2.1. Входные характеристики

Рис.3.Семейство входных характеристик.

Входными характеристиками биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером называются зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном значении напряжения коллектор-эмиттер. Входные характеристики формально записываются функциональным уравнением .

40. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Их зависимость от тока базы и температуры.

Выходными характеристиками биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером называются зависимости тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном значении тока базы. Формально выходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером записываются в виде функционального уравнения . Схема включения транзистора для снятия выходных характеристик соответствует рис.1.

Выходные характеристики транзистора в схеме включения с ОЭ (рис. 5) отличаются от выходных характеристик в схеме включения с ОБ , во-первых, тем, что первые оказываются сдвинутыми по оси напряжений вправо на величину напряжения , так как в схеме включения биполярного транзистора с ОЭ напряжение на коллекторном переходе становиться равным нулю при напряжении .

Во-вторых, выходные характеристики в схеме включения с ОЭ на рабочем участке идут более круто, так как при снятии этих характеристик поддерживается постоянным ток базы . Ток не изменяется при увеличении напряжения на коллекторе, а коэффициент при этом увеличивается. Следовательно, для поддержания тока постоянным значением необходимо несколько увеличить ток .

Таким образом, выходная характеристика в схеме с ОБ снимается при постоянном токе , а в схеме с ОЭ – при постепенно возрастающем токе .

41. Представление транзистора четырехполюсником в системе малосигнальных параметров. Системы Y-, Z- и Н- параметров (системы уравнений, схемы замещения). Физическое содержание параметров и методы их определения.

42. Н-параметры транзистора в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. Связь Н_э и Н_б параметров, порядок их величин. Графическое определение Н-параметров. Достоинства и недостатки системы Н-параметров транзистора.

H-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базой

Параметры транзистора устанавливают связь между переменными составляющими токов в выводах транзистора и переменными напряжениями на электродах в выбранной рабочей точке.

При работе транзистора с сигналами малых амплитуд транзистор можно представить активным линейным четырехполюсником. Параметры четырехполюсника измеряются на переменном токе и являются дифференциальными. Наибольшее применение нашла смешанная система H - параметров. В этой системе параметры измеряются в режиме холостого хода на входе и в режиме короткого замыкания на выходе (по переменному току), т. е. в режимах, которые легко осуществить на практике. Независимыми переменными в этой системе являются ток на входе и напряжение на выходе , а функциями – напряжение на входе и ток на выходе . Система уравнений четырехполюсника имеет вид

(12)

Параметры H₁₁ и H₂₁ измеряются в режиме короткого замыкания на выходе, а H₁₂ и H₂₂ измеряются в режиме холостого хода на входе. Для схемы включения с ОБ входной ток , а выходной ток ; входное напряжение и выходное напряжение , тогда

(13)

- входное сопротивление, определяемое как отношение изменения напряжения эмиттер – база к изменению тока эмиттера при постоянном значении напряжения коллектор – база (не равном нулю);

(14)

- коэффициент обратной связи по напряжению, который определяется отношением изменения напряжения эмиттер – база к изменению напряжения коллектор – база при постоянном токе эмиттера;

(15)

- коэффициент передачи по току, который определяется как отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при постоянном значении напряжения коллектор – база;

(16)

- выходная проводимость, определяемая отношением изменения тока коллектора к изменению напряжения коллектор – база при постоянном токе эмиттера.

H-параметры могут быть измерены на малом сигнале в рабочей точке с помощью специальных приборов либо определены:

а) методом двух отсчетов при снятии входных и выходных характеристик транзистора в лаборатории;

б ) графически по семейству входных и выходных характеристик, как показано на рис.11.

, (17)

, (18)

, (19)

. (20)

43. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включенного по схеме с общей базой. Упрощенные схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.

44. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Упрощение схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.

45. Частотные свойства биполярного транзистора. Источники инерционности. Граничные и предельные частоты транзистора (f_ , f _, f_т, f_ген, f_s), соотношения между ними. Пути уменьшения инерционности.

46. Дрейфовые транзисторы. Особенности конструкции, структура диффузионно-сплавного транзистора. Поле в базе. Зависимость параметров транзистора (f_т,  , U_кбмакс) от технологии их изготовления. Достоинства и недостатки дрейфовых транзисторов.

47. Сравнение параметров транзисторов в трех схемах включения.