- •1.Природа образования кристаллических решеток
- •2. Элементарная ячейка кристалла
- •3. Основные типы кристаллических решеток в металлах
- •6.Точечные дефекты кристаллической решетки виды точечных дефектов
- •7. Искажения решетки вокруг дефектов
- •8. Термодинамические предпосылки возникновения точечных дефектов
- •9. Комплексы точеных дефектов
- •10. Изменение концентрации дефектов при изменении внешних условий
- •11. Влияние дефектов на свойства материалов
- •12. Способы обнаружение точечных дефектов. Свободные поверхности, границы зерен, пустоты, трещины и дислокации являются
- •14. Краевые винтовые и смешанные дислокации
- •15. Полные и частичные дислокации, супердислокации
- •16. Плоскости скольжения дислокаций в различных типах решеток
- •Дополнительные сведения о дислокациях
- •17. Скольжение и переползание дислокаций
- •18. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами
- •19. Влияние температуры на подвижность дислокаций
- •20. Взаимодействие дислокаций методы обнаружение дислокаций в кристаллах
17. Скольжение и переползание дислокаций
Скорость полигонизационных процессов лимитируется переползанием дислокаций. Анализ кинетики диффузионного переползания дислокаций освещен во многих теоретических работах, которые основываются на положении о вакансионном механизме перемещения дислокационной линии. Согласно Ж. Фриделю, скорость диффузионного переползания дислокации определяется тремя факторами: концентрацией ступенек на дислокационной линии, силой, приложенной к ступеньке, которая главным образом определяется пересыщением вакансиями, и диффузионным перемещением ступеньки, осуществляемым путем миграции вакансий. Количественный подсчет скорости неконсервативного перемещения дислокационной линии сложен в связи с трудностью экспериментального определения или хотя бы оценки указанных величин в каждом конкретном случае. Однако некоторые попытки оценить скорость перераспределения дислокаций могут быть сделаны. Скорость полигонизационных процессов лимитируется переползанием дислокаций. Анализ кинетики диффузионного переползания дислокаций освещен во многих теоретических работах, которые основываются на положении о вакансионном механизме перемещения дислокационной линии. Согласно Ж. Фриделю, скорость диффузионного переползания дислокации определяется тремя факторами: концентрацией ступенек на дислокационной линии, силой, приложенной к ступеньке, которая главным образом определяется пересыщением вакансиями, и диффузионным перемещением ступеньки, осуществляемым путем миграции вакансий. Количественный подсчет скорости неконсервативного перемещения дислокационной линии сложен в связи с трудностью экспериментального определения или хотя бы оценки указанных величин в каждом конкретном случае. Однако некоторые попытки оценить скорость перераспределения дислокаций могут быть сделаны.Механизмы деформации, основанные на указанной последовательности скольжение—переползание-скольжение, относят к ползучести, контролируемой переползанием дислокаций или вакансионными процессами. В этих условиях зависимость скорости ползучести от напряжения носит степенной характер, а процесс ползучести связан с перестройкой дислокационной структуры из неупорядоченной в упорядоченную (полигональную). Процесс ползучести является стабильным до тех пор, пока полиго-низация остается ведущим механизмом организации структуры сплава под напряжением. Конкурирующим механизмом при этом является рекристаллизация. Неустойчивость динамической структуры связана поэтому с исчерпанием возможностей диссипации энергии путем организации. При высоких напряжениях (выше примерно 10~3 G) степенная зависимость нарушается, измеренные скорости деформации оказываются существенно выше, чем рассчитанные по уравнению. Вероятно, при таких напряжениях наблюдается переход от ползучести, контролируемой переползанием, к термически активированному скольжению, совмещенному с переползанием дислокаций, что отражается в первую очередь на условиях формирования дислокационных структур. Скорость такого переходного типа ползучести может быть описана кинетическим уравнением, аналогичным выражению для скольжения, т. е. с экспоненциальной зависимостью от напряжения.Данные о влиянии различных факторов на выделение графита в порах были использованы для определения величины контактного давления, создающегося на межфазной поверхности графита и матрицы во время субкритического отжига. Согласно расчету, релаксация напряжений при росте графита реализуется механизмом дислокационного крипа, контролируемого переползанием дислокаций
