согласования активного элемента с нагрузкой на фиксированной частоте
- •2.9. ММетодика настройки простейших цепей согласования
- •2.10. Цепи согласования активного элемента с нагрузкой в заданной полосе частот
- •2.11. Умножители частоты
- •3. Генерирование электромагнитных колебаний сверхвысоких частот
- •3.1. Особенности генераторных ламп сверхвысоких частот
- •3.2. Пролетный клистрон
- •3.2.1. Физические процессы в пролетном клистроне
- •3.2.2. Ток в пролетном клистроне
- •3.2.3. Энергетические показатели при работе клистрона в усилительном режиме и режиме умножения частоты
- •3.2.4. Из истории создания пролетного клистрона
- •3.3. Отражательный клистрон
- •3.4. Магнетрон
- •4. Диодные свч генераторы
- •4.1. Физика работы туннельного диода
- •4.2. Усилители и генераторы на туннельном диоде
- •4.3. Физика работы диода Ганна
3.3. Отражательный клистрон
В отличие от пролетного клистрона отражательный клистрон представляет собой маломощный автогенератор, в котором модуляция электронов по скорости и взаимодействие сгруппированного потока с СВЧ полем происходит в единственном резонаторе. В отражательном клистроне процесс перехода скоростной модуляции в модуляцию по плотности, то есть образование электронных сгустков, происходит в пространстве торможения. В этом пространстве более медленные электроны догоняют более быстрые, так как траектории быстрых электронов будут выше траекторий медленных электронов. Для создания пространства торможения на специальный электрод – отражатель подается отрицательный потенциал относительно потенциала катода. Для преобразования энергии источника питания в кинетическую энергию электронов, вылетевших с катода, на резонатор подается положительный потенциал. Схематическое изображение отражательного клистрона и распределение потенциала вдоль оси симметрии клистрона (вдоль оси х) показаны на рис. 3.11.
а)
б)
Рис. 3.11. Отражательный клистрон: а – упрощенное конструктивное представление,
б - схематическое изображение отражательного клистрона
На рис. 3.12 показаны
гармонические зависимости изменения
зарядов на сетках резонатора. Эти заряды
создают токи смещения и, следовательно,
СВЧ поле между сетками. Электроны влетают
в пространство взаимодействия с СВЧ
полем со скоростью
,
где U0
= Uрез
– постоянное положительное напряжение
источника питания, подаваемое на
резонатор. Электроны 2, 6 и т.д. попадают
в тормозящую фазу СВЧ поля и их скорость
уменьшится, а высота траекторий будет
наименьшая. Электроны 1, 3, 5, 7 и т.д.
попадают в момент времени, когда значение
СВЧ поля равно нулю, и их скорости
практически не изменятся
,
если время пролета
(или угол пролета
).
Электроны 4, 8 и т.д. попадают в ускоряющую
фазу СВЧ поля, их скорость увеличивается,
а высота траекторий будет наибольшей.
Изменением отрицательного напряжения
на отражателе добиваются, чтобы электроны
1, 5, 9 и т.д. возвращались из пространства
торможения в пространство взаимодействия
с СВЧ полем в максимальную тормозящую
фазу. В окрестности этих электронов
создаются электронные сгустки, а в
окрестности электронов 3, 7 и т.д. образуются
разряжения электронного потока. Таким
образом, в пространстве торможения
между второй сеткой резонатора и
отражателем скоростная модуляция
переходит в модуляцию по плотности
электронного потока.
Рис. 3.12. Пространственно-временная диаграмма, поясняющая группировку электронов в пространстве торможения
На рис. 3.13. показана зависимость СВЧ поля в пространстве взаимодействия и траектории электрона, в окрестности которого формируется сгусток. Центром сгруппированных сгустков становятся электроны, вылетевшие из модулятора с неизменившейся скоростью и пролетающие зазор в тот момент времени, когда фаза СВЧ поля изменяется с ускоряющей на тормозящую, то есть электроны 1, 5, 9 и т.д.
Рис. 3.13. К пояснению образования зон генерации
При обратном движении потока от отражателя к зазору резонатора поле, которое при прямом движении было ускоряющим, становится для электрона тормозящим. Центр сгустка будет попадать в максимум тормозящего поля зазора резонатора, если невозмущенный угол пролета электрона в тормозящем поле отражателя будет равен следующим значениям:
,
(3.19)
где n = 1, 2, 3,… – номер зоны генерации.
Зона генерации – это область значений напряжения на отражателе, в пределах которой генерируются колебания. Границы зоны генерации определяются значениями угла пролета (рис. 3.13):
(3.20)
На рис. 3.13 показаны
зависимости генерируемой мощности Р и
частоты колебаний f
от напряжения на отражателе для нескольких
зон генерации. Максимум мощности имеет
место при
,
то есть в центре зоны генерации. Для
оптимального угла пролета частота СВЧ
колебаний равна частоте резонатора f
= f0.
При изменении напряжения на отражателе
относительно значения, при котором
генерируемая мощность максимальная,
мощность уменьшается, что связано с
недогруппировкой (
)
или перегруппировкой (
)
сгустков электронов. В пределах каждой
зоны частота изменяется по закону
,
(3.21)
где Q – добротность резонатора;
.
С увеличением значения отрицательного напряжения на отражателе сгустки несколько чаще приходят к зазору резонатора и, следовательно, f увеличивается. С уменьшением отрицательного значения Uотр траектории электронов становятся несколько выше и сгустки реже приходят к зазору резонатора и f уменьшается. Таким образом, в отражательном клистроне имеет место электронная перестройка частоты, составляющая единицы процентов от f0. Для увеличения перестройки частоты применяется механическая перестройка, связанная с изменением геометрии резонатора. На рис. 3.13 показан тот факт, что электронная перестройка частоты уменьшает генерируемую мощность. Из всех зон генерации имеет место зона, в центре которой мощность будет наибольшей. Эта зона является рабочей. Обычно число зон генерации n = 3…5. Рабочая зона соответствует наилучшим условиям группирования электронов в сгустки.
Вывод энергии из резонатора отражательного клистрона осуществляется с помощью индуктивной петли или емкостного штыря, переходящих в коаксиальный кабель. Отражательные клистроны находят применение в качестве возбудителей мощных генераторов (например, пролетных клистронов) или источников СВЧ колебаний в измерительных приборах сантиметрового и более коротковолнового диапазона длин волн.
Электронной промышленностью выпускаются отражательные клистроны, работающие в дециметровом, сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн. Выходная мощность отражательных клистронов колеблется от единиц милливатт до нескольких ватт, а КПД не превышает 5%. Низкий КПД объясняется трудностью получения хорошей группировки электронов в сгустки, а также малым временем взаимодействия сгустков с тормозящим СВЧ полем резонатора. На рис. 3.14 показаны конструкции отражательных клистронов с узлами механической перестройки частоты и выводом СВЧ сигнала.
Рис. 3.14. Конструкции отражательных клистронов: 1 – узлы механической перестройки частоты; 2 – волноводный выход энергии; 3 – коаксиальный вывод; 4 – дисковые контакты для подключения резонатора