
- •2. Які основні характеристики і параметри хімічних сенсорів?
- •3. Дайте означення понять "адсорбція", "адсорбат", "адсорбент", “ступінь покриття поверхні”. Яка різниця між фізичною та хімічною адсорбцією? Як їх розрізнити експерименально?
- •4. Моделі адсорбції. Рівняння Гібса та ізотерми адсорбції Ленгмюра. Порівняйте висновки з теорії адсорбції Брунауера-Еммета-Теллера та Ленгмюра.
- •5. Опишіть можливі процеси адсорбції молекул води на поверхню твердого тіла. За яких умов виникає капілярна конденсація?
- •6. Що таке каталізатори і як вони працюють? Поясніть енергетичну діаграму для каталітичних реакцій на прикладі адсорбції н2 в системі Pd–SiO2.
- •7. Мультисенсори. Дайте приклад алгоритму математичної обробки матриці хімічних сенсорів за "методикою розпізнавання образів" та «головних компонент».
- •8. Поясніть зонну модель поверхні SnO2. Як відбувається обмін зарядами між твердим тілом і донорними/акцепторними молекулами на прикладі молекул со, н2, о2?
- •9. Виведіть формулу для розрахунку концентрації адсорбованих молекул кисню на поверхні метал-оксиду.
- •10. Виведіть формулу для розрахунку концентрації ко-адсорбованих на поверхні метал-оксиду молекул кисню та редокс-газу
- •12. Сенсори вологості на метал-оксидах. Наведіть еквівалентну електричну схему для контакту гранула–гранула–електрод для адсорбції води. Сенсорний метод контролю процесів горіння.
- •13. Поясніть принцип дії λ-сенсорів резитивного та потенціометричного типів.
- •14. Принцип дії польового транзистора з інверсним шаром. Основні характеристики приладу.
- •15. Принцип дії сенсору GasFet сенсора на водень. Модель чутливості до водню для Pd затворів. Як розрахувати парціальний тиск водню? Як впливає на чутливість до водню атмосферний кисень?
- •16. Параметри GasFet сенсорів на водень. Сенсори інших газів на основі польового транзистора. Модель чутливості до аміаку мон-структури. Польовий транзистор з підвішеною мембраною.
- •17. РН метр на isfet структурі. Як визначити значення рН розчину?
- •18. Сенсори водню на основі бар’єрів Шоткі. Зміною яких параметрів бар’єру визначається чутливість структури до адсорбції?
- •19.Потенціометричний сенсор зі світловою адресацією ((laPs). Навести принцип роботи та приклад характеристики фотоструму від прикладеної напруги в газовій атмосфері.
- •Принцип роботи сенсору електроліт-ізолятор-напівпровідник (еіs). Як підняти чутливість цього сенсору?
- •Газові сенсори на основі методу вібруючого електроду (метод зонду Кельвіна).
- •22. Назвіть та поясніть методи отримання квантових структур кремнію за високими технологіями, хімічного та електрохімічного травлення.
- •26. Поясніть, які механізми описують транспорт носіїв заряду в макропоруватому та нанопоруватого кремнії. Вплив адсорбції на електричні властивості поруватого Si.
- •28. Сенсор на польовому транзисторі із використанням пористого кремнію. Поясніть принцип дії. Який принцип дії газового сенсора з пористим кремнієм на основі кмон процесу?
- •29. Основні властивості полімерів. Π-спряжені зв’язки. Використання полімерів для сенсорів провідності.
- •31 Калориметричні сенсори на кремнієвих термопарах та транзисторах
- •32. Калориметричний сенсор з плаваючою мембраною: еквівалентна електрична схема та параметри. Термічний сенсор вологості.
- •33. Ефект зникаючого поля в оптичному волокні. Сенсори на оптичному волокні. Оптод.
- •Як використовується ефект поверхнево-підсиленого комбінаційного розсіяння світла для газових сенсорів.
- •35 Дайте означення біосенсору. Сенсори на основі біоспорідненості та метаболізму. Перші біосенсори на глюкозу та сечовину.
- •Cхема біосенсора
- •38.Еванесцентні хвилі. Хвилі, що локалізовані на межі розподілу «зовнішнє середовище-метал», «зовнішнє середовище-напівпровідник».
- •40.Закон дисперсії поверхневого плазмон-поляритону.
- •4 1.Параметри, що впливають на збудження та розповсюдження ппп.
- •42. Ефект поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •43. Схема вимірювання поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •44. Принципи побудови датчиків на основі поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •45. Методи, що використовуються для покращення умов збудження та розповсюдження ппп.
- •46. Методи, що використовуються для підвищення чутливості пппр датчика біомолекул.
- •47. Методи, що використовуються для підвищення селективності пппр датчика біомолекул.
- •48. Коефіцієнт відбиття від багатошарової системи. Методи обробки даних пппр вимірювань.
38.Еванесцентні хвилі. Хвилі, що локалізовані на межі розподілу «зовнішнє середовище-метал», «зовнішнє середовище-напівпровідник».
Е
ванесцентною
назив. хвилю, що перенос. енергію вздовж
поверхні й експ. затухає при віддалені
від неї. Аби розглянути її поширення,
розглядаємо р-ня Максв. із матеріальними
рівняннями (усюди вектори):
(1) На
межі розподілу немагн. середовищ
тангенційна складова ел. поля неперервна,
а нормальна — розривна. Тоді одним з
розв’язків буде еванесц. хвиля у вигляді
Таким чином наявність межі розподілу
кристала із зовнішнім середовищем
призводить до появи поверхнево-локалізованих
нормальних мод, тобто, колективних
збуджень, що у випадку металів формують
в приповерхневому шарі хвилеподібні
збурення зарядової густини – поверхневий
плазмон. Подібно до свого тривимірного
аналога – квазічастинки, що описує
коливання електронів коло важких іонів
в електронній плазмі твердого тіла –
поверхневий плазмон є повздовжньою
модою хвильовий вектор k
якої характеризує ущільнення та
розрідження зарядів у приповерхневому
шарі.
|
Рис. 1 Залежність дійсної частини ДП від частоти: Зліва для металу справа для іонного діелектрику |









Умови розповсюдження поверхневої хвилі суттєво залежать від стану поверхні через граничні умови.
На Рис. 2 показано дисперсійну залежність поверхневих хвиль (пряма показує розповсюдження світла у вакуумі). Поверхневі нормальні моди безпосередньо
|
Рис. 2 Закон дисперсії ( залежність
|
діелектричному
середовищі або металі, оскільки їхні
дисперсійні співвідношення зв'язують
такі значенні частот та хвильових
векторів радіаційних мод, де не виконується
одночасно закони збереження енергії
та імпульсу. Це добре видно на дисперсійній
залежності: для збудження поверхневої
хвилі із частотою
треба мати хвильовий вектор
,
а оптичний промінь має лише
Тобто не існує такого кута падіння за
якого електромагнітна хвиля зовнішнього
випромінювання збуджувала б поверхневий
плазмон-поляритон.
|
Рис. 1 Закон дисперсії ( залежність від )для поверхневих хвиль (крива)і е-м хвилі у вакумі ( пряма) |
Праворуч показано дисперсійну залежність поверхневих хвиль (пряма показує розповсюдження світла у вакуумі). Поверхневі нормальні моди безпосередньо не можуть взаємодіяти (а значить збуджуватись) з об'ємною електромагнітною хвилею, що розповсюджується у діелектричному середовищі або металі, оскільки їхні дисперсійні співвідношення зв'язують такі значенні частот та хвильових векторів радіаційних мод, де не виконується одночасно закони збереження енергії та імпульсу. Це добре видно на дисперсійній залежності: для збудження поверхневої хвилі із частотою треба мати хвильовий вектор , а оптичний промінь має лише Тобто не існує такого кута падіння за якого електромагнітна хвиля зовнішнього випромінювання збуджувала б поверхневий плазмон-поляритон (ПП). Тому для збудження ПП хвиль треба створити умови порушення закону збереження імпульсу. Існують два основних методи збурення поверхневої хвилі:
|
Рис. 2 Зліва поверхня у вигляді дифракційної градки з періодом а (як бачимо при цьому хвильове число падаючої ем хвилі збільшується на вкличину 2π/а. Справа екран зі щілиною над поверхнею |
І – можливість взаємодії зовнішнього випромінювання та поверхневої хвилі забезпечується дифракцією падаючого випромінювання на регулярних неоднорідностях на поверхні (наприклад дифракційна гратка) що призводить до появи при заданій частоті компонент хвильового вектора більших за хвильовий вектор зовнішнього випромінювання. Можуть використовуватись і нерегулярні неоднорідності, наприклад, шорсткості поверхні, або щилина між поверхнею та непрозорим екраном; (див. рис. 1).
ІІ – Застосування ефекту повного внутрішнього відбиття, що базується на тому факті, що для світлової хвилі, що характеризується уявним значенням z-компоненти хвильового вектора закони збереження енергії та імпульсу при взаємодії поверхневого плазмону з фотоном і дисперсійні співвідношення поверхневої хвилі не протирічать одне одному.
|
Рис. 3 Методи збудження поверхневого плазмону б) Метод Отто в) метод Кретщмана |








Ефект ПППР можна спостерігати на установці, блок схема якої подана на Рис.1.3. де позначено: 1– джерело світла (=632.8 nm); 2 – поляризатор; 3 – перетворювач ПППР, що складається зі зв’язуючої скляної призми (кут 680 , np =1.52) та золотої плівки на поверхні якої збуджуються поверхневі плазмон-поляритони; 4 – блок керування обертанням призми; 5 – кювета з розчином речовини, що тестується; 6 – детектор світла (фотодіод ФД 263); 7 – комп’ютерна система автоматичного вимірювання та аналізу характеристик.
Поверхневі
ПП збуджуються в тонкій золотій плівці
(товщиною 45 nm)
безпосередньо нанесеній на скляну
призму. Зміна кута падіння відбувається
за рахунок повороту призми. Більш
детально (й з правильнішою формою призма
зображена на рис 2.1). Контакт робочого
боку металічної плівки з рідиною, де
розчинені тестовані речовини відбувається
через протічну кювету. Сигнал,
випромінювання, що відбивалось від
металічної плівки реєструвався
фотодіодом. За допомогою програми
обробки даних в реальному масштабі часу
фіксувалось положення резонансного
кута. Тобто, установка дає змогу отримувати
кінетичні криві ППР що відбивають
процеси взаємодії молекул, з поверхневою
хвилею. Крива ПППР має наступний вигляд
рис. 2.2 де зображено графік інтенсивності
відбитого світла. Мінімуму відповідає
кут максимально ефективного збудження
ПППР. Невеликий провал зліва має місце
через те, що в дисперсійній залежності
підкореневі
вирази змінюють знак.
Проблема ефективного збудження і розповсюдження ПППХ ставить такі задачі: - підвищення адгезійних властивостей поверхні; - поліпшення стабільності роботи плівки; - поліпшення морфології поверхні плівки.
|
Рис 2.2 Крива ППР |
|
|
Рис.2.1. Схема збудження поверхневого плазмонного резонансу за схемою Кречмана. |
Рис.1.3 |