- •2. Які основні характеристики і параметри хімічних сенсорів?
- •3. Дайте означення понять "адсорбція", "адсорбат", "адсорбент", “ступінь покриття поверхні”. Яка різниця між фізичною та хімічною адсорбцією? Як їх розрізнити експерименально?
- •4. Моделі адсорбції. Рівняння Гібса та ізотерми адсорбції Ленгмюра. Порівняйте висновки з теорії адсорбції Брунауера-Еммета-Теллера та Ленгмюра.
- •5. Опишіть можливі процеси адсорбції молекул води на поверхню твердого тіла. За яких умов виникає капілярна конденсація?
- •6. Що таке каталізатори і як вони працюють? Поясніть енергетичну діаграму для каталітичних реакцій на прикладі адсорбції н2 в системі Pd–SiO2.
- •7. Мультисенсори. Дайте приклад алгоритму математичної обробки матриці хімічних сенсорів за "методикою розпізнавання образів" та «головних компонент».
- •8. Поясніть зонну модель поверхні SnO2. Як відбувається обмін зарядами між твердим тілом і донорними/акцепторними молекулами на прикладі молекул со, н2, о2?
- •9. Виведіть формулу для розрахунку концентрації адсорбованих молекул кисню на поверхні метал-оксиду.
- •10. Виведіть формулу для розрахунку концентрації ко-адсорбованих на поверхні метал-оксиду молекул кисню та редокс-газу
- •12. Сенсори вологості на метал-оксидах. Наведіть еквівалентну електричну схему для контакту гранула–гранула–електрод для адсорбції води. Сенсорний метод контролю процесів горіння.
- •13. Поясніть принцип дії λ-сенсорів резитивного та потенціометричного типів.
- •14. Принцип дії польового транзистора з інверсним шаром. Основні характеристики приладу.
- •15. Принцип дії сенсору GasFet сенсора на водень. Модель чутливості до водню для Pd затворів. Як розрахувати парціальний тиск водню? Як впливає на чутливість до водню атмосферний кисень?
- •16. Параметри GasFet сенсорів на водень. Сенсори інших газів на основі польового транзистора. Модель чутливості до аміаку мон-структури. Польовий транзистор з підвішеною мембраною.
- •17. РН метр на isfet структурі. Як визначити значення рН розчину?
- •18. Сенсори водню на основі бар’єрів Шоткі. Зміною яких параметрів бар’єру визначається чутливість структури до адсорбції?
- •19.Потенціометричний сенсор зі світловою адресацією ((laPs). Навести принцип роботи та приклад характеристики фотоструму від прикладеної напруги в газовій атмосфері.
- •Принцип роботи сенсору електроліт-ізолятор-напівпровідник (еіs). Як підняти чутливість цього сенсору?
- •Газові сенсори на основі методу вібруючого електроду (метод зонду Кельвіна).
- •22. Назвіть та поясніть методи отримання квантових структур кремнію за високими технологіями, хімічного та електрохімічного травлення.
- •26. Поясніть, які механізми описують транспорт носіїв заряду в макропоруватому та нанопоруватого кремнії. Вплив адсорбції на електричні властивості поруватого Si.
- •28. Сенсор на польовому транзисторі із використанням пористого кремнію. Поясніть принцип дії. Який принцип дії газового сенсора з пористим кремнієм на основі кмон процесу?
- •29. Основні властивості полімерів. Π-спряжені зв’язки. Використання полімерів для сенсорів провідності.
- •31 Калориметричні сенсори на кремнієвих термопарах та транзисторах
- •32. Калориметричний сенсор з плаваючою мембраною: еквівалентна електрична схема та параметри. Термічний сенсор вологості.
- •33. Ефект зникаючого поля в оптичному волокні. Сенсори на оптичному волокні. Оптод.
- •Як використовується ефект поверхнево-підсиленого комбінаційного розсіяння світла для газових сенсорів.
- •35 Дайте означення біосенсору. Сенсори на основі біоспорідненості та метаболізму. Перші біосенсори на глюкозу та сечовину.
- •Cхема біосенсора
- •38.Еванесцентні хвилі. Хвилі, що локалізовані на межі розподілу «зовнішнє середовище-метал», «зовнішнє середовище-напівпровідник».
- •40.Закон дисперсії поверхневого плазмон-поляритону.
- •4 1.Параметри, що впливають на збудження та розповсюдження ппп.
- •42. Ефект поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •43. Схема вимірювання поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •44. Принципи побудови датчиків на основі поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •45. Методи, що використовуються для покращення умов збудження та розповсюдження ппп.
- •46. Методи, що використовуються для підвищення чутливості пппр датчика біомолекул.
- •47. Методи, що використовуються для підвищення селективності пппр датчика біомолекул.
- •48. Коефіцієнт відбиття від багатошарової системи. Методи обробки даних пппр вимірювань.
33. Ефект зникаючого поля в оптичному волокні. Сенсори на оптичному волокні. Оптод.
|
Рис. 6.16. Схематична структура оптичного волокна та можливі шляхи проходження променя |
(6.21).
Якщо промінь світла поширюється з
оптично більш густого середовища з
показником заломлення n
в оптично менш густе середовище з
показником заломлення n'(n'
< n),
то кут θr
> θa
. При максимальному значенні кута
заломлення θr
=900
спостерігається ковзання променя, що
пройшов у друге середовище, уздовж
поверхні на межі поділу. Цьому куту
заломлення відповідає значення кута
падіння θa
= θc
, яке можна отримати, якщо в рівняння
(6.21) підставити θr
=900:
(6.22).
Кут θc
називають критичним кутом для повного
внутрішнього відбивання, оскільки при
будь-яких кутах падіння, більших за
критичний, спостерігається повне
внутрішнє відбивання. Тобто нема передачі
енергії хвилі в оптично менш густе
середовище, і світло повністю відбивається
на межі поділу цих середовищ. Уперше це
явище спостерігав ще в 1611 р. І. Кеплер.
Явище повного внутрішнього відбивання
використовується в оптичному волокні
– циліндричному діелектричному
хвилеводі. Серцевина оптичного волокна,
в якому поширюється ІЧ або видиме світло,
має трохи вищий показник заломлення,
ніж оболонка (рис. 6.16). Для того, щоб
світло поширювалося в серцевині, туди
його треба завести за допомогою оптичної
системи. Причому залежно від кута, під
яким світловий промінь потрапляє в
серцевину волокна, можливе поширення
променя або по серцевині за рахунок
повного внутрішнього відбивання, або
часткове проходження променя в оболонку,
що веде до затухання світла у волокні.
Просторовий кут входу променя у волокно
θa
визначає перехід між цими двома умовами
поширення променя:
У
випадку поширення променів у серцевині
при повному внутрішньому відбиванні
поле електромагнітної хвилі в оболонці
спадає до нуля не різко. Насправді
електромагнітне поле затухає в оболонці
до напрямку межі поділу за експоненціальним
законом від координати. Тому електромагнітне
поле в оболонці дістало назву зникаючого
поля (в англомовній літературі –
evanescent
field).
Глибина проникнення цього поля в оболонку
dp
описується таким виразом:
(6.25),
де λ
– довжина електромагнітної хвилі, θ1
–кут, під яким промені світла падають
на межу поділу серцевина – оболонка.
Сенсори на оптичному волокні базуються
на використанні саме зникаючого поля
в оболонці, і тому вони дістали назву
evanescent
field
sensors.
Зникаюче поле в ділянці оболонки
безпосередньо взаємодіє з аналітом. Це
веде до додаткового поглинання або
флюоресценції, тобто модуляції
інтенсивності світла, що поширюється
в оптичному волокні.
|
Рис. 6.17. Блок-схема оптичного хвилеводного сенсора |
|
|
Рис. 6.18. Дизайн оптичного сенсора на основі використання ефекту зникаючого поля в оболонці оптоволокна |
Рис. 6.19. Схема оптода |
Загальну
блок-схему оптичного сенсора представлено
на рис. 6.17. Він складається з оптичного
джерела (лазер, лазерний діод, світлодіод
LED),
оптичного волокна, сенсорного шару або
трансдьюсера (який переводить вимірювану
величину в оптичний сигнал), оптичного
детектора (фотодіода) та мікропроцесорної
техніки (персональний комп'ютер). Вибір
джерела світла залежить від спектрального
діапазону, в якому трансдьюсер має
максимальну чутливість. Наприклад, якщо
використовувати як трансдьюсер полімерну
плівку, то для поліанілінового сенсора
на аміак максимальне поглинання
спостерігається при λ
= 633 нм, тому можна використовувати
червоне випромінювання He-Ne
лазера (632,8 нм). Сенсорний шар чи трансдьюсер
створюють на невеличкій ділянці
оп-тичного волокна шляхом заміни
(часткової чи повної) оболонки (рис.
6.18). Взаємодія адсорбату з адсорбентом
(тобто сенсорним шаром) змінює показник
заломлення цієї ділянки оболонки,
оскільки в цій області оболонки показник
заломлення буде комплексним:
(6.26), де k
– коефіцієнт екстинції. Відповідно до
формули (6.25), це веде до зміни глибини
проникнення електромагнітного поля в
оболонку на цій ділянці та зміни
пропускання всього оптичного волокна.
У загальному випадку сенсори можуть
вимірювати чотири параметри в зміні
оптичного пропускання: інтенсивність,
фазу, довжину хвилі та поляризацію.
|
Рис. 6.20. Зміна інтенсивності флюоресценції оптоволоконного оптода з часом при експозиції в атмосфері О2 (а) і залежність сигналу пропускання при 590 нм для рН сенсора на основі ефекту зникаючого поля в оболонці оптоволокна (б) |
Якщо використовувати як сенсорний шар флюоресцентний барвник (наприклад, комплекси перехідних металів) або фосфоресцентний барвник типу порфірину платини то за присутності атмосфери молекулярного кисню спостерігається ефект затухання інтенсивності люмінесценції барвника або зміна часу затухання фосфоресценції люмінофору. Зміну інтенсивності флюоресценції волоконного оптода з часом при експозиції в атмосфері кисню показано на рис. 6.20, а. Джерелом випромінювання є блакитний LED з
λ = 450 нм, а сенсорний шар формують з комплексу рутенію; інтенсивність флюоресценції при збудженні блакитним світлом затухає в кисневій атмосфері. Відносне зменшення інтенсивності флюоресценції використовується як сенсорний сигнал концентрації кисню в атмосфері. Результати вимірювань для рН сенсора на основі ефекту зникаючого поля показано на рис. 6.20, б. Тут використовуються інший сенсорний шар – бромфенол, а джерелом освітлення є LED з λ = 590 нм. Збільшення поглинання (тобто втрат в оптоволокні) спостерігається при більших значення рН розчину. Такий сенсор може вимірювати рН в області значень 3–8. Оптичні сенсори можуть бути зворотними й незворотними. Сенсор є зворотним, якщо речовина у чутливому шарі не руйнується при взаємодії з адсорбатом. У цілому, оптичні сенсори, як і інші оптоелектронні прилади, мають переваги щодо чутливості та завадозахищеності (оптичні промені не створюють паразитних електричних полів), тому існує можливість створення мультисенсорних структур.
