
- •2. Які основні характеристики і параметри хімічних сенсорів?
- •3. Дайте означення понять "адсорбція", "адсорбат", "адсорбент", “ступінь покриття поверхні”. Яка різниця між фізичною та хімічною адсорбцією? Як їх розрізнити експерименально?
- •4. Моделі адсорбції. Рівняння Гібса та ізотерми адсорбції Ленгмюра. Порівняйте висновки з теорії адсорбції Брунауера-Еммета-Теллера та Ленгмюра.
- •5. Опишіть можливі процеси адсорбції молекул води на поверхню твердого тіла. За яких умов виникає капілярна конденсація?
- •6. Що таке каталізатори і як вони працюють? Поясніть енергетичну діаграму для каталітичних реакцій на прикладі адсорбції н2 в системі Pd–SiO2.
- •7. Мультисенсори. Дайте приклад алгоритму математичної обробки матриці хімічних сенсорів за "методикою розпізнавання образів" та «головних компонент».
- •8. Поясніть зонну модель поверхні SnO2. Як відбувається обмін зарядами між твердим тілом і донорними/акцепторними молекулами на прикладі молекул со, н2, о2?
- •9. Виведіть формулу для розрахунку концентрації адсорбованих молекул кисню на поверхні метал-оксиду.
- •10. Виведіть формулу для розрахунку концентрації ко-адсорбованих на поверхні метал-оксиду молекул кисню та редокс-газу
- •12. Сенсори вологості на метал-оксидах. Наведіть еквівалентну електричну схему для контакту гранула–гранула–електрод для адсорбції води. Сенсорний метод контролю процесів горіння.
- •13. Поясніть принцип дії λ-сенсорів резитивного та потенціометричного типів.
- •14. Принцип дії польового транзистора з інверсним шаром. Основні характеристики приладу.
- •15. Принцип дії сенсору GasFet сенсора на водень. Модель чутливості до водню для Pd затворів. Як розрахувати парціальний тиск водню? Як впливає на чутливість до водню атмосферний кисень?
- •16. Параметри GasFet сенсорів на водень. Сенсори інших газів на основі польового транзистора. Модель чутливості до аміаку мон-структури. Польовий транзистор з підвішеною мембраною.
- •17. РН метр на isfet структурі. Як визначити значення рН розчину?
- •18. Сенсори водню на основі бар’єрів Шоткі. Зміною яких параметрів бар’єру визначається чутливість структури до адсорбції?
- •19.Потенціометричний сенсор зі світловою адресацією ((laPs). Навести принцип роботи та приклад характеристики фотоструму від прикладеної напруги в газовій атмосфері.
- •Принцип роботи сенсору електроліт-ізолятор-напівпровідник (еіs). Як підняти чутливість цього сенсору?
- •Газові сенсори на основі методу вібруючого електроду (метод зонду Кельвіна).
- •22. Назвіть та поясніть методи отримання квантових структур кремнію за високими технологіями, хімічного та електрохімічного травлення.
- •26. Поясніть, які механізми описують транспорт носіїв заряду в макропоруватому та нанопоруватого кремнії. Вплив адсорбції на електричні властивості поруватого Si.
- •28. Сенсор на польовому транзисторі із використанням пористого кремнію. Поясніть принцип дії. Який принцип дії газового сенсора з пористим кремнієм на основі кмон процесу?
- •29. Основні властивості полімерів. Π-спряжені зв’язки. Використання полімерів для сенсорів провідності.
- •31 Калориметричні сенсори на кремнієвих термопарах та транзисторах
- •32. Калориметричний сенсор з плаваючою мембраною: еквівалентна електрична схема та параметри. Термічний сенсор вологості.
- •33. Ефект зникаючого поля в оптичному волокні. Сенсори на оптичному волокні. Оптод.
- •Як використовується ефект поверхнево-підсиленого комбінаційного розсіяння світла для газових сенсорів.
- •35 Дайте означення біосенсору. Сенсори на основі біоспорідненості та метаболізму. Перші біосенсори на глюкозу та сечовину.
- •Cхема біосенсора
- •38.Еванесцентні хвилі. Хвилі, що локалізовані на межі розподілу «зовнішнє середовище-метал», «зовнішнє середовище-напівпровідник».
- •40.Закон дисперсії поверхневого плазмон-поляритону.
- •4 1.Параметри, що впливають на збудження та розповсюдження ппп.
- •42. Ефект поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •43. Схема вимірювання поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •44. Принципи побудови датчиків на основі поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •45. Методи, що використовуються для покращення умов збудження та розповсюдження ппп.
- •46. Методи, що використовуються для підвищення чутливості пппр датчика біомолекул.
- •47. Методи, що використовуються для підвищення селективності пппр датчика біомолекул.
- •48. Коефіцієнт відбиття від багатошарової системи. Методи обробки даних пппр вимірювань.
48. Коефіцієнт відбиття від багатошарової системи. Методи обробки даних пппр вимірювань.
В
икористовуючи
рівняння Максвелла, можна описати
поширення плоского, монохроматичного,
лінійно поляризованого електромагнітного
поля в багатошаровій тонкоплівковій
системі. Експериментально вимірювана
крива поверхневого плазмонного резонансу
залежить від оптичних сталих (коефіцієнтів
заломлення і поглинання) усіх фаз, з
якими взаємодіє електромагнітна хвиля
(матеріалів призми, металевого шару,
речовини, адсорбованої на поверхні
цього шару, зовнішнього середовища та
інших фаз, що можуть, у залежності від
умов вимірів, входити в досліджувану
систему), а також геометричної товщини
всіх шарів, у тому числі товщини золотої
плівки і адсорбованого шару. Ця залежність
може бути представлена в наступному
вигляді:
(2.4.), де Rp()
означає
коефіцієнт відбиття p-поляризованої
електромагнітної хвилі, що падає на
межу поділу під кутом ,
а Yp
- узагальнений адмітанс сукупності
шарів, що відбивають, для зазначеної
довжини хвилі, який може бути розрахований
за допомогою наступного рівняння:
(2.5.), де s
означає повну кількість шарів багатошарової
системи (Рис. 2.4.), включаючи зовнішнє
середовище, j
-номер
шару, що розглядається, βj
-фазова товщина шару з номером j:
(2.6.),
ujp
- адміттанс j-го шару (для p- поляризованих
електромагнітних хвиль):
(2.7.),
де
Nj
= nj
- ikj
означає комплексний коефіцієнт заломлення
шару, що розглядається, j
- кут падіння всередині j
-го
шару,
- довжина хвилі, dj
-товщина
шару, а
o
-зовнішній кут падіння. Адміттанси
up0
і up
відносяться до призми повного внутрішнього
відбиття і до зовнішнього середовища
відповідно. Інший теоретичний підхід
до опису багатошарових структур розглядає
використання інтегрального коефіцієнта
Френеля для р-поляризації:
(2.8), де r01
,r12
, r23
– коефіцієнти відбиття Френеля для
відповідної межі поділу, 1,
2
- фазові товщини шарів. Рівняння (2.8)
дозволяє розраховувати 3-хшарову
структуру. B випадку j
шарів зручно користуватися розрахунком
з використанням формалізму матриці
ефективних оптичних сталих:
,
(2.9) де матриця межі поділу між шарами
a і b:
,
а матриця шару:
, де
rab
- коефіцієнти відбиття Френеля для
відповідної межі поділу, j
-
фазова товщина відповідного шару.
Коефіцієнт відбиття шаруватої структури
визначається елементами першого стовпця
матриці ефективних оптичних сталих.
Комп’ютерне моделювання показало що
в цілому обидва підходи дають одинакові
результати. Хоч рівняння (2.4) описує
ППР- явище, як функцію залежності від
кута падіння
з використанням монохроматичного
джерела світла (тобто λ - стала), можна
легко отримати вираз для відбивальної
здатності, як функцію λ, вбачаючи сталим
значення кута падіння .
На практиці при створення сенсорів ППР
використовують як кутові спектри, так
і спектри по довжині хвилі.
Кут,
який відповідає мінімуму інтенсивності
відбитої хвилі можна визначити з рівняння
.
Розміщення діелектричного покриття на
поверхні металу в вигляді адсорбованих
біомолекул викликає зростання величини
хвильового вектора ППП
.
Можна спробувати розрахувати зміну
коефіцієнта діелектричної проникності
при адсорбції молекул, а точіше ефективної
сприйнятливості субмоношарового
молекулярного покриття. Рівняння
самоузгодж. поля має вигляд
(1) (ще див. пит. Закон
дисперсії поверхневого плазмон-поляритону).
Система є макроскопічно однорідною в
площині підкладинки. При чому лінійний
розмір молекул суттєво менший за довжину
хвилі та середню відстань між молекулами
в шарі. Це дозволяє спростити суму у
правій частині (1):
.
Тут введено усереднений тензор лінійного
відгуку молекули
.
Можна ще усереднити за положенням
молекул в шарі. Розподіл вдовж поверхні
рівномірний й тому
.
Кожен з N-1
доданків
у правій частині можна перетворити
наступним чином:
.
Тоді, очевидно,
.
Рівняння самоузгодженого поля в
представленні Вейля має вигляд
.
Оскільки
є відгуком на локальне поле, то
.
Це дає можливість записати рівняння на
поляризовність молекулярного шару в
k-z
представленні:
, розв’язком якого є
.
Тут перший множник у правій частині має
сенс лінійного відгуку на зовнішнє поле
— ефективну сприйнятливість. Розв’язуючи
побудоване на його основі рівняння
отримаємо закон дисперсії від форми
частинок через їх концентрацію та форму.
Аналітично
зручніше за все розглядати моделі
частинок у формі еліпсоїдів, оскільки
за однорідного зовнішнього поля всередині
них теж однорідне поле. Далі показано
як змінюється резонансний кут зі зміною
форми частинок : ( на рис. 1 маємо зсув
дисперсфної кривої, що призводить до
зсуву резонсного кута на рис. 2)
|
Рис. 1 |
|
Рис. 2 |
Так само наявна залежність від концентрації: ( зсув кривої на рис. 3)
|
Рис. 3 |